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[实用新型]一种深紫外与可见光双波长LED封装结构-CN202023172316.9有效
发明人：李文涛;孟倩;陈琦;郭翔宇 -专利权人：南京同开环保科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：包括陶瓷基板、金属围坝、石英盖板、深紫外LED芯片、可见光LED芯片、上表面导电金属焊盘和下表面导电金属焊盘；所述的深紫外LED芯片、可见光LED芯片焊接在上表面导电金属焊盘，所述上表面导电金属焊盘和下表面导电金属焊盘通过导电柱连接，所述石英盖板位于金属围坝上部，所述金属围坝内壁与陶瓷基板呈一定倾斜角度。本实用新型提供了一种LED封装结构，通过采用带有倾斜角度的铝合金材质金属围坝作为封装的侧壁结构，来提高深紫外光的反射率。
一种深紫可见光波长 led 封装结构

[发明专利]多端子氮化镓功率晶体管-CN202180089113.1在审
发明人：吉尔伯托·库拉托拉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓(Gallium Nitride，GaN)功率晶体管(100、300、500、600)，包括：源极焊盘(S)；漏极焊盘(D)；第一栅极焊盘(G1)和第二栅极焊盘(GN)；多个单元块(101)，每个单元块包括源极区(120)、漏极区(130)和栅极区(110)；源极金属化层，所述源极金属化层使所述多个单元块(101)的所述源极区(120)与所述源极焊盘(S)接触；漏极金属化层(115)，所述漏极金属化层(115)使所述多个单元块(101)的所述漏极区(130)与所述漏极焊盘(D)接触；第一栅极金属化层，所述第一栅极金属化层使所述单元块(101)的第一部分的所述栅极区(110)与所述第一栅极焊盘(G1)接触；第二栅极金属化层，所述第二栅极金属化层使所述单元块(101)的第二部分的所述栅极区(110)与所述第二栅极焊盘(GN)接触。
多端氮化功率晶体管

[实用新型]一种灯珠支架、LED灯珠及LED灯具-CN201821174531.2有效
发明人：冯云龙;唐双文;叶仕安;肖永国 -专利权人：深圳市源磊科技有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种灯珠支架、LED灯珠及LED灯具，所述灯珠支架，包括塑胶支架，所述塑胶支架上部设置有用于放置LED芯片第一碗杯、第二碗杯、第三碗杯、第四碗杯、第五碗杯和第六碗杯，且每个碗杯底部分别设置有独立的第一金属焊盘、第二金属焊盘、第三金属焊盘、第四金属焊盘、第五金属焊盘和第六金属焊盘，由所述第一碗杯、第二碗杯、第三碗杯共用的第七金属焊盘和第四碗杯、第五碗杯、第六碗杯共用的第八金属焊盘，所述第一碗杯、第二碗杯和第三碗杯均放置白光
碗杯金属焊盘灯珠支架塑胶支架色温白光LED芯片红光LED芯片蓝光LED芯片绿光LED芯片本实用新型可控色域

[实用新型]后焊焊盘-CN200920204437.1有效
发明人：袁天龙;刘建伟;代乔华 -专利权人：深圳和而泰智能控制股份有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型提供一种后焊焊盘，包括导电金属、过孔和防焊条，该过孔设置在该导电金属中间，该防焊条以该过孔为中心均匀间隔设置。上述后焊焊盘的加工成本低、可焊性高，焊盘覆着力增强，可靠性高，器件受力平行、美观，还可以节约焊料。
后焊焊盘

[发明专利]用于移动终端的印刷电路板及其焊盘表面处理方法-CN201410850745.7在审
发明人：黄成树 -专利权人：上海创功通讯技术有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于移动终端的印刷电路板，其包括有若干焊盘，所述焊盘上设置有一有机金属保护层。本发明还提供一种用于移动终端印刷电路板的焊盘表面处理方法，其包括有以下步骤：S1、对焊盘表面进行脱脂处理；S2、对所述焊盘表面进行化学微蚀；S3、将所述焊盘表面浸渍于前驱物溶剂经8～24小时后取出；S4、将金属醇盐溶液涂覆于所述焊盘表面；S5、对印刷电路板进行电测。通过金属盐溶液反应生产可以导电的有机金属保护层在保护焊盘表面的同时，将电测程序后置，使得良品率更易管控，同时简化了工艺流程、降低了生产成本和时间。
用于移动终端印刷电路板及其表面处理方法

[实用新型]双色COB光源-CN202222446512.3有效
发明人：毛小荣;杨亮 -专利权人：广州市晶鑫光电科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请公开了一种双色COB光源，包括金属基板、第一色LED芯片组、第二色LED芯片组、第一电源正极焊盘、第一电源负极焊盘、第二电源正极焊盘、第二电源负极焊盘；所述第一色LED芯片组按圆形排列设置于所述金属基板正中间；所述第二色LED芯片组按圆环形在所述第一色LED芯片组外围设置于所述金属基板上；所述第一色LED芯片组与所述第一电源正极焊盘、所述第一电源负极焊盘之间电性连接；所述第二色LED芯片组与所述第二电源正极焊盘、所述第二电源负极焊盘之间电性连接，以此实现可灵活控制的双色发光效果。
双色 cob 光源

[实用新型]芯片封装结构-CN201220586931.0有效
发明人：林仲珉;石磊;吴晓纯 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部；位于所述球下金属电极表面的焊球。本实用新型的芯片封装结构的球下金属电极和焊球之间的附着力强，可靠性高。
芯片封装结构

[实用新型]一种方形扁平无引脚封装-CN201920913202.3有效
发明人：郭峻诚;田德文;宋青林 -专利权人：青岛歌尔微电子研究院有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种方形扁平无引脚封装，框架包括位于中部区域的中部焊盘，以及环绕中部焊盘设置的导电焊盘，还包括支撑焊盘；芯片设置在中部焊盘上；金属盖板位于芯片的上方，且通过支撑腿支撑在所述支撑焊盘上；还包括将框架、芯片、金属盖板封装在一起的封装层，封装层填充到框架、芯片、金属盖体之间的缝隙中。本实用新型的封装，芯片发出的大部分热量依然通过中部焊盘散出；芯片发出的部分热量可以通过金属盖板向上散发出来，从而提高了整个封装的散热能力。
焊盘芯片金属盖板封装本实用新型封装层支撑方形扁平无引脚封装导电焊盘金属盖体散热能力中部区域支撑腿填充环绕散发

[发明专利]半导体封装装置-CN202111188896.7在审
发明人：陈昭丞;张皇贤;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该半导体封装装置包括：线路层，表面设置有焊盘，焊盘表面设置有金属粒子层；电子元件，设置于线路层上，主动面通过打线与焊盘电连接，打线的一端键合至金属粒子层上。通过在金属粒子层上键合打线的一端，降低了打线与焊盘电连接时的键合温度，进而改善因打线与焊盘直接结合时的键合温度软化线路层介电材料导致的焊盘下陷的问题。
半导体封装装置

[发明专利]着陆焊盘的制造方法-CN202011424630.3在审
发明人：田范焕;梁时元;丁明正;贺晓彬;刘强;高建峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种着陆焊盘的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成金属导电层；在金属导电层上形成若干个焊盘引导间隔件；以若干个焊盘引导间隔件为引导图案，在引导图案上使用自组装嵌段共聚合物材料形成焊盘刻蚀掩模，使用焊盘刻蚀掩模来刻蚀金属导电层。申请实施例将自组装嵌段共聚合物材料应用在着陆焊盘的制造过程中，减少了工艺步骤，提高了工艺效率。
着陆制造方法

[实用新型]CSPLED封装结构-CN201621451608.7有效
发明人：林书弘 -专利权人：深圳市科艺星光电科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开一种CSP LED封装结构，其中，CSP LED封装结构包括芯片本体、焊盘、封装胶及金属片；焊盘设于所述芯片本体的一面，且所述焊盘为所述芯片本体的电极；封装胶包裹所述芯片本体，所述封装胶具有暴露所述焊盘的开口；金属片设于所述焊盘背对与所述芯片本体连接的一面，且所述金属片的面积大于所述焊盘的面积。
cspled 封装结构

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN200510077880.3无效
发明人：浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-06-13 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种化合物半导体装置及其制造方法，以往在化合物半导体装置中，在焊盘电极下设有栅极金属层，但在采用埋入栅极电极结构的情况下，焊盘电极下层的栅极金属层硬化，引线接合时多有不良产生。本发明的化合物半导体装置在HEMT中不设置栅极金属层，仅由焊盘金属层形成焊盘电极。焊盘电极下方设置高浓度杂质区域，将焊盘电极直接固定在衬底上。由于可利用高浓度杂质区域确保规定的绝缘，故由不要和现有同样的氮化膜的结构，可进一步避免栅极金属层硬化造成的引线接合时的不良。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有用于金属丝键合的倾斜金属端子的引线框架-CN201380050180.8无效
发明人： K·哈亚塔;M·勾图;S·优杰 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种装配半导体器件的方法(100)包括将溶剂中包括金属颗粒的金属糊料分配(101)到引线框架的多个金属端子的键合区域上。所述分配在键合区域上方提供变化的厚度。所述溶剂被蒸发(102)以形成包括第一倾斜顶面和第二倾斜顶面的倾斜金属涂层。第一倾斜顶面与第二倾斜顶面相比更靠近管芯焊盘，第二倾斜顶面随着减小到管芯焊盘的距离而增加涂层厚度，并且第一倾斜顶面随着减小到管芯焊盘的距离而减小涂层厚度。包括多个顶侧键合焊盘的半导体管芯的底侧附连(103)到管芯焊盘。键合金属丝被连接(104)在键合焊盘和第二倾斜顶面之间。
具有用于金属丝倾斜金属端子引线框架

[发明专利]芯片封装方法-CN201210444096.1有效
发明人：林仲珉;石磊;吴晓纯 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种芯片封装方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；在所述金属焊盘上形成球下金属电极，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部；在所述球下金属电极表面形成焊球。
芯片封装方法

[实用新型]滤波阵列板及其柔性印制板-CN201020287176.7无效
发明人：陈国强 -专利权人：中航光电科技股份有限公司
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种滤波阵列板及其柔性印制板，柔性印制板的顶、底层金属箔上均设有导电布线、接触件穿孔、焊盘、接地部分，柔性印制板上具有第一、第二组接触件安装孔，将顶层金属箔上的用于焊接一个贴片电容的两个焊盘定义为第一、二焊盘，顶层金属箔的导电布线导通连接设于：第一焊盘与第一组接触件安装孔所对应的一个接触件穿孔之间、第二焊盘与接地部分之间；将底层金属箔上的用于焊接一个贴片电容的两个焊盘定义为第三、四焊盘，底层金属箔的导电布线导通连接设于：第三焊盘与第二组接触件安装孔所对应的一个接触件穿孔之间、第四焊盘与接地部分之间。
滤波阵列及其柔性印制板