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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]缸盖通孔检测装置-CN201611218577.5有效
发明人：荣贵学 -专利权人：重庆荣易达铝业有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本发明申请属于以采用机械方法为特征的计量设备技术领域，具体公开了一种缸盖通孔检测装置，从上至下包括高压水柱喷射单元、固定单元和标记单元，还包括机架，高压水柱喷射单元固定在机架的上部，固定单元设置在机架上；高压水柱喷射单元喷出的水柱的直径与缸盖通孔的直径相匹配，高压水柱喷射单元喷出的水柱中含有荧光剂；标记单元包括底座、受力板和通过转轴转动连接在机架上的齿轮，底座和受力板之间连接有多根弹簧；受力板的下表面固定有与齿轮啮合的齿条本发明采用高压水柱对缸盖进行检测，准确度高、误差小，而且能够同时检测缸盖通孔的位置度和同轴度，检测效率高。
缸盖检测装置

[发明专利]通孔形成方法-CN200710094499.7有效
发明人：韩秋华;何德飚;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种通孔形成方法，包括：在半导体基底上形成接触层，所述半导体基底内已形成掺杂扩散区；在所述接触层上形成介质层；图形化所述介质层，以形成暴露部分接触层的接触孔；去除暴露的所述部分接触层的表层，剩余的所述部分接触层具有满足产品要求的厚度；填充所述接触孔，以形成通孔。
形成方法

[发明专利]编织软管通孔机-CN200710057540.3有效
发明人：肖放;温淑鸿 -专利权人：天津膜天膜工程技术有限公司
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： B29C53/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种编织软管通孔机，它包括机架及其上的传动部分、执行部分和控制部分，其特征在于执行部分包括等径的一对前压辊及其加压气缸和一对后压辊及其加压气缸，以及前后两对等径压辊之间握持的一根钢丝，该钢丝的直径与工艺要求的编织软管直径相同本发明采用机械手段取代人工操作，可连续完成复合材料编织软管挂胶通孔任务，加工效率和产品质量大幅提高。
编织软管通孔机

[发明专利]通孔的制造方法-CN201710991216.2有效
发明人：刘善善;朱兴旺;朱黎敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括步骤：步骤一、在衬底上形成通孔的开口。步骤二、采用SIP工艺形成由Ti层和第一TiN层叠加的第一层阻挡层。步骤三、形成由第二TiN层组成的第二层阻挡层。步骤四、进行金属钨沉积将通孔的开口完全填充。本发明能改善阻挡层的成膜质量，防止钨残留，提高产品结构的完整性。
制造方法

[发明专利]通孔的制造方法-CN202110459179.7有效
发明人：黄兆铭;吴长明;冯大贵;王龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、形成由第一TiN层、Al主体层和第二TiN层叠加而成的第一金属层；步骤二、形成硬质掩膜层并进行图形化。步骤三、对第一金属层刻蚀形成金属线；步骤四、采用HDPCVD工艺沉积层间膜，工艺中的等离子体会使硬质掩膜层的宽度减少；步骤五、定义出通孔的形成区域；步骤六、进行刻蚀形成通孔的开口，包括：步骤61、对层间膜进行第一次刻蚀；步骤62、进行采用递进式的多步子过刻蚀组成的过刻蚀；各子过刻蚀的工艺压强依次增加，各子过刻蚀中采用聚合物气体且最后一步子过刻蚀的聚合物气体加重；步骤63、去除通孔的开口底部的硬质掩膜层。本发明能防止通孔开口底部的第二TiN层被去除从而能防止铝被暴露而氧化。
制造方法

[发明专利]通孔的制造方法-CN202110292266.8有效
发明人：侯宁普 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、依次形成硬质掩膜层、介质抗反射层、底部抗反射层和光刻胶。步骤二、对光刻胶进行图形化并形成第一开口。步骤四、依次对硬质掩膜层和层间膜进行刻蚀将图形向下转移并在层间膜中形成通孔开口。本发明能提高通孔的关键尺寸大小的稳定性，从而能防止由于通孔的关键尺寸偏差而导致的产品良率问题。
制造方法

[发明专利]通孔的制造方法-CN202011174800.7有效
发明人：徐建华;鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括步骤：步骤一、形成通孔开口，通孔开口将层间膜底部的半导体衬底表面露出；步骤二、进行通孔前清洗工艺以去除通孔开口底部的自然氧化层，包括分步骤：步骤21、生长第一氧化层；步骤22、采用溅射刻蚀工艺进行第一次氧化层刻蚀，第一次氧化层刻蚀完成后，通孔开口的底部表面上的氧化层的叠加层的剩余厚度小于侧面剩余的第一氧化层的厚度；步骤23、采用SiCoNi刻蚀工艺进行第二次氧化层刻蚀本发明能同时避免通孔前清洗工艺使对通孔开口底部的半导体衬底表面产生损耗使通孔开口的关键尺寸扩大，能扩大工艺窗口，提高产品性能。
制造方法

[发明专利]楼板通孔模板装置-CN201010533803.5无效
发明人：谢彦波;夏廷;张玮 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： E04G15/06 文献下载
摘要：本发明提供一种楼板通孔模板装置，用于楼板建筑中，其包括：一成型筒、一第一盖板件、一第二盖板件及若干个固定件。所述成型筒具有一筒壁界定一中空通道、一第一开口及一第二开口。所述若干个固定件贯穿所述成型筒的中空通道内且通过所述第一盖板件及第二盖板件上形成的若干对应固定孔，分别固定于第一盖板件及第二盖板件上，其中所述第一盖板件上若干对应固定孔的分布位置或所述第二盖板件上若干对应固定孔的分布位置共同定义出至少一个平面
楼板模板装置

[发明专利]套管通孔加工工装-CN201010546090.6无效
发明人：黄泽华 -专利权人：吴江市菀坪镙丝厂
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： B23B47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种套管通孔加工工装，包括支撑部(1)、与所述的支撑部(1)固定连接的用于固定套管的固定装置、用于压紧套管的压紧装置和用于防止套管转动的定位装置(5)，所述的固定装置、压紧装置和定位装置(5)设置在所述的支撑部(1)的同一个侧面上，所述的固定装置的正上方设置有加工部(2)，所述的加工部(2)设置有可供钻头插入的加工定位孔(21)。本发明解决了现有技术的缺点，提供了一种安全、高效、固定效果好的套管通孔加工工装。
套管加工工装

[发明专利]通孔形成方法-CN200910049284.2无效
发明人：赵林林;沈满华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔形成方法，包括以下步骤：提供一硅衬底；依次在所述硅衬底上形成介质层和抗反射层；依次刻蚀抗反射层和介质层，在抗反射层和介质层内形成通孔；溅射清洗所述通孔。该通孔形成的方法，是在主刻蚀通孔后增加溅射清洗步骤，以去除刻蚀过程中产生的多余的聚合物以及刻蚀光阻产生的副产物，保证通孔侧壁光滑，边缘清晰，使通孔的电阻分布均匀。
形成方法

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310321218.2无效
发明人：严利均;黄秋平;刘翔宇 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀方法，包括：提供待刻蚀硅衬底；采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；采用第二刻蚀对所述开口底部进行刻蚀，其中，所述第二刻蚀的刻蚀腔室压力小于第一刻蚀和钝化沉积的刻蚀腔室压力；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积和第二刻蚀，处理所述硅衬底，直至形成硅通孔。本发明形成的硅通孔侧壁粗糙度低。
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]通孔形成方法-CN201010574465.X无效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种通孔形成方法，包括：提供基底，所述基底表面上依次形成有：金属层、刻蚀阻挡层、第一介质层和第二介质层；在第二介质层表面上形成通孔的光刻胶图形；以通孔的光刻胶图形为掩模，采用干法刻蚀工艺在第二介质层中形成通孔；以通孔的光刻胶图形为掩模，采用湿法刻蚀工艺在第一介质层中形成通孔。该方案能够有效的避免氟元素进入底层的刻蚀阻挡层中，从而避免了在后续粘连层形成时的高温环境下刻蚀阻挡层中的氟元素扩散形成氟层，使刻蚀阻挡层和粘连层之间不存在电阻较高的氟层，因此，本实施例提供的技术方案中，能够减小通孔中导线的电阻
形成方法

[发明专利]形成通孔的方法-CN201010267590.6无效
发明人：符雅丽;张海洋;韩秋华;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成通孔的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有层间介质层，所述层间介质层上形成有具有开口图案的硬掩膜层，露出部分所述层间介质层；对所述硬掩膜层和所述层间介质层进行等离子体放电处理和/或气体吹扫；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述通孔。根据本发明，能够避免在形成通孔时出现盲孔，提高了半导体器件的整体性能，提高了良品率。
形成方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110152715.5无效
发明人：彭虎;肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：硅片上淀积二氧化硅，形成深沟槽；在深沟槽中淀积一层钛或氮化钛；在深沟槽中淀积钨；进行化学机械研磨表面的钨去除；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片的背面进行减薄
硅通孔填充方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110226264.5无效
发明人：彭虎;程晓华;郁新举 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：形成深沟槽或孔；在深沟槽或孔侧壁和底部淀积一层氧化层；淀积钛和氮化钛；淀积第一层钨；对第一层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第一层钨去除；淀积一层氮化钛；淀积第二层钨；对第二层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第二层钨去除；当深沟槽或孔未填满时，重复第二层钨的淀积和回刻，直至深沟槽或孔被填满；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片背面进行减薄；形成背面金属并制作背面金属图形本发明钨填充工艺和钨刻蚀工艺的结合，能实现高深宽比硅通孔的填充，且能够便于与现有集成电路工艺集成、并能利用现有生产设备进行加工，能降低工艺难度和成本。
硅通孔填充方法

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