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[发明专利]三维存储器位线电容的测试方法-CN201711140468.0在审
发明人：宋王琴;张顺勇;汤光敏;卢勤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：所述方法包括提供三维存储器样品；刻蚀三维存储器样品背面的衬底至剩余预设厚度的衬底；研磨预设厚度的衬底至呈现钨栓塞层；分析并确定目标位线在钨栓塞层中对应的钨栓塞；在确定的钨栓塞处测量目标位线的电容。本发明中的方法，通过从三维存储器的背面开始处理，即刻蚀背面的衬底并研磨至钨栓塞层，并对三维存储器的结构进行分析，从而在钨栓塞层找到目标位线对应的钨栓塞，进而使用纳米点针台在找到的钨栓塞处对目标位线的电容进行测量，其不仅确保了钨栓塞层不会受到损坏，而且实现了基于纳米点针台对三维存储器位线电容的测量。
三维存储器电容测试方法

[发明专利]一种制备金属钨表面纳米多孔活性层的方法-CN201710976317.2有效
发明人：黄远;张洁;王祖敏;刘永长 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备金属钨表面纳米多孔活性层的方法，包括：对钨片表面进行打磨、去油和清洗等前处理；用氟化钠、氢氟酸配制电解液；以铂片作为阴极、前处理后钨片作为阳极，使电极浸没到电解液中，施加一定的电压进行阳极氧化，在钨片表面获得纳米多孔氧化层；清洗干燥后在退火炉中进行氢气还原退火，退火温度为600～700℃，保温时间为2～4h，随炉冷却后在金属钨表面获得了纳米多孔活性层。本发明工艺过程简单、可重复性好、成本低廉；所制备的金属钨表面纳米多孔活性层具有形状均匀、排列规整的纳米级多孔结构，大大地提高了金属钨的表面活性，同时该纳米多孔活性层仍然由钨金属构成，不改变表面成分，有助于钨金属材料的工业应用
金属钨多孔活性层表面纳米纳米多孔钨片制备退火电解液活性层前处理纳米级多孔结构阴极金属材料阳极表面活性工业应用工艺过程可重复性氢气还原清洗干燥随炉冷却阳极氧化电极规整浸没氟化钠氢氟酸退火炉钨金属氧化层铂片去油打磨保温配制清洗施加

[发明专利]制冷剂压缩机及制冷循环装置-CN200980108625.7有效
发明人：渡边哲永 -专利权人：东芝开利株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：一种制冷剂压缩机，在由工具钢形成的压缩机构部的滑动构件(13b)的表面依次形成有由铬的单一层形成的第一层(24)、由铬和碳化钨的合金层形成的第二层(25)、由含有钨和碳化钨中至少一种的无定形碳层形成的第三层(26)、不含金属但含碳和氢的无定形碳层形成的第四层(27)。第二层(25)的铬的含有率在第一层(34)侧比在第三层(26)侧高，碳化钨的含有率在第三层(26)侧比在第一层(24)侧高。此外，第三层(26)的钨或碳化钨的含有率在第二层(25)侧比在第四层(27)侧高。
制冷剂压缩机制冷循环装置

[实用新型]带有碳化钨表层的金属工件-CN200720186907.7无效
发明人：陈建国 -专利权人：陈建国
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有碳化钨表层的金属工件，属于一种带有高硬度、高耐磨、耐高温表层材料的金属工件。结构是在其断面上分为碳化钨层、金属与碳化钨接合相的熔融层、金属层。工件的碳化钨表层可以是平面或者是曲面；是工作面的全部表面或者是局部表面；是单层碳化钨与金属工件接合或者是碳化钨与金属相间的多层接合。这种带有碳化钨表层的金属工件其碳化钨表层与金属接合强度高，可以适应不同的工件表面形状，使用范围广泛，成本大大降低。
带有碳化表层金属工件

[实用新型]一种新型钨电极-CN200920129381.8无效
发明人：陈绍鸿;郑源泉 -专利权人：潮州市三江电子有限公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01J61/073 文献下载
摘要：本实用新型涉及到一种灯用钨电极，尤其涉及到一种具有镍膜层的新型钨电极。一种新型钨电极，包括电极基体，所述的电极基体为表面经过喷砂处理的钨棒(10)，钨棒(10)包括左端部和右端部，右端部电镀或烧结有一镍膜层(20)，于镍膜层(20)和钨棒(10)左端部(11)之间外侧包覆有玻璃封接层所述的镍膜层焊接设有导电线。其有益效果是：本实用新型采用钨棒局部镀(或烧结)镍形成焊接电极的工艺取代原来钨棒与镍棒碰焊形成电极的工艺，在保证产品各方面性能的前提下，减少金属镍的耗用，降低材料及加工成本，并提高了生产效率，使生产成本不到原来的
一种新型电极

[发明专利]金属钨表面高温抗氧化层及其制备方法-CN201510664159.8有效
发明人：张厚安;麻季冬;古思勇;付明;廉翼琼 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23C10/36 文献下载
摘要：本发明公开一种金属钨表面高温抗氧化层的制备方法，包括：将金属钨基材抛光至表面光滑平整，并对抛光表面进行去油脱脂处理；将处理后的金属钨基材埋入钼化渗剂，然后在惰性氛围中热处理，冷却后去除杂质，得到金属钨表面具有钨钼固溶体层的半成品；将所述半成品置于氮气气氛中进行热处理，冷却后去除杂质，得到金属钨表面为氮化钼和氮化钨涂层的预制体；以及将预制体埋入硅化渗剂中，然后在惰性氛围中热处理，冷却后去除杂质，得到金属钨基材表面为W‑Mo‑N‑Si系高温抗氧化层的成品。本发明还涉及一种通过上述方法获得的金属钨表面高温抗氧化层。
金属表面高温氧化及其制备方法

[发明专利]一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法-CN202110115626.7在审
发明人：彭翔;陈昊瑜;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，提供位于同一基底上的多个像素单元；相邻像素单元之间设有深沟槽；依次沉积高介电常数材料、抗反射层及二氧化硅以覆盖深沟槽的底部和侧壁，同时深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；在深沟槽中填冲满钨，并且深沟槽两侧的像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；对深沟槽两侧的像素单元上的钨层进行化学机械研磨，研磨去除一部分钨，保留部分钨层；对剩余的部分钨层进行回刻至露出像素单元上的二氧化硅为止；对深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小深沟槽顶部钨的尺寸。
一种改善图像传感器随机电报噪声图像均一方法

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010057982.3在审
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010716602.2有效
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]形成钨接触插塞的方法-CN202011429339.5在审
发明人：施晓东;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种形成钨接触插塞的方法，包括：提供一基底，其上具有一导体和一介电层；在所述介电层中形成一接触孔以至少部分地暴露所述导体；在所述接触孔的内表面上形成一阻障层；进行一原子层沉积(ALD)制作工艺，以在所述阻障层上沉积一钨晶种层；以及沉积一钨体层，以填充所述接触孔，形成所述钨接触插塞。
形成接触方法

[实用新型]一种适用于叠螺式污泥脱水机的螺旋轴叶片-CN201821928230.4有效
发明人：徐友和;王兵;陆峰 -专利权人：扬州普江环保科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C02F11/125 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于叠螺式污泥脱水机的螺旋轴叶片，在叶片顶面堆焊有镍基硬质焊条层,在镍基硬质焊条层表面超音速喷涂有碳化钨层。本实用新型采用这种结构，在碳化钨层下部堆焊有镍基硬质焊条层作为基体，防止基体过软导致碳化钨层的断裂，增加碳化钨层的使用寿命，在较长的时间保证螺旋轴叶片的耐磨性。
碳化钨层螺旋轴叶片焊条层镍基硬叠螺式污泥脱水机本实用新型堆焊超音速喷涂耐磨性使用寿命叶片顶面过软断裂保证

[发明专利]钨材料的原子层沉积-CN200810099485.9有效
发明人：阿米特·卡恩德尔沃尔;马德赫·穆特;阿维格尼诺斯·V·格拉托斯;吴凯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种用于沉积含钨材料的改进工艺。该工艺应用浸泡工艺和气相沉积工艺，诸如原子层沉积(ALD)以提供具有显著改善表面均匀性以及产量的含钨材料。在一个实施方式中，提供一种用于在衬底上形成含钨材料的方法，该方法包括在工艺腔室内放置衬底，其中该衬底包含沉积在其上的下覆层，在原子层沉积工艺期间将衬底顺序暴露于钨前驱物和还原气体以在下覆层上沉积钨成核层，其中还原气体包括约40∶1、100∶1、500∶1、800∶1、1000∶1或以上的氢气/氢化物流速比，以及在钨成核层上沉积钨块层。
材料原子沉积

[发明专利]存储器元件及其制作方法-CN201810408560.9有效
发明人：刘志建;张家隆;蔡函原;吴姿锦 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器元件及其制作方法，制作存储器元件的方法的步骤包含提供一具有多个电容的基底，其中该电容具有一下电极层、一绝缘层、一上电极层、以及一上电极板，在该上电极层上形成一钨层，对该钨层进行一等离子体氮化处理以形成一氮化钨层，以及在该氮化钨层上形成一金属沉积前介电层。
存储器元件及其制作方法

[发明专利]一种超薄钨膜包覆金刚石的制备方法-CN201210006236.7无效
发明人：李志强;谭占秋;范根莲;张荻 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明公开一种超薄钨膜包覆金刚石的制备方法，首先采用钨溶胶对经过表面粗化处理的金刚石进行包覆，在其表面形成一层钨溶胶薄膜，然后再进行氢热还原，从而获得超薄钨膜包覆的金刚石，且在钨膜与金刚石之间存在微量碳化钨过渡层，该过渡层有利于强化钨膜与金刚石的界面结合。本发明不但适用于金刚石颗粒，也适于其他形态：如片、膜或纤维状的金刚石超薄钨膜的制备；该方法对设备条件要求低，操作简单，所得的超薄钨膜分布均匀、厚度可调且与金刚石结合较好。
一种超薄钨膜包覆金刚石制备方法

[发明专利]三维NAND中的金属钨栅的制造方法-CN201711140467.6在审
发明人：顾立勋;郑晓芬;蒋阳波;汪亚军;吴良辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维NAND中的金属钨栅的制造方法，其特征在于方法包括提供衬底；在衬底上，沉积介质阻挡层；在介质阻挡层上，沉积种子层；在种子层上，沉积金属钨；对金属钨进行干法刻蚀；以及对干法刻蚀之后的金属钨进行湿法刻蚀本发明使用先干法刻蚀，再湿法刻蚀的技术对钨进行刻蚀，其中，干法刻蚀能够使得刻蚀之后凹槽中的金属钨的宽度变得更为一致，湿法刻蚀能够获得更好的刻蚀之后的金属栅的微观轮廓。
三维 nand 中的金属制造方法