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[发明专利]一种提高Q值的FBAR谐振器-CN202310720317.1在审
发明人：张晓东;孙晓红 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供的一种提高Q值的FBAR谐振器，所述谐振器包括：衬底、布拉格反射层、两个电极和压电薄膜；所述衬底的上表面铺设有所述布拉格反射层；所述布拉格反射层的上表面与一个电极连接；所述一个电极与另一个电极之间设置有压电薄膜层。将电极形状设计为与声波速度快慢变化一致的梯度，声波速度在不同方向的差异，电极中心距边缘的距离也呈现差异，并保证声波到达边缘的时间相同，从而形成有效反射，提高Q值。
一种提高 fbar 谐振器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310691806.9有效
发明人：万星星;王晋;高晋文;郭佳惠 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底基板、压电层、第一电极、阻挡结构、空腔以及支撑层；压电层位于衬底基板的一侧；第一电极位于压电层的靠近衬底基板的一侧；阻挡结构在垂直于衬底基板主表面的第一方向上位于压电层和衬底基板之间；空腔位于压电层与阻挡结构之间以及第一电极与阻挡结构之间；支撑层在第一方向上位于阻挡结构的部分与压电层之间，且在平行于衬底基板的主表面的水平方向上位于阻挡结构的远离空腔的一侧，其中第一电极自空腔延伸至阻挡结构中，且第一电极与支撑层被阻挡结构分隔开。本公开的半导体器件可提高器件的结构稳定性和可靠性以及产品良率。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]声波谐振器-CN201910974183.X有效
发明人：李泰京;金锺范;安民宰;孙晋淑 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开提供了一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，设置在所述基板上，并且包括第一电极、压电层和第二电极；保护层，设置在所述谐振部的上部上；以及疏水层，形成在所述保护层上，并且所述保护层包括堆叠在所述第二电极上的第一保护层和堆叠在所述第一保护层上的第二保护层，其中，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度。
声波谐振器

[发明专利]体声波谐振器模块-CN201911162917.0有效
发明人：朴昇旭;李泰京;罗圣勳;李在昌;郑载贤 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种体声波谐振器模块，所述体声波谐振器模块包括：模块基板；体声波谐振器，利用连接端子连接到所述模块基板，并且设置为与所述模块基板间隔开；以及密封部，对所述体声波谐振器进行密封。所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部。在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。
声波谐振器模块

[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备-CN201911197893.2有效
发明人：庞慰;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，具有底电极引脚；顶电极，具有顶电极引脚；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：由底电极、顶电极与压电层组成的三明治结构与基底上表面之间存在第一间隙，使得谐振器的主体谐振结构与基底无接触。谐振器还可包括保护结构层，具有第一部分与第二部分，第一部分连接到基底的上表面，第二部分的外端与第一部分的内端连接，第二部分沿着压电层延伸到压电层上方且第二部分的至少一部分与压电层在厚度方向上形成第二间隙，且第二部分在横向方向上与顶电极间隔开。本发明还公开了一种体声波谐振器的制造方法，一种具有上述谐振器的滤波器以及具有该滤波器或谐振器的电子设备。
声波谐振器及其制造方法滤波器电子设备

[发明专利]声波谐振器-CN201911255335.7有效
发明人：金泰润;金锺云;丁大勳;李文喆 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：谐振单元，包括压电层、设置在所述压电层的下侧上的第一电极和设置在所述压电层的上侧上的第二电极；基板，设置在所述谐振单元的下方；支撑单元，在所述基板与所述谐振单元之间形成腔；以及柱，延伸穿过所述腔，并将所述谐振单元连接到所述基板。所述谐振单元还包括设置在所述柱的上方的第一插入层。
声波谐振器

[发明专利]体声波谐振器-CN201910981147.6有效
发明人：李泰京;庆济弘;金成善;孙晋淑;申兰姬;李华善 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极，并且还包括中央部和沿所述中央部的周边设置的延伸部；以及插入层，设置在所述延伸部中并位于所述第一电极和所述压电层之间，并且所述插入层利用含钪(Sc)的铝合金形成。
声波谐振器

[发明专利]共振器及电路元件-CN202310861068.8在审
发明人：李冠兴;纪光庭 -专利权人：环旭电子股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种共振器，设置于电路板并包含第一耦合单元、第二耦合单元、第一共振单元及至少一接地平面。第一共振单元形成环形，第一耦合单元、第二耦合单元及第一共振单元中各者包含至少一信号通孔且位于至少二导电层，第一耦合单元及第二耦合单元耦合第一共振单元。所述至少一接地平面位于电路板的另一导电层，所述至少一接地平面为第一耦合单元、第二耦合单元及第一共振单元的参考地。借此，可有效降低共振器的布局面积。本公开还涉及一种电路元件。
共振器电路元件

[发明专利]一种体声波谐振器、声学滤波器及电子设备-CN202280006025.5在审
发明人：张本锋;黄裕霖;李昕熠;高宗智;侯航天 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种体声波谐振器、声学滤波器及电子设备，涉及半导体技术领域，可以提升声学滤波器的性能。该体声波谐振器包括压电材料层、叉指换能器和介质层；叉指换能器设置于压电材料层上，叉指换能器包括相对设置的第一汇流条、第二汇流条、多个第一电极指和多个第二电极指，多个第一电极指沿第一汇流条延伸方向，依次从第一汇流条向第二汇流条突出；多个第二电极指沿第二汇流条延伸方向，依次从第二汇流条向第一汇流条突出；其中，多个第一电极指和多个第二电极指在第一汇流条和第二汇流条之间依次交错排布；介质层覆盖压电材料层以及叉指换能器，介质层位于至少一对相邻的第一电极指和第二电极指之间的部分的厚度有高低起伏。
一种声波谐振器声学滤波器电子设备

[发明专利]具有氧化物条和虚设指状物的横向激发薄膜体声学谐振器-CN202310395447.2在审
发明人：约翰·P·库拉基斯 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种声学谐振器，包括衬底、由衬底支撑的压电板和膜片。该谐振器还包括叉指换能器(IDT)，该IDT具有分别从第一母线和第二母线延伸的交织的IDT指状物。该交织的IDT指状物的重叠部分限定了声学谐振器的孔。该谐振器还包括一个或多个介电条，该一个或多个介电条中的每个介电条与IDT指状物的至少一部分重叠，并延伸到孔的边缘与第一母线或第二母线中的对应母线之间的间隙中。该谐振器还包括一个或多个虚设指状物，该虚设指状物中的每个虚设指状物在相邻的IDT指状物之间的位置处从第一母线或第二母线中的一条母线延伸，并朝向一个或多个介电条中的一个介电条延伸到间隙中。
具有氧化物虚设指状物横向激发薄膜声学谐振器

[发明专利]一种具有对称式谐振振子结构的微机械谐振器及调节方法-CN202310517385.8在审
发明人：吴国强;华兆敏;肖宇豪;朱科文;韩金钊;李灿 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种具有对称式谐振振子结构的微机械谐振器及调节方法，该微机械谐振器包括衬底硅片、谐振器结构；衬底硅片正面具有空腔结构；谐振器结构包含谐振振子、支撑梁结构和锚点结构；谐振振子通过支撑梁结构与锚点结构连接，锚点结构与衬底硅片连接，且谐振振子、支撑梁结构和锚点结构均悬空于衬底空腔上方；衬底硅片正面的空腔结构位置分别与谐振器谐振振子、支撑梁结构和锚点结构相对应；谐振振子位于支撑梁两侧，以支撑梁为中心，形成轴对称式的一组或多组。该微机械谐振器优化了微机械谐振器的结构，减小了微机械谐振器的锚点损耗，提高了器件的Q值；同时通过设计电极布局实现可调的激励和检测方式。
一种具有对称谐振结构微机谐振器调节方法

[发明专利]高次谐波体声波谐振器及游标频移式生物传感器-CN202310848932.0在审
发明人：程晶婕;邵磊;张文明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种高次谐波体声波谐振器及游标频移式生物传感器，涉及生物传感领域，包括自上向下依次设置的抗体修饰生物敏感层、顶电极、压电层、底电极、绝缘层以及衬底；所述顶电极、压电层以及底电极三者构成三明治式结构，用于发射声波信号；所述衬底用于存储声波。通过使用特异性差分超高频游标频移式生物传感器基于游标卡尺的测量原理，对分子质量带来的微小频偏进行放大，降低操作难度的同时，提高了测量的灵敏度和精度。
谐波声波谐振器游标频移式生物传感器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN202310896932.8在审
发明人：缪建民;杨应田;张瑞珍;王志宏 -专利权人：迈感微电子（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，薄膜体声波谐振器包括：第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔。或者第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，本发明可以改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的Q值。
一种薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]红外探测薄膜异质谐振器、制备及红外探测阵列-CN202310818767.4在审
发明人：陈俊帆;邓光伟;牛晓滨;周强;宋海智;王浟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种红外探测薄膜异质谐振器、制备及红外探测阵列，其目的在于通过微纳加工技术制备红外探测薄膜异质谐振器的红外探测阵列，二维红外吸收材料层将自身所吸收的外部红外辐射转变成热量，从而引起红外探测薄膜异质谐振器的谐振频率发生偏移，通过检测红外探测薄膜异质谐振器实时的频率偏移，便可实现红外探测。本发明利用谐振器的高品质因子和快速响应特性实现高灵敏红外探测，具有结构简单、尺寸小、使用成本低、易大规模扩展的优势，为红外探测提供新的设计思路。
红外探测薄膜谐振器制备阵列

[发明专利]一种阻抗比值不同的拆分式谐振器-CN201910067015.2有效
发明人：张孟伦;庞慰;孙晨 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种拆分式谐振器，所述拆分式谐振器是由多个子谐振器构成的谐振器群；所述谐振器群中，包含两个以上并联支路，各个并联支路中包含两个以上串联的子谐振器；相邻的所述并联支路中的串联连接点之间具有桥接的单个子谐振器或具有桥接的子谐振器群。
一种阻抗比值不同拆分谐振器

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