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[发明专利]一种Co/氧化物介质混合键合方法-CN202211730055.9在审
发明人：王晨曦;戚晓芸;马岩;牛帆帆;田艳红 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种Co/氧化物介质混合键合方法，该方法包括：将含有Co电极和氧化物介质的样品进行多元等离子活化处理，得到待键合样品，其中，所述多元等离子活化处理使用的等离子气体包括至少三种气体；将所述待键合样品对准贴合后进行热压键合，得到Co/氧化物介质混合键合样品。本发明提供的Co/氧化物介质混合键合方法，能够同时实现Co‑Co、氧化物介质‑氧化物介质及Co‑氧化物介质的无凸点混合键合，避免含有机酸的湿法清洗环节及界面有机物的残留，提升界面的可靠性，可实现微小节距下混合键合，为低延迟、低功耗、高带宽、高密度三维集成提供了技术支持。
一种 co 氧化物介质混合方法

[发明专利]硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构-CN202080103632.4在审
发明人：李珩;张晓东;胡天麒;戚晓芸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请提供一种硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构。该制备方法包括：提供晶圆，该晶圆包括衬底层、介质层和金属层；从衬底层的第二侧形成贯穿衬底层的导通孔，该导通孔停止在金属层上；从衬底层的第二侧形成凹孔；在衬底层的第二侧的表面、导通孔内和凹孔内沉积金属；对金属进行研磨，以去除衬底层的第二侧的表面上的除导通孔和凹孔之外的区域上的金属。本申请中凹孔的设置能够使得在衬底层上没有导通孔的地方增加金属，有助于在研磨过程中金属尽可能地均匀分布，从而有助于提高研磨工艺的一致性和可靠性。另外，本申请中导通孔对应的TSV可以不是TSV array，因而够根据产品需要，灵活地设计TSV图案，增大工艺窗口。
硅通孔结构制备方法

[发明专利]一种在可降解金属表面制备聚多巴胺涂层的方法-CN202011227585.2有效
发明人：王晨曦;周诗承;方慧;戚晓芸;田艳红;杭春进 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B05D7/14 文献下载
摘要：本发明提供一种在可降解金属表面制备聚多巴胺涂层的方法，包括如下步骤：将可降解金属浸泡于多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中，持续向所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中通入空气，并用真空紫外光照射所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液，照射完后，将所述可降解金属取出，经清洗和干燥后，得到表面包覆聚多巴胺涂层的可降解金属。采用本发明的方法在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中产生大量的活性氧基团，加速了多巴胺的氧化聚合反应，从而实现了聚多巴胺涂层在可降解金属表面的快速聚合沉积，大大降低了可降解金属在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中浸泡的时间，解决了在可降解金属表面难以直接沉积聚多巴胺涂层的问题。
一种降解金属表面制备多巴胺涂层方法

[发明专利]芯片堆叠结构、制作方法及电子设备-CN202080098022.X在审
发明人：李珩;张晓东;王思敏;戚晓芸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种芯片堆叠结构、制作方法及电子设备，包括：第一芯片和第二芯片；该第一芯片的第一表面和该第二芯片的第二表面相对，其中，该第一芯片的第一表面上设有多个焊盘，该第二芯片的第二表面上设有多个电连接件，该焊盘与该电连接件一一焊接；相邻该焊盘之间设有隔离部件，该隔离部件的高度小于或等于该电连接件的高度，其中，该电连接件与该焊盘之间的缝隙中填充有焊料。由此，通过设置隔离部件，可以避免电连接件与焊盘焊接时焊料被融化之后流动造成的短路。同时可以在电连接件与焊盘连接时采用更多的焊料，或焊接时采用更大的压力或焊接更长时间，提高了制造良率。
芯片堆叠结构制作方法电子设备

[发明专利]电子设备、芯片封装结构及其制作方法-CN202080096746.0在审
发明人：李珩;张晓东;戚晓芸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种电子设备、芯片封装结构及其制作方法；其中，芯片封装结构包括第一芯片(10)、转接板(20)以及位于第一芯片(10)和转接板(20)之间的至少一个电连接件(30)，电连接件(30)的两端分别与第一芯片(10)和转接板(20)电连接；还包括：位于第一芯片(10)和转接板(20)之间且围设在电连接件(30)外周的高导热介质(40)，高导热介质(40)的一端与第一芯片(10)接触，以实现对第一芯片(10)以及电连接件(30)的有效散热，从而可提高芯片封装结构的集成度，高导热介质(40)与电连接件(30)之间设置绝缘层(50)，绝缘层(50)用于将高导热介质(40)与所述电连接件(30)隔开，以避免电连接件(30)上的电流扩散至高导热介质(40)上而造成漏电的情况，从而不仅确保了第一芯片(10)与转接板(30)之间的导通稳定性，而且不会对芯片封装结构外部的元器件造成电信号的干扰。
电子设备芯片封装结构及其制作方法

[发明专利]封装结构及其制备方法和电子设备-CN202080096220.2在审
发明人：李珩;张晓东;王思敏;戚晓芸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种封装结构(20)及其制备方法和电子设备(100)。所述封装结构(20)包括第一重布线层(21)和第一芯片(22)，所述第一重布线层(21)包括第一金属线路(212)和与所述第一金属线路(212)连接的第一导热件(213)，所述第一导热件(213)至少部分露出所述第一重布线层(21)的顶面(214)，所述第一芯片(22)的背面一侧设于所述顶面(214)，并与所述第一导热件(213)连接。提供的所述封装结构(20)具有很好的散热效果。
封装结构及其制备方法电子设备

[发明专利]一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法-CN202110645471.8有效
发明人：王晨曦;戚晓芸;闫寒;周诗承;陈航;康秋实;田艳红 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。
一种基于莫尔条纹晶圆键合对准系统方法

[发明专利]一种芯片堆叠结构及其制作方法-CN201980102829.3在审
发明人：张晓东;李珩;王思敏;戚晓芸;王正波;牛瑞 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种芯片堆叠结构及其制作方法，其中，该芯片堆叠结构包括第一晶圆(100)和第二晶圆(200)，第一晶圆(100)的第一再布线层(130)设置有裸露的第一键合盘(133)，第一晶圆(100)的第一再布线层(130)和第一键合盘(133)与第二晶圆(200)的无源面(220)直接键合连接，不需要在键合表面制备额外的介电层，减小了第一晶圆(100)和第二晶圆(200)堆叠之后的厚度，使芯片封装后的尺寸更小，更轻薄。并且，第一晶圆(100)和第二晶圆(200)直接堆叠后的热阻更小，提高了芯片的散热性能。另外，第二晶圆(200)还设置有与第一键合盘(133)连接的硅通孔(233)，使得第一晶圆(100)和第二晶圆(200)可以通过硅通孔(233)直接电气互连，连接可靠性高。所提供的用于制作上述芯片堆叠结构的方法，工艺步骤简单，并且不会存在刻蚀选择比的问题，可实现性大大提高。
一种芯片堆叠结构及其制作方法

[发明专利]一种多步协同表面活化低温混合键合方法-CN202010113428.2有效
发明人：王晨曦;康秋实;周诗承;鲁添;何洪文;李珩;戚晓芸;胡天麒 -专利权人：哈尔滨工业大学;华为技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu‑Cu、SiO2‑SiO2以及Cu‑SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
一种协同表面活化低温混合方法

[发明专利]一种多芯片堆叠封装及制作方法-CN201980100933.9在审
发明人：李珩;张晓东;王思敏;戚晓芸;王正波;牛瑞;伍青青 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种多芯片堆叠封装及制作方法，涉及芯片技术领域，能够解决多芯片的应力集中问题，能够以进行更多层芯片的堆叠。该多芯片堆叠封装包括：沿第一方向堆叠设置的第一芯片(101)和第二芯片(102)，其中所述第一芯片(101)内沿所述第一方向开设有第一导电通孔(31)，所述第二芯片(102)内沿所述第一方向开设有第二导电通孔(32)；设置于所述第一芯片(101)和所述第二芯片(102)之间的第一再布线层(21)，且所述第一再布线层(21)的两侧分别与所述第一芯片(101)的表面和所述第二芯片(102)的表面固定，其中所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)通过所述第一再布线层(21)导通，所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)错开设置。所述多芯片堆叠封装及制作方法用于芯片的制造。
一种芯片堆叠封装制作方法

[发明专利]一种利用水蒸气预处理表面的等离子体活化直接键合方法-CN201810380619.8有效
发明人：王晨曦;许继开;康秋实;聂啸;卢达洲;吴斌;戚晓芸;田艳红 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用水蒸气预处理表面的等离子体活化直接键合方法，所述方法具体实施步骤如下：一、将待键合的石英玻璃置于水蒸气处理装置的样品台上进行水蒸气处理；二、采用等离子体对水蒸气处理后的石英玻璃进行活化；三、将等离子体活化后的石英玻璃进行贴合，并在室温大气环境下静置；四、将贴合后的石英玻璃进行保温。本发明在等离子体活化前采用水蒸气对石英玻璃进行处理，相比于单一的等离子体活化，在相同的退火温度和退火时间下，能够大幅度地提高石英玻璃和石英玻璃间的键合强度。
一种利用水蒸气预处理表面等离子体活化直接方法

[发明专利]一种基于表面处理的镁合金与丝素蛋白连接方法-CN201810667795.X有效
发明人：王晨曦;戚晓芸;孙亚汝;鲁添;王岩松 -专利权人：哈尔滨工业大学;哈尔滨医科大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： A61L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面处理的镁合金与丝素蛋白连接方法，所示方法按照以下步骤实现镁合金与丝素蛋白之间的连接：镁合金表面机械抛光→镁合金表面化学抛光及清洗→镁合金表面等离子体或短波长光处理→丝素蛋白溶液涂覆于镁合金表面→干燥处理。本发明在不引入生物毒性物质及不改变镁合金性能的情况下，实现丝素蛋白与镁合金的牢固结合，有效减缓镁合金降解速率，在众多镁合金表面改性以及采用硅烷偶联剂连接丝素蛋白与镁合金的方法中具有很大优势。
一种基于表面处理镁合金丝素蛋白连接方法

[发明专利]一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置-CN201710420121.5有效
发明人：王晨曦;许继开;戚晓芸;籍晓亮;刘艳南;田艳红;王春青 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置，属于键合强度测量领域。拉伸夹持棒一端与晶片存储槽外侧底面中部固接，晶片存储槽的槽侧壁的顶端设有一个直角横梁，直角横梁水平梁与晶片存储槽的槽侧壁的顶端连接为一体，直角横梁的竖直梁设置在晶片存储槽的槽口内。本发明通过对长方形晶片进行交叉十字键合，利用施加力的大小、施加力的位置、晶片的厚度、晶片的宽度以及晶片的抗拉强度之间存在确定的理论关系，寻找特定的施力位置和施力大小，根据施力大小和断裂位置计算键合强度的大小，若施加的拉力F≥σ_b·b²，且断裂位置为晶片或键合区域的边缘，则键合强度σ≥σ_b；若施加的拉力F＜σ_b·b²，且断裂位置为键合界面处，则键合强度σ＝F/b²。本发明用于测量晶片键合强度。
一种交叉十字合法测量晶片强度方法夹持装置

[发明专利]一种玻璃基板与聚苯乙烯基板室温直接键合方法及玻璃基板回收方法-CN201710971824.7在审
发明人：王晨曦;戚晓芸;许继开;李富康;田艳红 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：一种玻璃基板与聚苯乙烯基板室温直接键合方法及玻璃基板回收方法，属于微流控芯片键合领域。所述方法如下将待键合的玻璃基板和聚苯乙烯基板进行超声清洗；将清洗后的玻璃基板和聚苯乙烯基板采用短波长光在大气环境中进行表面处理；将经过表面处理后的玻璃基板和聚苯乙烯基板表面在室温条件下进行贴合，完成键合；在室温条件下，将键合后的样品放置12~48h，即得到键合好的玻璃与聚苯乙烯基板。本发明的优点是短波长光作用在玻璃基板表面发生光敏氧化反应，产生挥发性气体，再次清洁玻璃基板表面，不会造成玻璃基板表面的损伤和污染；本发明所需要的设备简单，键合过程安全便捷，键合周期短，在众多微流控芯片材料的键合方法中具有明显优势。
一种玻璃聚苯乙烯室温直接方法回收

[实用新型]一种用于挤出机的拔螺杆装置-CN201220295422.2有效
发明人： 戚晓芸;高建剑;蔡建臣;曹振顺 -专利权人： 戚晓芸;扬州恒鑫特种钢管有限公司
申请日： 2012-06-23 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B25B27/02 文献下载
摘要：本实用新型一种用于挤出机的拔螺杆装置，由连接板(2)，螺纹杆(4)，螺栓轴(5)，卡盘(7)，前支撑臂(6)和(9)，后支撑臂(3)和(11)，长手柄(10)组成。连接板（2）与挤出机的机筒相连，卡盘（7）与螺杆（8）连接。使用时，将连接板（2）固定在挤出机机头，并将卡盘（7）卡在螺杆（8）头部的环形槽内，固紧螺栓。将一长手柄（10）连接到螺纹杆（4），旋转手柄（10），利用杠杆省力原理带动螺纹副传动，使螺纹杆（4）另一端的螺栓轴（5）向螺杆（8）方向移动，则前后支撑臂（6）和（3），（9）和（11）之间的夹角增大，卡盘（7）和连接板（2）距离增加，从而带动螺杆（8）向远离挤出机方向移动，达到从机筒拔出螺杆（8）的目的。此实用新型特别适用于需要经常观察物料在机筒内状态的实验。此装置方便省力，安全，并且成本较低。
一种用于挤出机螺杆装置

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