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[实用新型]一种主动式电容触控模块及智能手绘板-CN201721124814.1有效
发明人：钟洪耀;邓建;詹梓煜 -专利权人：深圳市千分一智能技术有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种主动式电容触控模块及智能手绘板，其中的主动式电容触控模块包括触控IC和敷铜电路板，所述敷铜电路板包括敷铜层，所述敷铜层设有多个X轴敷铜结构和多个Y轴敷铜结构，所述X轴敷铜结构和Y轴敷铜结构分别与触控IC电连接，所述X轴敷铜结构通过跳线相互连接，所述Y轴敷铜结构在敷铜层相互连接；相邻的X轴敷铜结构与Y轴敷铜结构之间的间距为0.1~0.16mm；相同轴上，相邻两个敷铜结构的中心距离为不大于5.0 mm，相邻的X轴敷铜结构在敷铜层上的距离为不大于0.15mm。
一种主动电容模块智能手绘

[发明专利]一种铜互连结构及其制备方法-CN202010747376.4有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种铜互连结构及其制备方法。该铜互连结构包括：自下而上依次包括铜金属线(200)、第一刻蚀终止层(201)、第一介质层(202)、第二刻蚀终止层(203)和第二介质层(204)；通孔/沟槽结构，两者垂直相连通，贯穿第一刻蚀终止层(第二刻蚀终止层(203)和第二介质层(204)，其中，沟槽位于通孔上方；AlN/Al2O3叠层薄膜(206)，阻挡层(207)和铜薄膜形成在通孔和所述沟槽的侧壁，且不与通孔底部相接触；阻挡层(207)覆盖AlN/Al2O3叠层薄膜(206)并覆盖通孔底部的铜金属线(200)的表面；铜薄膜(208)完全填充通孔/沟槽内部；铜扩散覆盖层(209)，覆盖铜互连结构的上表面。
一种互连结构及其制备方法

[发明专利]一种带有空气间隙的大马士革制造方法-CN201210228259.2无效
发明人：李磊;陈玉文;胡友存;姬峰;梁学文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一种带有空气间隙的大马士革制造方法，包括以下步骤：在一半导体基体上形成第一金属互连线；刻蚀去除第一空气间隙区域的介电层形成第一金属互连线间间隙；淀积第二介电层形成第一空气间隙；在第二介电层上采用双大马士革刻蚀工艺形成第二金属互连线；刻蚀去除第二空气间隙区域的介电层形成第二金属互连线间间隙；淀积第三介电层，在第二金属互连线间间隙形成第二空气间隙。本发明减小了铜互连线间寄生电容，降低了金属互连RC延迟问题，并且同时改善了铜互连电子迁移和应力迁移可靠性。
一种带有空气间隙大马士革制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201110200698.8有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构的两侧形成有源/漏区；在所述半导体衬底上形成介电层，且在所述介电层中形成铜金属互连线；在所述介电层以及铜金属互连线上形成铜扩散阻挡层，形成所述铜扩散阻挡层的前体材料包括乙炔、三甲基硅烷和氨气，所述乙炔可以将氢固定于所述铜扩散阻挡层中。根据本发明，可以有效避免氢通过铜金属扩散进入栅氧化层，诱导栅氧化层产生漏电，提高栅氧化层的可靠性。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN201911308057.7在审
发明人：梁金娥 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属互连结构的形成方法，包括：对晶圆进行除气和铜还原，该晶圆上形成有介质层，介质层中形成有通孔，除气和铜还原在同一腔体中进行，铜还原过程中通过加热促进铜还原反应；在通孔的侧壁沉积第一阻挡层；在第一阻挡层和介质层的表面沉积第二阻挡层；在第二阻挡层表面沉积铜籽晶；在铜籽晶表面形成铜金属层，铜金属层填充通孔。本申请通过在金属互连结构的形成过程中，将除气和铜还原在同一腔体中进行，且铜还原过程中通过加热促进铜还原反应，提高了铜还原的效率，从而能够提高晶圆表面产生的氧化铜的去除率，在一定程度上降低了器件的接触电阻
金属互连结构形成方法

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN202211431188.6在审
发明人：董佳莹;谭艳琼;蒙飞 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属互连结构的形成方法，包括：在层间介质层中形成沟槽，层间介质层形成于晶圆上，晶圆上集成有半导体器件；在层间介质层和沟槽暴露的表面形成阻挡层；在阻挡层上形成铜籽晶；在真空环境下进行热处理，使铜籽晶中铜的晶向转为[111]；在铜籽晶上电镀形成铜层，铜层填充沟槽；进行平坦化，去除沟槽外的阻挡层、铜籽晶和铜层。本申请通过在金属互连结构的形成过程中，在接触通孔的沟槽形成后，依次形成阻挡层和铜籽晶，在真空环境下进行热处理，使铜籽晶中铜的晶向转为[111]，从而增加大铜晶粒的颗粒尺寸且降低其方块电阻，有利于后续的电镀工艺的填充
金属互连结构形成方法

[发明专利]晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法-CN202310397169.4有效
发明人：王传智;刘冠东;李洁;王伟豪;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
晶圆级铜铜凸点互连结构及其方法

[发明专利]用于铜互连的电化学或化学沉积的电镀溶液及其方法-CN200380106127.1无效
发明人： S·D·博伊德;S·克萨里;W·M·拉曼纳;M·J·帕伦特;L·A·扎哲拉;张海燕 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2003-11-07 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明提供了具有二(全氟烷磺酰基)亚胺铜或三(全氟烷磺酰基)甲基铜的电镀溶液以及使用这些电镀溶液的电化学沉积或化学沉积铜互连的方法。
用于互连电化学化学沉积电镀溶液及其方法

[发明专利]一种铜互连布线层上覆盖结构的方法-CN202010993623.9在审
发明人：曹路;刘翊;张同庆 -专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了铜互连布线层上覆盖结构的方法：S1、将结构放置在减压室中；S2、在减压室内形成加速的加盖气体团簇离子束；S3、将加速覆盖气体团簇离子束引导至一个或多个铜互连表面和覆盖有阻挡层材料的介电层表面上，形成至少一个覆盖结构；S4、覆盖结构上形成至少一个绝缘层；具体为：在减压室内形成加速沉积气体团簇离子束，将加速沉积气体团簇离子束引导到一个或多个铜互连表面上；所述绝缘层的材料包括选自以下组中至少一种：碳化硅，氮化硅或者碳氮化硅；本发明可以在不影响相邻介电材料的绝缘或泄漏特性的情况下有效地覆盖互连结构中的铜互联。
一种互连布线覆盖结构方法

[发明专利]一种用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法-CN201210208918.6无效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积膜系的金属硬掩膜层及所述金属硬掩膜层之前段工艺膜层；对所述膜系的金属硬掩膜层进行热退火处理；在所述膜系之金属硬掩膜层上继续沉积二氧化硅薄膜；在所述二氧化硅薄膜上设置抗反射层，以及光阻层，并进行沟道曝光、沟道；过孔曝光、刻蚀；刻蚀；衬垫开口；籽晶层沉积、铜互连，以及化学机械抛光等工艺实现铜互连。使用本发明所述铜互连的金属硬掩膜层的制备方法可以在不影响金属硬掩膜层的电阻率均匀性的前提下降低所述金属硬掩膜层的应力，减小所述金属硬掩膜层下层薄膜由于受到所述金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性
一种用于互连金属硬掩膜层制备方法

[发明专利]一种互连微焊点、芯片及芯片的焊接方法-CN202011496479.4在审
发明人：朱文辉;唐楚;马创伟 -专利权人：中南大学;长沙安牧泉智能科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件的封装技术，公开了一种互连微焊点、芯片及芯片的焊接方法，本发明的互连微焊点，包括第一铜层、第一阻挡层、第一锡层、第二锡层、第二阻挡层以及第二铜层，所述第一阻挡层设于所述第一铜层上，所述第一锡层设于所述第一阻挡层上，所述第二阻挡层设于所述第二铜层上，所述第二锡层设于所述第二阻挡层上，在焊接状态下，所述第一锡层与所述第二锡层键合于一体。这样，可以通过第一阻挡层和第二阻挡层抑制互连微焊点之间的孔洞，能防止由于孔洞扩散成裂纹影响芯片结构。
一种互连微焊点芯片焊接方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110208194.0有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属互连结构中铜合金工艺的改进方法，用于防止纯铜金属的氧化和扩散、保持铜的低阻抗特性并简化工序。首先在电介质层上形成一沟槽，该沟槽暴露出半导体基底上的下部互连结构，并在沟槽内壁和被暴露的下部互连结构上形成阻障层和种晶层。接着采用化学电镀法沉积铜金属层，以填满该沟槽。然后采用化学电镀法沉积一铜合金层，覆盖于该铜金属层上，并对所述铜合金层实施退火处理。最后，去除所述铜合金层的多余部分直至露出所述电介质层表面，并在该铜合金层和电介质层上沉积覆盖层，以用于后续工艺。
半导体器件制造方法

[发明专利]改善半导体器件一体化刻蚀残留缺陷的方法-CN201410443196.1在审
发明人：高腾飞;张颂周;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善半导体器件一体化刻蚀残留缺陷的方法，包括：提供半导体器件，并对该半导体器件表面进行一体化刻蚀处理以形成金属互连层；对上述半导体器件进行高温无电浆的灰化工艺清除金属互连层中的残留缺陷；通入混合气体以保护金属互连层表面的铜。本发明根据产品残留缺陷情况，在产品金属互连层一体化刻蚀工艺后引入高温无电浆灰化表面处理工艺将孔洞中的残留缺陷蒸发抽走，并保证对晶圆无损伤和避免铜被氧化，还原氧化的铜。
改善半导体器件一体化刻蚀残留缺陷方法

[发明专利]铜互连阻挡层材料TaWN薄膜-CN200510030978.3无效
发明人：凌惠琴;陈寿面;李明;毛大立;杨春生 -专利权人：上海交通大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： C23C30/00 文献下载
摘要：一种材料技术领域的铜互连阻挡层材料TaWN薄膜，包含的组分及重量百分比为：W 13.6％～22.7％，N 9％，其余为Ta。与现有技术相比，本发明TaWN薄膜，保持了TaN与铜优良的粘附性和低电阻率的特点，同时，W的加入，打破了TaN_x薄膜生长过程中晶相的平衡态，提高了TaN_x的结晶温度，得到了非晶的TaWN，减小了铜扩散的通道，能有效阻挡铜扩散。而且TaWN促进了Cu沿(111)方向成核生长，该取向的铜的抗电迁移能力强于(200)取向生长的铜。因此，本发明TaWN薄膜是理想的铜互连阻挡层候选材料。
互连阻挡材料 tawn 薄膜

[发明专利]降低后端工艺金属连线接触电阻的方法-CN202211523477.9在审
发明人：于双;孙少俊;李存宝;黄鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低后端工艺金属连线接触电阻的方法，在一体化刻蚀后，先进行湿法剥离再利用酸性溶液对低K介电层以及通孔处的下层铜进行浸渍处理；所述酸性溶液为稀释的氢氟酸。本发明的后端工艺中采用铜互连技术实现不同层之间的互连，并且一体化刻蚀后，先进行湿法剥离再利用酸性溶液对低K介电层以及通孔处的下层铜进行浸渍处理，从而去除下层铜表面的氧化铜，减少金属连线电阻，使得阻挡层与下层铜的接触电阻变小
降低后端工艺金属连线接触电阻方法