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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]支撑卡盘和衬底处理设备-CN201510395072.5在审
发明人：金相午 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种支撑卡盘和衬底处理设备。支撑衬底的支撑卡盘包含：主体，其具有内部空间；可扩展部件，其经配置以在主体的厚度方向上划分内部空间，可扩展部件安置在主体中使得通过注入到间隔开的分隔空间中的气体使可扩展部件在主体的厚度方向上移动；移动部件在衬底从支撑衬底的单元分离的同时，可以防止衬底发生绞拧的现象。
支撑卡盘衬底处理设备

[发明专利]静电卡盘组件及其使用方法-CN202310194200.4在审
发明人： S·戈洛夫科夫;田中宏治 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了静电卡盘组件、包括该组件的系统以及使用该静电卡盘组件和系统的方法。示例性静电卡盘组件包括检测夹持事件比如夹持力不足和/或衬底翘曲的检测器或电路。
静电卡盘组件及其使用方法

[发明专利]离子注入方法和设备-CN201911116803.2有效
发明人：崔钟武;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：所述方法包括：将衬底放置在卡盘上；分析所衬底板以确定衬底的旋转位移；将离子注入到所述衬底中；以及当所述旋转位移基本为零时，将所述衬底旋转X次，并且每次以N度角旋转衬底；当旋转位移大于零时，将衬底旋转Y次并每次以M度角旋转衬底。
离子注入方法设备

[发明专利]蔽荫掩模沉积系统及其方法-CN201780041644.7有效
发明人： A·P·高希;F·瓦然;M·阿南丹;E·多诺霍;I·I·哈尤林;T·阿里;K·泰斯 -专利权人：埃马金公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种能够在衬底上形成高分辨率材料图案的直接沉积系统。来自蒸镀源的汽化原子通过蔽荫掩模中的通孔图案以按所要图案沉积于所述衬底上。所述蔽荫掩模固持于掩模卡盘中，所述掩模卡盘使所述蔽荫掩模及所述衬底能够间隔可小于10微米的距离。因此，通过所述蔽荫掩模的所述汽化原子在通过其孔隙之后很少或不展现横向散布(即，羽化)，且所述材料以相对于所述蔽荫掩模的所述孔隙图案具有非常高保真度的图案沉积于所述衬底上。
蔽荫掩模沉积系统及其方法

[实用新型]WAT测试监控系统-CN201720722359.9有效
发明人：田学艳;郑春玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种WAT测试监控系统，用于对WAT测试机台进行监控，所述WAT测试机台包括卡盘以及若干个探针，所述WAT测试监控系统包括所述WAT测试机台和一晶圆，其中所述晶圆包括第一掺杂类型的衬底、形成于所述衬底中的第二掺杂类型的阱以及若干个垫片，若干个所述垫片分别与所述阱电连接；所述晶圆用于放在所述卡盘上，以使所述衬底与所述卡盘电连接；若干个所述探针与若干个所述垫片一一对应，所述垫片用于与对应的所述探针电连接
wat 测试监控系统

[发明专利]衬底固持器模块和具有该衬底固持器模块的衬底装配设备-CN201010216893.5有效
发明人：金容锡;文成哲;金光寿;安成洙 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据本发明的衬底固持器模块包含：上部卡盘，其具备喷嘴，用于固持和固定衬底；旁路单元，其经相应地安置以与喷嘴连通且经制造以可向上和向下移动；以及压力调整单元，其连接到旁路单元，压力调整单元包括集成管，用于将旁路单元和喷嘴变换为真空状态或向旁路单元和喷嘴供应气体根据本发明的上部卡盘的喷嘴通过旁路单元而连接到具有排气泵和气体锗存单元的压力调整单元。随后，当上部与下部衬底彼此粘附时，气体储存单元中的气体注射在上部衬底的顶部上。因而，气体的注射压力致使上部衬底紧密地粘附到下部衬底上。因此，当腔室的内部变换为大气条件以便完成所获得的粘附时，可防止在上部与下部衬底之间引入不需要的气体。
衬底固持器模块具有装配设备

[发明专利]工艺机台以及半导体组件的制造方法-CN202210067015.4在审
发明人：林彦良;钟嘉文;张耀文;金明昌;吕国良;蔡正原;李汝谅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：工艺腔内有晶圆卡盘，晶圆卡盘配置为容置衬底。此外，钟罩结构设置在晶圆卡盘之上，使得钟罩结构的开口面向晶圆卡盘。等离子体线圈安置在钟罩结构之上。氧气源耦合到工艺腔并配置为将氧气输送到工艺腔。
工艺机台以及半导体组件制造方法

[发明专利]用于光刻设备的剪切层卡盘-CN200980112655.5有效
发明人： S·A·内菲;M·E·威廉姆斯;J·M·沃迪拉姆 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：物体可以是图案形成装置或将要曝光的衬底。支撑结构包括卡盘(321)，物体支撑在卡盘上，并且剪切柔性的细长元件(325)的阵列与卡盘和台(230)正交，使得细长元件的第一端接触卡盘的表面，细长元件的第二端接触台。通过使用细长元件的阵列，使得台和卡盘之间的应力的传递是基本上均匀的，这导致在由于应力带来的卡盘的变形期间物体相对于卡盘的表面的滑动最小。
用于光刻设备剪切卡盘

[发明专利]蚀刻装置和蚀刻方法-CN201710035322.3有效
发明人： A·黑尔贝雷尔;C·齐尔克;H·阿特曼;O·布赖特沙伊德;P·B·施塔费尔特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：所述蚀刻装置包括蚀刻腔(1；1a)和位于该蚀刻腔中的用于夹紧要蚀刻的衬底(S)的卡盘(C)、包围蚀刻腔(1；1a)的区域(1a)的等离子产生设备(C)和用于导入蚀刻气体的气体喷嘴分布设备(10)，该气体喷嘴分布设备这样布置在卡盘(C)上方，使得蚀刻气体气流(GS)基本垂直地对准要蚀刻的衬底(S)的表面(OF)。通过一种移动机构可以根据蚀刻模式改变在气体喷嘴分布设备(10)与卡盘(C)之间的距离。
蚀刻装置方法

[发明专利]等离子体加工中确定正确的平均偏置补偿电压的方法-CN200580028541.4有效
发明人： A·M·豪瓦德 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H02H1/00 文献下载
摘要：提供了一种通过施加双极ESC电压移去附着到双极静电卡盘(ESC)的衬底的方法，该方法包括在加工当前的衬底后停止提供双极ESC电压，以及确定加工的单极元件误差。本方法也包括为后续衬底校正该单极元件误差。
等离子体加工确定正确平均偏置补偿电压方法

[发明专利]支撑件-CN201910882394.0在审
发明人：尼古拉斯·洛奈 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种支撑件，该支撑件包括：包括上表面的静电卡盘；盖，该盖定位在静电卡盘上以覆盖静电卡盘的上表面，盖包括与静电卡盘的上表面相邻的第一面、用于支撑衬底的第二面以及延伸穿过盖以允许冷却气体从第二面流到第一面的一个或多个导管
支撑

[发明专利]气体分配装置和包括该气体分配装置的衬底处理设备-CN201910225551.0在审
发明人：李宪福;金大容;金东佑;朴俊起;李相烨;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。
入口管气体分配装置衬底处理设备分散空间分散容器喷淋头结构气体入口部衬底卡盘流体连通入口路径侧壁

[发明专利]高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法-CN201780042868.X有效
发明人： M·阿南丹;A·高希;F·瓦然;E·多诺霍;I·哈尤林;T·阿里;K·泰斯 -专利权人：埃马金公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种在衬底上形成高分辨率材料图案的直接沉积系统。来自蒸镀源的汽化原子通过蔽荫掩模的通孔图案以按所要图案沉积于所述衬底上。将所述蔽荫掩模固持于掩模卡盘中，所述掩模卡盘使所述蔽荫掩模及所述衬底能够间隔可小于10微米的距离。在到达所述蔽荫掩模之前，汽化原子通过操作为空间过滤器的准直器，所述空间过滤器阻挡未沿几乎垂直于所述衬底表面的方向行进的任何原子。通过所述蔽荫掩模的汽化原子在通过通孔之后很少或不展现横向散布，且所述材料以相对于所述蔽荫掩模的所述通孔图案具有非常高保真度的图案沉积于所述衬底上。
精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法

[发明专利]光刻曝光方法-CN202011445044.7在审
发明人：刘涛 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻曝光方法，包括：1)在衬底上形成光刻胶层；2)采用投影式曝光机台对光刻胶层进行光刻处理，形成对位图形；3)将衬底移至接触式曝光机台，并基于对位图形，使接触式曝光机台上的光掩模与衬底进行对位，保存此时光掩模的坐标与衬底上的对位图形的坐标；4)将接触式曝光机台切换至不对位模式，通过上述的光掩模的坐标将光掩模及光掩模夹具的位置固定并保持不变，通过上述对位图形的坐标将衬底卡盘的位置固定并保持不变，依次将需要曝光的晶圆放入衬底卡盘中进行曝光处理。
光刻曝光方法

[发明专利]高温静电卡盘和使用方法-CN200980128987.2有效
发明人：罗纳德·纳斯曼;罗德尼·李·罗宾森;藤里敏章 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B23B31/28 文献下载
摘要：本发明描述了一种为高温减压处理所构造的静电卡盘。静电卡盘包括具有静电夹紧电极和可选加热元件的卡盘主体，和具有传热表面的散热器主体，所述传热表面被布置为与卡盘主体的内表面呈密切关系，其中静电夹紧电极被构造为将衬底夹紧在卡盘主体的外表面上，并且其中由于内表面和传热表面的密切关系，散热器主体被构造为从卡盘主体移除热量。静电卡盘还包括构造为支撑卡盘主体和散热器主体的平台组件，和膨胀接头，所述膨胀接头设置在卡盘主体和平台组件之间，并且被构造为在适应卡盘主体和平台组件的差异热膨胀的同时将卡盘主体密封连接到平台组件。
高温静电卡盘使用方法

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