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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]稻壳轻质通孔陶粒-CN201610477960.6在审
  • 金白云;蒋文兰;许庆华;邱茗;王鲁海;袁欣;许盛英;袁长兵 - 蒋文兰
  • 2016-06-28 - 2016-08-24 - C04B33/13
  • 本发明公开了一种稻壳轻质通孔陶粒，其技术方案的要点是，稻壳轻质通孔陶粒由稻壳、高粘凹凸棒石粘土、膨润土、粉状凹凸棒发泡剂、空心微珠、膨胀珍珠岩、膨胀蛭石、轻质碳酸钙、硫酸亚铁和生石灰组成。将稻壳轻质通孔陶粒的配料进行搅拌混合、挤压造粒、烘干、焙烧、保温、筛分后密封包装为稻壳轻质通孔陶粒。稻壳轻质通孔陶粒具有比表面积大、堆积密度小、吸水率高、透气性能优越、外观造型美观无异味、轻质强度好、微孔和大孔为一体的特点。用于培育或种植各种苗木、花草和蔬菜时，植物的根部将会从稻壳轻质通孔陶粒里吸收水或液态肥的营养成分，确保植物生长发育好，成活率高和寿命更长，稻壳轻质通孔陶粒适用于配制无土栽培基质和营养土。
  • 稻壳轻质通孔陶粒
  • [发明专利]硅石轻质通孔陶粒-CN201610480791.1在审
  • 马爱军;何任红;金白云;袁欣;袁长兵;许盛英;蒋文兰;许庆华 - 蒋文兰
  • 2016-06-28 - 2016-08-31 - C04B35/14
  • 本发明公开了一种硅石轻质通孔陶粒，其技术方案的要点是，硅石轻质通孔陶粒由硅石粉、高粘凹凸棒石粘土、粉状凹凸棒发泡剂、活性白土废渣、漂珠、轻质氧化镁、膨胀珍珠岩、膨胀蛭石和硫酸亚铁组成。将硅石轻质通孔陶粒的配料进行搅拌混合、挤压造粒、烘干、焙烧、保温、筛分后密封包装为硅石轻质通孔陶粒。硅石轻质通孔陶粒具有比表面积大、堆积密度小、吸水率高、透气性能优越、外观造型美观无异味、没有有害病菌、轻质强度好、微孔和大孔为一体的特点。用于培育或种植各种苗木、花草和蔬菜时，植物的根部将会从硅石轻质通孔陶粒里吸收水或液态肥的营养成分，确保植物生长发育好，成活率高和寿命更长，适用于配制无土栽培基质和营养土。
  • 硅石轻质通孔陶粒
  • [发明专利]通孔锚栓装置-CN202010614479.3在审
  • 丁凯 - 江苏凯宇建材科技有限公司
  • 2020-06-30 - 2020-11-06 - E04B1/76
  • 本发明公开了一种通孔锚栓装置，属于建筑保温模板锚栓技术领域。一种通孔锚栓，包括带通孔锚栓杆，带通孔锚栓杆的一端固定有固定盘，带通孔锚栓杆的另一端装有可拆的活动端盘，带通孔锚栓杆中间的外壁上安装有调节盘，调节盘通过调节机构安装在带通孔锚栓杆中间的外壁上。
  • 通孔锚栓装置
  • [发明专利]通孔的制造方法-CN202011501681.1在审
  • 姚道州;孟艳秋 - 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-12-18 - 2021-04-09 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、在层间膜表面形成DARC层；步骤二、在DARC层表面形成无氮掺杂的碳涂层；步骤三、在无氮掺杂的碳涂层的表面形成低温氧化层，由无氮掺杂的碳涂层和低温氧化层叠加形成硬质掩膜层；步骤四、进行光刻形成光刻胶图形将通孔的形成区域打开；步骤五、以光刻胶图形为掩膜对通孔的形成区域的硬质掩膜层进行第一次刻蚀；步骤六、以硬质掩膜层为掩膜对依次对DARC层和层间膜进行第二次刻蚀形成通孔的开口本发明能得到小尺寸以及高深宽比的通孔。
  • 制造方法
  • [发明专利]通孔形成方法-CN201911007775.0在审
  • 吴佳蒙;史波;肖婷;敖利波 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2019-10-22 - 2021-04-23 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种通孔形成方法，首先在半导体衬底上沉积光刻胶层，通过图案化光刻胶层，去除除预设通孔的预设位置以外的光刻胶，在通孔的预设位置处形成了光刻胶凸起，再沉积层间介质层覆盖形成有光刻胶凸起的半导体衬底紧接着对沉积的层间介质层进行刻蚀，至暴露出光刻胶凸起，最后，去除光刻胶，即可在预设位置形成通孔。将原需要靠刻蚀直接在层间介质层形成的通孔，通过在通孔位置预先用光刻胶覆盖，保证了一定的开孔率，改善了通孔的形貌，有益于后续的金属填充并能减少漏电，增加半导体器件产出良率，提高半导体器件性能。
  • 形成方法
  • [发明专利]通孔的制造方法-CN202111134771.6在审
  • 赵博超;高宏;肖雨;代新杰 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-09-27 - 2022-01-11 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的底层金属线和底层层间膜表面上形成当前层层间膜。步骤二、定义出通孔的形成区域。步骤三、采用干法刻蚀对当前层层间膜进行主刻蚀形成通孔的开口，主刻蚀的刻蚀气体的选择比的设置同时会使主刻蚀过程中在停止层的表面产生难以去除的副产物。步骤五、填充金属层形成通孔。本发明能消除通孔的填充金属和底层金属线之间的空隙，从而能降低通孔的电阻，提高器件的性能。
  • 制造方法
  • [发明专利]通孔及其制造方法-CN202011171786.5在审
  • 徐建华;曾招钦 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-10-28 - 2022-04-29 - H01L23/528
  • 本发明公开了一种通孔，包括：通孔开口以及将通孔开口完全填充的Ti层、胶水层和钨层；Ti层进行了退火处理使Ti层和通孔开口的底部的硅衬底发生硅化反应并形成TiSi层；钨层包括钨籽晶层和钨主体层；钨籽晶层覆盖在所述胶水层表面上本发明公开了一种通孔的制造方法。本发明能采用和胶水层相组合的Ti层自对准形成TiSi层，同时能防止TiSi层的退火使胶水层产生较大的晶格颗粒，从而能使钨籽晶层为连续结构并防止钨层中出现缝隙。
  • 及其制造方法
  • [发明专利]硅通孔加工方法-CN202310356953.0在审
  • 陈齐松;杜祥雷;傅剑宇;陈桥波;陈大鹏 - 无锡物联网创新中心有限公司
  • 2023-04-04 - 2023-07-04 - H01L21/768
  • 本申请关于硅通孔加工方法，涉及半导体器件材料技术领域。；在第一表面制备预设图形；基于预设图形在双抛片的第一表面的硅化合物层上以第一预设深度进行刻蚀，第一预设深度为200μm~300μm；曝光；对第一表面进行保护；自第二表面在硅化合物层上进行刻蚀至双抛片刻通；对刻通后的双抛片进行去胶。在进行TSV加工的过程中，将双抛面相对的两个表面上分别生成硅化合物层，并在生成硅化合物层后，从第一表面进行部分刻蚀，在刻蚀后，在第二表面制备相同的图案，并从第二表面开始刻蚀至双抛片刻通。
  • 硅通孔加工方法
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