“通孔器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果12618361个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]液压通孔式离合助力器-CN202021141204.4有效
发明人：陈灵刚;刘叶芝;韩伟玉;刘叶勇 -专利权人：玉环奥恒机械有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： F15B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了液压通孔式离合助力器，属于机械技术领域。它解决了现有的助力缸中油液流通量小的问题。本液压通孔式离合助力器，包括缸体、内端伸入所述缸体内的推杆以及设置于所述缸体内的活塞，所述缸体侧部还贯穿开设有进油口、出油口和回油口，缸体内还设置有呈筒状的座体，所述座体设置于所述活塞和回油口之间，且座体内孔与所述回油口相连通，所述活塞内具有过流腔，所述活塞的侧部贯穿开设有将所述进油口和过流腔相连通的进油孔，所述活塞朝向所述座体的一端具有伸出呈筒状的穿设部，所述穿设部朝向座体的一端伸入所述座体内，且穿设部的内孔将所述过流腔和座体内孔相连通本液压通孔式离合助力器具有流通量大的优点。
液压通孔式离合助力器

[实用新型]一种通孔双面倒角器-CN202021173725.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：淮北创之社信息科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B24B9/04 文献下载
摘要：本实用新型一种通孔双面倒角器公开了一种能够同时对板材的上下面进行倒角，无需翻倒工件，省时省力的通孔双面倒角器，其特征在于电机置于主握持架上，电机的电机轴穿过主握持架，电机的电机轴和主握持架之间设置有轴承
一种双面倒角

[实用新型]LTCC无通孔带通滤波器-CN202121420731.3有效
发明人：李凯 -专利权人：苏州希拉米科电子科技有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LTCC无通孔带通滤波器，包括：位于第一电路层的第一极板，位于第二电路层的第二极板，位于第三电路层的第三极板，位于第四电路层的第四极板和第一微带线，位于第五电路层的第五极板，位于第六电路层的第六极板和第二微带线本实用新型的LTCC无通孔带通滤波器，是小型化封装的带通滤波器，且无过孔设计，整个叠层设计成不用通孔互联，结构简单，且滤波器采用2阶的设计，在带外形成传输零点，可达到带外高抑制的要求。
ltcc 无通孔带通滤波器

[实用新型]带有冷却通孔的熔断器-CN202122237580.4有效
发明人：程瑜;郭婧怡;李琳;屈智云;曾美荣;童艳莹;顾子涵 -专利权人：赫森电气（无锡）有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01H85/47 文献下载
摘要：带有冷却通孔的熔断器，包括熔管、熔体、触头、端盖、冷却液通孔管头、灭弧填料、封口塞、紧固螺钉，熔断器与目前市场上常见的熔断器相比，最显著的特征就是将熔管中心位置沿长度设置为空腔，贯穿整个熔管，做为冷却液通孔，并在冷却液通孔两边安装有冷却液管头，安装使用时，在管头两边安装上冷却管，启动冷却液阀门，冷却液流过熔管管体中心设置的冷却液通孔，将熔断器在使用过程中因通电而传导、散发、辐射到熔管管体上的热量带走，达到降低熔断器运行温度的目的，可以有效克服熔断器承受线路上通过大电流、高电压差的负载情况下的因为发热，持续高温影响加到加装熔断体的壳体和熔断器的使用寿命问题。
带有冷却熔断器

[实用新型]高孔密全通径射孔器-CN200620065689.7无效
发明人：刘良跃;邓建明;马英文;刘鹏;张晓诚;郭美华;楚华杰;徐德昭;陈宇;重成兴;唐其林 -专利权人：中国航天科技集团公司川南机械厂;中海石油(中国)有限公司天津分公司
申请日： 2006-10-17 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： E21B43/116 文献下载
摘要：一种高孔密全通径射孔器，全通径射孔枪双公、公母枪接头连接在夹层枪的两端，夹层枪定位盘组件直接固定在全通径射孔枪双公、公母枪接头上，且夹层枪定位盘组件上设置有削弱槽；导爆索穿过夹层枪定位盘与止退管，装入传爆管本全通径射孔器射孔孔密高，穿深长、孔径大，射孔后从起爆装置、枪身串联接头、枪管内腔一直到枪尾，形成与油管内径相同的平滑流畅通道，可直接进行测井、测试、酸化等后续作业；且射孔时可不用压井，避免地层污染，缩短作业周期
高孔密全通径射孔器

[实用新型]通孔宝石轴承计度(数)器-CN89206336.X无效
发明人：蔡成功;尹泮志 -专利权人：哈尔滨市精密计数器厂
申请日： 1989-04-17 - 公布日： 1990-09-26 - 主分类号： G01D11/02 文献下载
摘要：本装置属于机械式字轮宝石轴承结构的计度(数)器，主要用于电流量、液体流量与气体流量的累计显示装置。本装置的特征是计度(数)器弯架轴孔采用镶嵌内孔为直线或弧线形通孔宝石轴承，提高精度等级，减少摩擦力矩，延长使用寿命。
宝石轴承

[实用新型]电磁式通孔检测器-CN88202284.9无效
发明人：龚坚 -专利权人：龚坚
申请日： 1988-03-25 - 公布日： 1989-03-22 - 主分类号： B23B49/00 文献下载
摘要：一种电磁式通孔检测器，采用置于钻床工作台面板底部的永磁铁芯线圈获取信号。调整被钻孔件底面与检测线圈之间的距离可以使线圈在被测钻头穿透孔之后检出电信号，具有小信号放大——抗干扰电路和数值监控电路。检测精度高，无机械运动部件，能够用数字和音频讯号监控钻孔操作过程，使用方便，适用于检测印刷电路板等非铁磁质材料的被钻通孔数，可以提高工作效率和产品质量。
电磁式检测器

[发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
发明人：侯珏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺，用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，工作步骤如下：步骤A1，向磁控溅射设备中通入工艺气体；步骤A2，用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积；步骤A3，用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积，重复步骤A2和A3，直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀，且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺，工艺设计简单合理，通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积，提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，可以完美的支持后续的电镀工艺，提高产能。
硅通孔深孔填充工艺

[发明专利]桌脚架安装孔通孔装置-CN201911278343.3有效
发明人：王峰 -专利权人：平湖市喜峰达金属制品有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了桌脚架安装孔通孔装置，包括有安装台和固定在安装台上的钻孔机，钻孔机包括有样品台和设于样品台上方的钻头座，钻头座上安装有弹性塑料钻头，弹性塑料钻头竖直朝下正对样品台，样品台上固定有滑轨，滑轨上安装有沿滑轨滑动的滑杆本发明的桌脚架安装孔通孔装置，能够快速、高效的对桌脚架进行通孔，去除安装孔中的喷塑材料。具有操作简单、使用方便、能够适应不同规格的桌脚架等优点。
脚架安装孔通孔装置

[发明专利]通孔的检测方法及用于通孔的检测系统-CN202110267054.4在审
发明人：张建;张璇;孔维夷 -专利权人：中国航发商用航空发动机有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01J5/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的检测方法及用于通孔的检测系统，用于对物体上的通孔进行检测，检测方法包括以下步骤：将待测物体固定，并使待测物体上的通孔的两端的开口分别位于两个互不影响的区域，分别记为第一区域和第二区域；在第一区域内设置红外摄像装置，并使通孔在第一区域内的开口位于红外摄像装置的拍摄范围内，向第二区域内释放温度不同于第二区域的环境温度和待测物体的温度的气体，并使气体通过通孔向第一区域内流动，通过红外摄像装置采集气体从通孔内流出时的红外图像；对红外摄像装置采集的红外图像进行处理和分析，判断通孔是否满足要求。本发明采用上述检测方法对物体上的通孔进行检测时，检测效率高，避免对被测物体表面造成损伤。
检测方法用于系统

[发明专利]通孔电阻测试结构与测试通孔电阻的方法-CN202210642551.2在审
发明人：王志强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种通孔电阻测试结构与测试通孔电阻的方法。该测试结构包括N个通孔；N+1层叠置的金属线，相邻两层金属线之间通过通孔连接；N+3个测试焊垫，其中，两个测试焊垫分别连接在其中两层金属线各自长度方向的第一端，其余测试焊垫一一对应地与各金属线的长度方向的第二端采用N+3个测试焊垫实现对N个通孔的电阻的测量，节省了测试焊垫的数量，进一步地节省了晶圆面积，节省成本。
电阻测试结构方法

[发明专利]硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构-CN202080103632.4在审
发明人：李珩;张晓东;胡天麒;戚晓芸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请提供一种硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构。该制备方法包括：提供晶圆，该晶圆包括衬底层、介质层和金属层；从衬底层的第二侧形成贯穿衬底层的导通孔，该导通孔停止在金属层上；从衬底层的第二侧形成凹孔；在衬底层的第二侧的表面、导通孔内和凹孔内沉积金属；对金属进行研磨，以去除衬底层的第二侧的表面上的除导通孔和凹孔之外的区域上的金属。本申请中凹孔的设置能够使得在衬底层上没有导通孔的地方增加金属，有助于在研磨过程中金属尽可能地均匀分布，从而有助于提高研磨工艺的一致性和可靠性。另外，本申请中导通孔对应的TSV可以不是TSV array，因而够根据产品需要，灵活地设计TSV图案，增大工艺窗口。
硅通孔结构制备方法

[发明专利]硅通孔测试结构以及硅通孔短路测试方法-CN202210247673.1在审
发明人：张家瑞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开提供一种硅通孔测试结构以及硅通孔短路测试方法。硅通孔测试结构包括：多个硅通孔组，硅通孔组包括多个电连接的硅通孔；与多个硅通孔组连接的电源电路，电源电路用于向每个硅通孔组提供第一电压或第二电压，第一电压和第二电压不同；控制电路，连接电源电路，并向电源电路提供第一控制信号和第二控制信号，电源电路根据第一控制信号对至少一个硅通孔组输出第一电压，电源电路根据第二控制信号对至少一个硅通孔组输出第二电压；读出电路，电连接多个硅通孔组，被配置为在控制电路提供第一控制信号和第二控制信号后，读取多个硅通孔组上的电信号本公开实施例可以检测到出现短路的硅通孔组，提高集成电路的产品良率。
硅通孔测试结构以及短路方法

[发明专利]硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法-CN201310438705.7有效
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法。所述硅通孔填充结构包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一金属层，填充在所述硅通孔内；塑性材料层，位于所述第一金属层的侧壁上；第二金属层，填充于塑性材料层内。本发明提供的硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法中，通过设置具有塑性变形能力的塑性材料层，从而可以同时吸收第一金属层和第二金属层的应力，以在保证硅通孔导电能力的同时，提高硅通孔中第一金属层与半导体衬底的粘附性
硅通孔填充结构以及方法

[发明专利]检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法-CN201310286389.6有效
发明人：范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，包括：实现N阱中布置PMOS器件的结构；在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩，其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩；利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻，并且部分蚀刻第二介电层；去除硬掩膜蚀刻光罩，并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中进行填充；利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻，直到部分地蚀刻第一介电层，去除通孔蚀刻光罩；去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料；执行蚀刻，直到蚀刻透阻挡层。
检测蚀刻不足缺失缺陷方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top