“C23C16/14”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果93个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种通过化学气相沉积制备镀铜的医用钽金属材料的方法-CN202311092712.6在审
发明人：及松洁;解凤宝;王雪岩;周恭旭;刘兵;贺子安 -专利权人：北京市春立正达医疗器械股份有限公司;首都医科大学附属北京积水潭医院
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过化学气相沉积制备镀铜的医用钽金属材料的方法，属于医疗器械技术领域。本发明的方法包括：将纯钽与氯气反应生成五氯化钽，将五氯化钽与氢气进行置换，将钽单质置换于基体表面；再以纯铜替换纯钽与氯气反应后，与氢气进行置换，将铜单质沉积于钽单质沉积的基体表面。本发明公开的方法可以保留钽金属的优势，同时制备方法更加简单，制备出的医用钽金属材料方便骨长入。
一种通过化学沉积制备镀铜医用金属材料方法

[发明专利]一种表面改性碳化硅颗粒增强铜基复合材料及其制备方法-CN202210540348.4有效
发明人：肖静;郭文建;卢尚文;熊德赣;陈柯;杨盛良;袁晨;阳展望 -专利权人：湖南工业职业技术学院
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明公开一种表面改性碳化硅颗粒增强铜基复合材料及其制备方法，该方法首先采用双温区化学气相沉积炉对碳化硅颗粒进行表面改性，减弱甚至阻止碳化硅颗粒与铜基体发生反应，然后在真空环境中通过机械压力浸渗法制备表面改性碳化硅颗粒增强铜复合材料。该方法简单有效，对于工业量级碳化硅颗粒表面改性要求有极佳的性能优势，制备的铜基复合材料致密度高，热膨胀系数低，热导率有明显提高，满足电子封装领域大功率器件散热对高导热热管理材料的迫切需求。
一种表面改性碳化硅颗粒增强复合材料及其制备方法

[发明专利]一种耐腐蚀金属多孔材料及其制备方法和应用-CN202010805425.5有效
发明人：葛鹏;高建平;卢广轩;张欢;任碧莹;颜俏;王晓哲 -专利权人：西部金属材料股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种耐腐蚀金属多孔材料及其制备方法和应用，涉及金属多孔材料技术领域。本发明提供的耐腐蚀金属多孔材料包括金属多孔材料基材和通过化学气相沉积冶金结合在所述金属多孔材料基材的多孔骨架表面的耐腐蚀沉积层，所述耐腐蚀沉积层为金属Ta层、金属Mo层或金属Ta层与金属Mo层的交替复合层。本发明通过化学气相沉积能够在远低于Ta和Mo熔点的条件下实现金属多孔材料与Ta和Mo的结合，且化学气相沉积绕射性强，Ta和Mo能够均匀且致密地环抱在金属多孔骨架表面，提高了金属多孔材料的耐腐蚀能力。本发明提供的耐腐蚀金属多孔材料在硫酸、氢氟酸、盐酸、硝酸以及这些酸的混合酸中均有良好的耐腐蚀性。
一种腐蚀金属多孔材料及其制备方法应用

[发明专利]通过脉冲/连续CVD或原子层沉积形成催化剂Pt纳米点-CN202180055745.6在审
发明人：大野刚嗣;寺本乔;C·杜沙拉特;尼古拉斯·布拉斯科;Q·德马利 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本披露描述了一种通过以下步骤将多个含Ft金属的纳米点沉积在催化剂碳载体结构上的方法：形成Pt(PF3)4的蒸气，将该催化剂载体的表面暴露于该Pt(PF3)4的蒸气，将该催化剂载体的该表面用吹扫气体吹扫以去除该Pt(PF3)4的蒸气，将该催化剂载体的该表面暴露于呈气体形式的第二反应物，将该催化剂载体的该表面用吹扫气体吹扫以去除该第二反应物，并且重复这些步骤以形成多个含Pt金属的纳米点。
通过脉冲连续 cvd 原子沉积形成催化剂 pt 纳米

[发明专利]一种多孔铂骨架生物相容性钽金属涂层及其制备方法-CN202111011935.6有效
发明人：冯晶;苏涛;汪俊;种晓宇;屈晨凯;邹若安;王建坤 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔铂骨架生物相容性钽金属涂层及其制备方法。本发明方案提供的钽金属涂层制备方法，依次对多孔铂骨架进行表面处理、清洗并干燥，将多孔铂置于装置中的沉积室，将钽金属粉末放于装置中的氧化室，并检查装置各反应室的气密性，抽真空后升温；反应室内温度稳定后分别向氧化室和沉积室中通入氯气和氢气，氧化室中氯气与金属钽粉末反应生成前驱体五氯化钽，五氯化钽流通到沉积室中与氢气发生还原反应后生成纯钽，沉积在多孔铂表面，制得到钽金属涂层；其致密超过95%，纯度则超过99.5%，材料既拥有了铂金属优异的力学性能、易加工的优势，还提高了材料的生物相容性、耐腐蚀和耐磨损性能。
一种多孔骨架生物相容性金属涂层及其制备方法

[发明专利]通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构-CN201811002058.4有效
发明人： B·佐普;K·史瑞斯萨;S·斯瓦弥纳杉;朱驰宇;H·T·A·朱希拉;谢琦 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构。所述方法可以包括：把包括电介质表面的衬底放到反应室中；在所述电介质表面上直接沉积成核膜；然后在所述成核膜上直接沉积钼金属膜，其中沉积所述钼金属膜包括：使所述衬底与包含钼卤化物前体的第一气相反应物接触；然后使所述衬底与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。还公开了包括利用中间的成核膜设置在电介质材料的表面上的钼金属膜的半导体器件结构。
通过循环沉积过程衬底电介质表面上金属膜方法相关半导体器件结构

[发明专利]一种钽-碳化钽复合涂层的制备方法及其制品-CN202211247928.0在审
发明人：彭志刚;苑涛;林巍;丁洁 -专利权人：厦门中材航特科技有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽‑碳化钽复合涂层制品及制备方法，利用化学气相沉积方法将无机钽卤化物气化后与氢气、烯烃在基材表面形成钽‑碳化钽复合涂层。本发明可使基材有效获得优良的抗腐蚀、抗摩擦性能，同时具有能够有效控制基材中杂质成分外溢，改善表面光洁度，提高产品美观度的效果，并且实现了工业规模化生产。
一种碳化复合涂层制备方法及其制品

[实用新型]一种用于制备高温结构件保护镀层的装置-CN202222719999.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种用于制备高温结构件保护镀层的装置，它涉及镀膜的装置。它是要解决现有的在石墨、碳制品等高温材料表面镀膜的方法复杂的技术问题。本装置包括预处理室、连接管、镀膜室；预处理室包括反应腔体与进气管连接；镀膜室包括镀膜腔体及主气管和支气管；连接管将预处理室与镀膜室的主气管连通。将Ti或Ta粉放置到预处理室内并与充入干氯气在高温下反应生成TiCl4或TaCl5；通过抽真空，将TiCl4或TaCl5送达镀膜室内，与充入的氢气反应并转化成Ti或Ta并构件表面，得到保护镀层。本装置可用于镀膜领域。
一种用于制备高温结构件保护镀层装置

[发明专利]一种超高纯钼靶坯及其制备方法-CN202210860103.X有效
发明人：李迅;刘丽君;胡珺;檀成鹏 -专利权人：海朴精密材料(苏州)有限责任公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明属于超纯金属靶坯制备技术领域，具体涉及一种超高纯钼靶坯及其制备方法。所述制备方法包括：采用低压化学气相沉积的方法沉积钼，反应气体为MoF6和氢气，所述MoF6和氢气的体积比为1:2.5~1:20，沉积温度为700~1200℃，压力为1‑50kPa。本发明采用低压化学气相沉积，在远低于钼熔点的温度条件下获得高致密度且纯度6N以上的超高纯钼靶坯，可避免常压生长钼致密度低问题，并且设备简单，自动化程度高，从而大幅度降低生产成本，同时可近终型制备管状、圆盘状及方形等等不同形状靶材坯料。
一种高纯钼靶坯及其制备方法

[实用新型]一种高效化学气相沉积制备多孔钽的装置-CN202221601024.9有效
发明人：谷立民;代丽娜;井蕊璇;王宁强;胡勃;康媛媛 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高效化学气相沉积制备多孔钽的装置，包括沉积室、第一法兰及第二法兰，第二法兰上设有氢气进气管和五氯化钽进气管，第一法兰上一体化连接有载样台，载样台位于沉积室的内部，载样台的一端为封闭式结构，另一端设有与沉积室外部贯通的出气口，载样台上表面开设有凹槽，凹槽与出气口连通，凹槽内设有透气样品架。本实用新型将载样台的一端设计为封闭结构，另一端开设出与沉积室外部贯通的出气口，且上表面设有与出气口连通的凹槽，凹槽内设有透气样品架，透气样品架上放置待沉积样品，使反应气体必须流经待沉积样品进行沉积反应后再从出气口排出，提高了沉积效率；本实用新型将第一法兰和载样台一体化设计，简化了安装步骤。
一种高效化学沉积制备多孔装置

[发明专利]用于涡轮叶片和其他部件的耐水滴侵蚀的涂层-CN201880071846.0有效
发明人：尤瑞·茹克 -专利权人：哈达德上市公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种用于耐水滴侵蚀和耐腐蚀的涂层的材料，该材料包括与碳合金化的金属钨，除了在暴露于空气或湿气的表面部分处之外，该材料具有基本上不含氧的基本上均匀的纳米结构。当被涂覆在燃气涡轮叶片或蒸汽涡轮叶片上时，所公开的涂层可以尤其耐水滴侵蚀。
用于涡轮叶片其他部件耐水侵蚀涂层

[发明专利]钨膜的成膜方法及控制装置-CN201910220826.1有效
发明人：成岛健索;平松永泰;松本淳志;堀田隼史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
方法控制装置

[发明专利]薄膜形成方法-CN202110066323.0在审
发明人：尹必根;金泰学;李寅宰;柳然康;李素瑛;李多喜;刘雪熙;宋锡垣 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明的一观点的薄膜形成方法，包括如下的步骤：在工艺腔室内在放置在基板支撑架的基板上通过气体喷射部供应含有金属的源气体及用于与所述源气体发生反应的反应气体，并且通过等离子体电源部供应电源，在所述工艺腔室内形成等离子体环境，进而在所述基板上将金属薄膜预沉积第一时间期间；切断所述等离子体电源部的电源，将所述源气体及所述反应气体向所述基板上供应第二时间期间，以预处理所述基板；在所述基板上供应所述源气体及所述反应气体，并且通过所述等离子体电源部供应电源，在所述工艺腔室内形成等离子体环境，进而在所述基板上将金属薄膜主沉积第三时间期间。
薄膜形成方法

[发明专利]采用原位氧化的无氟钨沉积工艺及用于实现此工艺的设备-CN202180006531.X在审
发明人：周非;R·S·马卡拉;R·沙朗帕尼;向江佑介;竹口直树 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种在衬底上沉积钨的方法，该方法包括将衬底安置于钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，该第一钨沉积工艺通过使含氟钨前驱气体流入真空外壳中而在衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当衬底保持在真空外壳内而不破坏真空时将第一钨层暴露于氧化剂气体，并且形成从真空外壳抽出的氟氧化钨气体，来执行原位氧化工艺；以及执行第二钨沉积工艺，该第二钨沉积工艺通过在原位氧化工艺之后的第二钨沉积工艺中，使含氟钨前驱气体流入真空外壳，而在第一钨层上沉积第二钨层。
采用原位氧化无氟钨沉积工艺用于实现设备

[发明专利]成膜方法及基板处理系统-CN201910875193.8有效
发明人：鲛岛崇;前川浩治;山口克昌 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法及基板处理系统。本发明的课题是提供能够密合性良好地形成低电阻的钨膜的技术。基于本公开的一个方式的成膜方法具备如下工序：在减压状态下在基底上形成含Al膜的工序；和，在前述形成含Al膜的工序之后，在将前述含Al膜不暴露于空气中的情况下，在减压状态下插入吹扫地交替重复进行B2H6气体的供给和WF6气体的供给，在前述含Al膜上形成初始钨膜的工序。
方法处理系统

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 93 条