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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种通孔填充方法和通孔-CN202110862309.1在审
发明人：顾海芳;林宗谟;陈明志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例提出了一种通孔填充方法和通孔，通过提供半导体衬底，所述半导体衬底上设有有源区，所述有源区上设有栅极，在有源区上形成第一通孔，第一通孔的高度与栅极的高度相同，在第一通孔中填充金属并进行平坦化工艺，形成覆盖填充后的所述第一通孔和所述栅极的层间介电层，在层间介电层对应第一通孔的位置上形成第二通孔，在第二通孔中填充金属并进行平坦化工艺，有效解决了高深宽比填充中容易出现孔洞的问题，而且该方法简单、易实现
一种填充方法

[发明专利]衬底通孔及制造衬底通孔的方法-CN202080061616.3在审
发明人：乔治·帕特德尔;约亨·克拉夫特;斯蒂芬·杰森尼戈 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种开放式衬底通孔(1)TSV包括绝缘层(20)，该绝缘层与沟槽(14)的侧壁(15)的至少部分以及与衬底主体(10)的表面(13)相邻设置。
衬底制造方法

[发明专利]通孔密封组件和密封通孔的方法-CN202210938582.2在审
发明人：陈震宇;田淼杰;成昌福;吴大卫;巴玉龙 -专利权人：中国商用飞机有限责任公司;中国商用飞机有限责任公司上海飞机设计研究院
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： F16J15/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔密封组件和密封通孔的方法。通孔密封组件包括：通孔密封件，通孔密封件包括：基座组件，基座组件包括滑动连接的第一基座和第二基座；弹性件，弹性件的两端分别固定到第一基座和第二基座，其中，弹性件在预紧的第一位置和拉伸的第二位置之间变化；固定支承件包括多个固定支承臂，其中固定支承臂中的每一个都包括通过部段连接部枢转地连接到彼此的第一部段和第二部段，其中，第一部段和第二部段分别枢转地连接到第一基座和第二基座；以及填充部，填充部抵靠覆盖基座组件填充到通孔中
密封组件方法

[发明专利]PCB通孔填孔工艺-CN202011473903.3在审
发明人：郭达文;刘长松;文伟峰 -专利权人：红板（江西）有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种PCB通孔填孔工艺，包括以下步骤：(1)、压合；(2)、镭射钻盲孔，两次镭射激光盲孔将PCB打穿，形成一个外宽内窄、自外向内逐渐收缩的通孔；(3)、填孔电镀，将激光加工后所形成的通孔填平；(4)、外层线路成型本发明PCB通孔填孔工艺的有益效果在于：此工艺制作的通孔孔径小，只有机械钻孔的一半，流程设计也没有机械钻孔的复杂。且孔内全填铜，可以承载较大的电流，散热性能好；通孔表面还可以设计焊盘、走线等，能够提高PCB的布线密度。
pcb 通孔填孔工艺

[实用新型]一种通孔装置及应用其的加热炉通孔器-CN201920141383.2有效
发明人：张会荣;陈尚振;孔令军;何建雄;张化庆;乔艳红;王爽;李东胜 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司;大庆油田有限责任公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： F23D14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通孔装置及应用其的加热炉通孔器，其中，一种通孔装置，包括：刷头（8）；所述刷头（8）的一端与待通孔设备的内壁接触，所述刷头（8）的另一端具有刷头（8）传动机构，以及/或固定机构；所述传动机构，用于带动所述刷头（8）转动；所述固定机构，用于固定所述通孔装置。
刷头加热炉通孔装置固定机构火嘴本实用新型内壁接触平稳运行影响生产通孔器拆装停炉通孔转动耗时应用

[发明专利]通孔填充方法-CN201310661878.5在审
发明人：刘超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通孔填充方法，包括提供前端结构，所述前端结构中形成有通孔；按照第一比例通入第一气体与第二气体进行第一次反应；通入缓冲气体；按照第二比例通入第一气体与第二气体进行第二次反应，以形成金属膜。通过在进行第一次反应和第二次反应之间，通入缓冲气体，能够防止在第二次反应时，反应气体对第一次反应所形成的膜层造成损坏，确保填充的质量，提升了良率。
填充方法

[发明专利]导电通孔结构-CN201610405842.4在审
发明人：张国钦;谢玉宸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约本发明还提供了一种导电通孔结构。
导电结构

[发明专利]导电通孔结构-CN201910821908.1在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电通孔结构，包含第一介电层、导电垫、第二介电层以及重分布层。导电垫位于第一介电层中。第二介电层设置于第一介电层上，并具有开口。导电垫位于开口中。由于导电通孔结构的第二介电层的第一宽度大于第二介电层的第二宽度约3微米至约6微米，因此重分布层的材料不会在铝沉积工艺中聚集在开口的上端。换句话说，重分布层可具有较厚的侧壁。通过如此的结构，可增进导电通孔结构的电性连接品质。
导电结构

[发明专利]共轴通孔结构-CN202111170641.8在审
发明人：王佰伟;粘恒铭;陈庆盛;林宜平;程石良 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明是共轴通孔结构。该共轴通孔结构包含基板、第一导电结构、第二导电结构以及绝缘层。基板具有第一表面。第一导电结构包含位于第一表面上的第一线路与贯穿基板的第一通孔。第二导电结构包含位于基板的第一表面上的第二线路与贯穿基板的第二通孔。第一通孔与第二通孔延伸于第一方向，第一线路与第二线路延伸于第二方向，且第二方向垂直于第一方向。绝缘层位于第一通孔与第二通孔之间。绝缘层整体的介电常数可借由填充料或空气孔而降低，借此降低通孔阻抗失配产生的功率损耗问题。
共轴通孔结构

[发明专利]通孔制造方法-CN202211556733.4在审
发明人： M·巴拉斯;P·古劳德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及通孔制造方法。提出了一种用于制造绝缘导电通孔的方法。该通孔穿过层的第一堆叠到达第一层。形成部分延伸到层的第一堆叠中的第一腔体。在层的第一堆叠之上和第一腔体中形成层的第二堆叠。然后各向异性地蚀刻绝缘衬套，并且用形成通孔的芯的导电材料填充第二腔体。
制造方法

[发明专利]通孔限定方案-CN201410006825.4有效
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及通孔限定方案。本发明的方法包括在第一介电层上方限定金属图案化层。第一介电层设置在蚀刻停止层上方，且蚀刻停止层设置在第二介电层上方。在金属图案化层和第一介电层上方生长间隔层。在第二介电层中形成具有通孔宽度的通路孔。
限定方案

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200810224596.8有效
发明人：张海洋;陈海华;黄怡;赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔刻蚀方法，形成通孔刻蚀结构后对通孔进行刻蚀，对通孔刻蚀结构中的底部防反射涂层进行刻蚀时，采用溴化氢气体刻蚀，得到锥形孔结构。本发明提供的方法可以在不更改现有曝光和显影方法基础上，使刻蚀的通孔特征尺寸达到所要求的通孔特征尺寸。
刻蚀方法

[发明专利]通孔加工方法-CN201010619478.4有效
发明人：赵宇航;周军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的通孔加工方法包括步骤：提供掩膜；根据掩膜来刻蚀衬底以形成通孔；部分填充所述通孔，以在所述通孔的侧壁上形成保型覆盖的绝缘氧化层；以及去除所述掩膜。本发明可以消除波什刻蚀工艺所产生的硅通孔侧壁的扇贝形貌对后续工艺的影响，并且在硅通孔的侧壁形成表面平滑的绝缘氧化层薄膜，提高了绝缘氧化层薄膜的保型覆盖性，降低了后续硅通孔填充的难度，最终减小了器件失效的可能性
加工方法

[发明专利]硅通孔结构-CN201210115868.7有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的第一硅通孔和第二硅通孔，所述第一硅通孔与第二硅通孔间隔排列，且所述第一硅通孔产生的应力与第二硅通孔产生的应力部分抵消。本发明提供的硅通孔结果应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

[发明专利]硅通孔结构-CN201210115869.1有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线和第二导电线，且第一导电线和第二导电线互相连接，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，且第一方向不同于第二方向。本发明提供的硅通孔结构应力小，封装质量佳。
硅通孔结构

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