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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410425730.6在审
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成通孔；采用物理气相沉积工艺，在所述通孔底部和侧壁表面形成钨成核层；采用化学气相沉积工艺，在所述钨成核层表面形成钨体层，且所述钨体层填充满所述通孔本发明采用物理气相沉积工艺形成致密性高且厚度均匀的钨成核层，从而使得形成的钨体层也具有较高的致密度，并且钨体层填充通孔的效果更好，减小甚至消除钨体层内的孔洞，进而提高半导体结构的可靠性及电学性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种用于抗辐照的封装结构及其制作方法-CN201910989174.8在审
发明人：赵飞;王吕华;张玉君;徐孝舟 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于抗辐照的封装结构及其制作方法，包括基体，所述基体包括两个相互平行的钨金属层，以及固设于两个钨金属层之间的陶瓷层，所述钨金属层上设置有通孔，且两个钨金属层上的通孔在与钨金属层平行的平面上的正投影不存在相交部分；本发明交替叠置钨金属层和陶瓷层，并在钨金属层上设置通孔，减少所述封装结构内部的钨金属层和陶瓷层变形量不一致时的不良影响，不同钨金属层上的通孔交错设计，保证了抗辐照性能，利用现有常规的HTCC陶瓷制备工艺即可实现
一种用于辐照封装结构及其制作方法

[发明专利]采用原位氧化的无氟钨沉积工艺及用于实现此工艺的设备-CN202180006531.X在审
发明人：周非;R·S·马卡拉;R·沙朗帕尼;向江佑介;竹口直树 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种在衬底上沉积钨的方法，该方法包括将衬底安置于钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，该第一钨沉积工艺通过使含氟钨前驱气体流入真空外壳中而在衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当衬底保持在真空外壳内而不破坏真空时将第一钨层暴露于氧化剂气体，并且形成从真空外壳抽出的氟氧化钨气体，来执行原位氧化工艺；以及执行第二钨沉积工艺，该第二钨沉积工艺通过在原位氧化工艺之后的第二钨沉积工艺中，使含氟钨前驱气体流入真空外壳，而在第一钨层上沉积第二钨层。
采用原位氧化无氟钨沉积工艺用于实现设备

[发明专利]二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用-CN202310145892.3在审
发明人：孔德斌;冯文婷;智林杰;韩俊伟;岳金书 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于钾离子电池电极材料技术领域，公开了二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用，将高温反应获得的二硫化钨/二硒化钨块体材料与小尺寸离子液体或有机小分子机械混合，离子液体或小分子作为插层剂插入二硫化钨/二硒化钨分子层间中调控层间结构，获得扩层且剥离的超分散二硫化钨/二硒化钨材料；在超分散的二硫化钨/二硒化钨材料中引入铁磁性金属阳离子，获得铁磁性金属阳离子掺杂的超分散二硫化钨/二硒化钨电极材料。本发明利用“插层剥离‑阳离子掺杂”相结合的策略获得具有大层间距、小尺寸、少层数、超分散且具有一定铁磁性特性的二硫化钨/二硒化钨电极材料，用于钾离子电池负极材料，容量可达336mAh·g
硫化二硒化钨电极材料制备方法及其应用

[发明专利]散热装置及其制备方法-CN200410052436.1有效
发明人：颜士杰 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-11-24 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种散热装置，其包括基座，形成于该基座上的扩散障层，形成于该扩散障层上的催化剂层，形成于该催化剂层上的碳纳米管；所述扩散障层为钛钨层或氮化钛钨层。本发明还提供上述散热装置的制备方法，其包括：提供一基座；于该基座上形成一钛钨层或氮化钛钨层；在所述钛钨层或氮化钛钨层上形成一催化剂层；在所述催化剂层上长出碳纳米管。
散热装置及其制备方法

[发明专利]一种耐高温的层状增韧钨基复合材料及制备方法-CN201810771445.8有效
发明人：陈畅;刘蕊;吕品;王珊;钱三峰;许杰;钟志宏;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温的层状增韧钨基复合材料及其制备方法，其包括多个层叠设置的重复单元，所述重复单元包括依次层叠设置的钨层、钽层、铌层、钽层和钨层，且相邻两个重复单元共用一钨层；其制备方法包括：(1)表面处理本发明的优点在于，铌箔与钽箔构成增韧层，钨箔设置于增韧层两侧作为基体层，增韧层与基体层模仿生物材料交替设置，所获得的钨层复合材料的韧性优于纯钨，综合性能较好，改层状增韧钨基复合材料对聚变堆装置的第一壁结构具有重要的实用意义
钨层钨基复合材料增韧层增韧制备基体层耐高温钽层层叠设置交替设置模仿生物依次层叠综合性能烧结复合材料第一壁聚变堆纯钨脱模装模钽箔铌箔铌层

[发明专利]一种凹印版辊及制作方法-CN202010166125.7在审
发明人：孙文婷 -专利权人：山西运城制版集团（上海）企业发展有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B41F13/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种凹印版辊及制作方法，包括内层的基础钢辊(1)，及其表面依次电镀的打底层(2)，所述的打底层(2)表面依次设置镍钨磷雕刻层(3)和镍钨磷防护层(4)。所述的铜层表面电镀镍钨磷层(4)。制作步骤包括：对钢坯辊进行机加工，得到钢辊(1)；在钢辊(1)表面电镀打底层(2)；在打底层(2)上电镀镍钨磷层，然后在镍钨磷层上雕刻出图文部分得到镍钨磷雕刻层(3)；在镍钨磷雕刻层(3)表面电镀一层镍钨磷防护层
一种凹印版辊制作方法

[发明专利]一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202211079155.X在审
发明人：杨敏红;刘韵吉;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层，背面金属；肖特基势垒位于n‑外延层和钛钨层之间；钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层制备完成后溅射钛钨：用磁控溅射仪溅射钛钨层，钛钨厚度在0.1um‑0.3um，用于保护肖特基势垒，再制备正面金属电极。
一种具有钛钨层肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]钨栓塞的制造方法-CN200910194781.1无效
发明人：杨瑞鹏;聂佳相;何伟业 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种钨栓塞的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有介质层，介质层上有开口，所述开口暴露出衬底；在所述衬底上形成粘附层；氮化所述粘附层，使部分粘附层形成阻挡层；在所述开口内填充金属钨；去除多余的金属钨和部分阻挡层，形成钨栓塞。本发明消除或减少了钨栓塞制造过程中形成的内部空洞，降低了钨栓塞的互连电阻，防止了化学机械抛光过程中抛光液浸入和腐蚀钨栓塞，提高了产品的可靠性。
栓塞制造方法

[发明专利]一种电致变色器件及其制备方法-CN202110584773.9在审
发明人：崔彦斌;李文丽;朱多银 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：所述电致变色器件包括依次层叠的电致变色层、离子导电层和离子储存层；所述电致变色层包括核壳结构氧化钨材料，所述核壳结构氧化钨材料的核心为晶态氧化钨，核壳结构氧化钨材料的外壳为非晶氧化钨层。所述方法包括：(1)水热法生长晶态氧化钨，并用电沉积法在所述晶态氧化钨上沉积非晶氧化钨层，得到核壳结构氧化钨材料作为电致变色层；(2)将电致变色层制备成电致变色器件。
一种变色器件及其制备方法

[发明专利]氧化钨阻变存储器的制造方法-CN201110423213.1有效
发明人：吴智勇;郁新举;黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制造方法，包括步骤：1)制作钨通孔；2)干法刻蚀掉钨通孔顶部侧壁的钛层和钛氮化合物阻挡层；3)用有机酸洗掉残留聚合物；4)高温热氧化处理，在钨通孔顶部形成氧化钨；5)光刻和干法刻蚀，形成氧化钨阻变存储单元；6)淀积金属，通过光刻和干法刻蚀形成顶层金属布线。该方法通过在钨通孔氧化前，去除钨通孔侧壁的部分钛层和钛氮化合物阻挡层，使钨通孔氧化后，在钨通孔侧壁能形成部分氧化钨，隔离开顶层金属与钨通孔的钛层和钛氮化合物阻挡层，从而避免了漏电通路的产生，提高了氧化钨阻变存储器的可靠性
氧化钨存储器制造方法

[发明专利]栅极制作方法-CN201110152761.5无效
发明人：彭虎;季伟;孙尧;孙勤;彭仕敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极制作方法，包括步骤：衬底硅片上依次淀积栅绝缘层、多晶硅层和钨硅层；在氮气环境下进行退火处理；退火完成后在所述钨硅层上淀积氮化硅层；进行光刻和刻蚀，形成栅极；对栅极的侧壁进行氧化处理。本发明方法能形成由多晶硅层和钨硅层组成的多层膜的栅极，并在硅钨层上形成有氮化硅层作为栅极的保护层，从而能形成具有较低的电阻率、并能得到良好的保护的栅极。本发明方法通过在形成钨硅层之后、对钨硅层进行热处理，能够使钨硅层释放部分应力，从而能消除钨硅层和氮化硅层之间的应力、并能避免由应力而导致的在后续热处理工艺中导致薄膜鼓起或裂开的问题。
栅极制作方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310631600.3在审
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层，所述层间介电层中具有露出所述半导体衬底的凹槽；b）在所述层间介电层上和所述凹槽内形成第一钨层，所述第一钨层具有第一晶粒尺寸；c）在所述第一钨层上形成第二钨层，所述第二钨层具有小于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸；以及d）采用化学机械抛光去除所述凹槽以外的所述第一钨层和所述第二钨层。根据本发明的半导体器件的制作方法避免了因为第一钨层发生晶间脆断或穿晶脆断给半导体器件带来的不利影响。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]具有钨电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN202011332928.1在审
发明人：庞慰;张孟伦;宁远 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：所述压电层为掺杂压电层；且所述顶电极和/或底电极为含有金属钨的钨电极。所述顶电极和/或底电极为由金属钨制成的单层电极或者由钨合金制成的单层电极。或者所述顶电极和/或底电极为叠层电极，所述叠层电极包括叠置的不同材质的至少两层电极层，所述至少两层电极层至少包括一层钨电极层，所述钨电极层为由金属钨制成的电极层或者由钨合金制成的电极层。
具有电极声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]形成栅极的方法-CN201010568297.3有效
发明人：卢炯平;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成栅极的方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅介质层，在栅介质层表面形成氮化钨层，离衬底越远氮化钨层的含氮量越低，在氮化钨层表面形成硬掩膜层；图形化氮化钨层和硬掩膜层；以图形化后的硬掩膜层为掩膜湿法刻蚀去除部分图形化后的氮化钨层，形成顶部宽度大于底部宽度的氮化钨伪栅极，去除图形化后的硬掩膜层；形成介质层，覆盖栅介质层，介质层的表面与氮化钨伪栅极的表面相平；去除氮化钨伪栅极，形成栅极沟槽，栅极沟槽的顶部宽度大于底部宽度；在栅极沟槽内填充栅极材料
形成栅极方法