专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种固晶位灵活的LED支架、LED器件及LED模组-CN201621300217.5有效
  • 刘晓锋;谢宗贤;范凯亮;刘艳;刘传标 - 佛山市国星光电股份有限公司
  • 2016-11-30 - 2017-09-19 - H01L33/48
  • 一种固晶位灵活的LED支架、LED器件及LED模组,包括金属支架和包裹该金属支架的杯罩;所述金属支架包括嵌入杯罩内的金属引脚;所述杯罩中设置于所述金属引脚顶部的部分为反射杯;所述反射杯设有一中空内腔,所述金属引脚位于所述中空内腔的底面的部分为,所述由绝缘的河道划分为固晶线,所述固晶的形状由位于其两侧的所述河道所限定,所述固晶的中部的宽度小于其两端的宽度。本实用新型通过设置一形状为中间窄两端宽的固晶,使体积较大的芯片可以灵活固定在固晶的任意一端上,各LED芯片的位置可根据生产需要调整,减少生产中由于LED芯片位置摆放错误导致的产品批量报废,也使线方式更灵活
  • 一种固晶位灵活led支架器件模组
  • [实用新型]屏蔽型SMD电感器-CN201620467437.0有效
  • 朱锦良 - 江苏泰昌电子有限公司
  • 2016-05-19 - 2016-11-30 - H01F27/24
  • 本实用新型公开了屏蔽型SMD电感器,包括骨架、磁芯、绕制组和金属,所述骨架为上下开口柱形结构且骨架内容置有磁芯,所述磁芯的上表面通过磁胶与骨架的上端连接,所述磁芯的下表面通过金属与骨架的下端相连所述绕制组为漆包圆线绕制组,所述磁芯包括第一磁芯和第二磁芯,该第一磁芯和第二磁芯组成形成五面闭合体,该第二磁芯分别位于第一磁芯的上、下表面,所述骨架内壁与磁芯之间设有走线槽,该走线槽依次分布在骨架四端上,所述金属包括第一金属和第二金属,且第一金属与第二金属之间设有间隙,位于走线槽内的绕制组引出端分别于金属连接,替代传统采用扁平线绕制的方法,降低产品成本。
  • 屏蔽smd电感器
  • [发明专利]横向功率半导体器件-CN202211566422.6在审
  • 斯特凡诺·达尔卡纳莱;亚当·布朗;吉姆·帕金 - 安世有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-06-09 - H01L29/417
  • 本发明涉及一种横向功率半导体器件,包括:源极区域,其形成在器件的金属层中;漏极区域,其与源极间隔开并形成在器件的该金属层中;多个导电指状物,其形成在器件的另一金属层中,并且包括:多个平行的源极指状物,其联接到源极区域并从源极区域朝向漏极区域延伸至漏极区域下方,以及多个平行的漏极指状物,其与多个源极指状物隔离,并且联接到漏极区域并从漏极区域朝向源极区域延伸至源极区域下方,漏极指状物叉指式布置在源极指状物之间;漏极区域包括分别与多个漏极对应的多个漏极指状物,其中多个漏极通过与延伸到漏极区域下方的源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。
  • 横向功率半导体器件
  • [发明专利]CMP工艺制作的方法-CN201510939852.1在审
  • 冯光建 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2015-12-16 - 2016-05-04 - H01L21/48
  • 本发明提供一种CMP工艺制作的方法,包括下述步骤:提供晶圆,在晶圆正面用光刻和刻蚀工艺制作RDL线槽;在晶圆正面用光刻和刻蚀工艺制作槽,槽一端与RDL槽连接;槽比RDL槽浅;在晶圆正面沉积底层绝缘层;在晶圆正面的底层绝缘层上镀金属层,金属层的厚度超过槽的开槽深度,但低于RDL线槽的开槽深度;在金属层上沉积上层绝缘层;通过CMP工艺对晶圆正面进行研磨,露出槽中的金属;晶圆表面的CMP研磨停止于金属层下的底层绝缘层上本发明制作出的表面与晶圆正面的绝缘层表面处于同一平面,甚至略高于绝缘层表面,为后续的焊接工艺提供了方便。
  • cmp工艺制作方法
  • [发明专利]半导体失效检测结构及形成方法、检测失效时间的方法-CN201110397650.0有效
  • 陈芳;张莉菲 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2011-12-02 - 2013-06-05 - H01L23/544
  • 一种导体失效检测结构以及形成方法和检测方法,所述检测结构包括:基底,所述基底具有核心器件区和外围器件区,所述核心器件区的基底上具有分立的第一金属层和待测金属层,通过待测导电插塞相互连接;所述外围器件区的基底上具有若干重叠排布的测试和若干加载并通过贯通介质层内的测试导电插塞和加载导电插塞进行连接;在待测金属层的同一层具有金属层,所述金属层通过测试导电插塞和加载导电插塞分别与测试、加载连接,所述金属层通过至少两个顶层导电插塞与第一金属层连接。所述检测结构能够在不破坏标准盘结构以及不扩大设计区域面积的情况下,提高电迁移检测的准确性。
  • 半导体失效检测结构形成方法时间
  • [实用新型]一种侧发光SMD支架-CN202220260368.1有效
  • 李爱荣 - 广东品美电子科技有限公司
  • 2022-02-09 - 2022-07-26 - H01L33/62
  • 本实用新型公开了一种侧发光SMD支架,包括塑胶主体,以及镶嵌在塑胶主体内部的两个金属,塑胶主体设置为矩形体,塑胶主体设置有杯状反光部,杯状反光部包括有杯口、杯壁和杯底,杯底设置有金属,两个金属之间设置有绝缘部,金属包括一和二,一和二沿杯状反光部相反的方向分别向外折弯延伸出脚一和脚二,脚一和脚二均呈“L”字形状,脚一和脚二呈相对设置,塑胶主体的其中三个侧面被包围在脚一和脚二围成的空间内,脚一和脚二分别有一边设置在塑胶主体的同一个侧面内,且中间留有间隔空位。通过在SMD支架的侧面设置两个“L”字脚,使其既可以正面还可以侧面于铝基板上,使用更灵活。
  • 一种发光smd支架
  • [发明专利]图像传感器及形成方法-CN202211353191.0在审
  • 孙玉鑫;陈林 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-01-31 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及形成方法,在衬底上形成若干金属之后,采用自对准工艺,于至少部分金属表面形成金属保护层。WAT测试之时,暴露WAT测试用金属以WAT测试而保留剩余金属盘上的所述金属保护层以避免后续光学器件制程对其的影响,或者,测试探针可以直接穿过金属保护层和/或介质层与WAT测试用金属电连接,从而节省光罩在光学器件制程之中或CP测试结果不符合预设规格需要返工时,通过自对准工艺在暴露的金属表面形成金属保护层,避免需要额外的光罩以于其上形成有机保护层,在节省光罩的同时,简化工艺步骤。
  • 图像传感器形成方法

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