“范德华异质结层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2586656个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]异质结协同静磁场调控细胞表型的非侵入型远程调控方法-CN202110610642.3有效
发明人：罗吉伟;周启星;曾辉;欧阳少虎;侯萱 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：本发明公开一种异质结协同静磁场调控细胞表型的非侵入型远程调控方法，其步骤主要包括：将贴壁细胞接种在二硫化钼/二硫化钨范德华异质结纳米膜上，再将两块特定磁强的钕磁铁对立放置在纳米膜两侧，随后整体转移到细胞培养箱进行培养利用异质结在外磁场条件下产生的逆向感应磁场实现对细胞形态，迁移能力和蛋白水平的调控。
异质结协同磁场调控细胞表型侵入远程方法

[发明专利]一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管-CN202111615533.7在审
发明人：郭雪峰;李佩慧;贾传成;汪博宇;常新月 -专利权人：北京未名元上分子技术有限公司;南开大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C07C225/24 文献下载
摘要：本申请的单分子场效应晶体管中，具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力，具有较好的稳定性和集成性。
一种具有量子干涉效应化合物包含分子场效应晶体管

[发明专利]一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器-CN201610387349.4在审
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本发明还提供了一种异质结可饱和吸收镜的制备方法，包括如下步骤：衬底制将衬底抛光；将所述衬底置于反应室内，采用CVD法在所述金膜层上依次镀上所述至少两层可饱和吸收层，形成异质结薄膜；在所述异质结薄膜表面镀上保护膜层本发明提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收及其制备方法光纤激光器

[发明专利]一种基于范德华异质结的非易失光存储单元及其制备方法-CN202010096346.1有效
发明人：彭波;周思宇;王雅倩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光存储器技术领域，尤其涉及一种基于范德华异质结的非易失光存储单元及其制备方法。本发明器件包括两个电极、两层石墨烯层以及量子点层；量子点层设置于两层石墨烯层之间，构成石墨烯/量子点/石墨烯的三层垂直异质结构，层与层之间的界面态俘获电荷载流子使得整个非易失光存储单元具有非易失光存储的特性；两电极分别制作在两层石墨烯上。本发明基于层间界面态俘获电子的基本原理实现了单元非易失多级光存储的特性。该非易失光存储单元结构简单，稳定性强，能耗低，能与目前的CMOS工艺兼容，且具有多级存储的特性。
一种基于范德华异质结非易失光存储单元及其制备方法

[发明专利]一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法-CN202310384509.X在审
发明人：王凯;吴畅;郭涛;刘捷龙;李程程 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑Gate Fin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。
一种高频线性多级沟道 gate fin hemt 结构制备方法

[发明专利]基于分步旋涂混合异质结的有机太阳能电池及其制备方法-CN202310684613.0在审
发明人：赵富稳;周吉祥;何旦 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于分步旋涂混合异质结的有机太阳能电池及其制备方法，该有机太阳能电池具有正置结构，包括混合异质结活性层；该方法将体异质结层混合溶液旋转涂覆在空穴传输层上，并进行热退火，制备体异质结层；后在体异质结层上旋转涂覆受体层混合溶液，并进行热退火，制备受体层；实现体异质结/受体形式的混合异质结，从而改善活性层垂直成分分布；其中体异质结层混合溶液为D‑A型共轭聚合物与受体材料共混的氯苯溶液；受体层混合溶液为受体材料与添加剂共混的氯仿溶液；旨在改善活性层垂直成分分布，进而提高激子解离效率与载流子迁移率，使得器件具有更低的载流子复合，从而提高器件短路电流密度和填充因子。
基于分步混合异质结有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种Te/MoS2-CN201810697981.8有效
发明人：何军;李宁宁 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种Te/MoS2范德华异质结构，包括MoS2纳米片层和Te纳米线层，所述Te纳米线层外延生长在所述MoS2纳米片层表面。本发明的范德华异质结构用窄带隙的具有一维结构的Te纳米线作为红外吸收层，具有二维结构的MoS2纳米片作为导电沟道，该结构化学性质稳定。rising＝15ms，τdecay＝32ms)；本发明通过物理气相沉积方法制备所述Te/MoS2范德华异质结构
一种 te mos base sub

[发明专利]一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法-CN202211113305.4在审
发明人：王一如;聂诗淼;凌海峰;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
一种具有极性电压调控性能异质结突触晶体管及其制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202010903144.3在审
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池和制备异质结电池的方法，该异质结电池包括衬底层，在所述衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层。本发明的异质结电池和制备异质结电池的方法，在制程中工艺温度低，更节能，可以增强非晶硅掺杂层的场钝化性能，能有效改善界面间的载流子传输行为，从而保证电荷有效传输，提高异质结电池的光电转换效率。
异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法-CN202210603401.0在审
发明人：郭炜;戴贻钧;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法，涉及半导体领域，该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，鳍式异质结包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质结，氮极性异质结和金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质结和氮极性异质结的分布，在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下，金属极性异质结和氮极性异质结生长高度不同，可直接生长出鳍式异质结，无需刻蚀，既可避免刻蚀带来的损伤，还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道
一种具有结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺

[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。本实用新型通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构

[发明专利]一种高性能混合型光电探测器的构筑方法及其调控策略-CN201811370675.X有效
发明人：高义华;李露颖;沈少立;康喆;章楼文 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-11-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料与器件领域，公开了一种高性能混合型光电探测器的构筑方法及其调控策略，并具体公开了一种基于全无机铅卤钙钛矿纳米晶的高性能混合型光电探测器，包括单层MoS2层以及CsPbX3(X＝Cl,Br,I)钙钛矿纳米晶层，单层MoS2层为2D材料，CsPbX3纳米晶层为0D材料，两者通过构筑范德华异质结进行复合。本发明通过对用于配合单层MoS2形成异质结的关键材料及其自身的特征因素所采用的不同工艺步骤进行探索与改进，实现了性能可调控/优化的混合型光电探测器。从本质上讲，这是由于钙钛矿纳米晶层的光俘获能力和光生载流子在0D钙钛矿纳米晶/2D单层MoS2异质结界面处的激子分离与电荷转移得到了有效的调控，从而直接对混合型光电探测器的光响应性能产生影响
一种性能混合光电探测器构筑方法及其调控策略

[发明专利]一种角度可调范德华异质结及电极制备的装置-CN202111638886.9在审
发明人：李元元;王天杰;张璐;张楚浩;芮婷;常建华 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种角度可调范德华异质结及电极制备的装置，包括三维夹持臂模块、凸形旋转台模块、样品电极掩膜模块，所述样品电极掩膜模块固定在三维夹持臂模块，所述凸形旋转台模块设置在样品电极掩膜模块的正下方，所述凸形旋转台模块包括从下到上依次设置的旋转台本发明通过三维夹持臂模块实现样品电极掩膜模块上样品的三维空间移动，通过旋转旋转台以实现样品之间相对角度的调节，通过弹性泡棉胶实现目标衬底的固定、对准接触过程出现的位移补偿，实现高产率、低污染的角度可调的范德华异质结及电极的制备
一种角度可调范德华异质结电极制备装置

[发明专利]一种超润滑轴承衬垫的制备方法-CN202310811578.4在审
发明人：王永富;杨兴;张俊彦 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B29D33/00 文献下载
摘要：Sub>2O和氩气的混合气体5~45 min后封闭，实现罐中相对湿度在10~40%可调；⑵将石墨烯和二维硫属化合物混合，并装入行星式球磨机中；⑶控制行星式球磨机的转速和球磨时间，即得范德华异质结粉体；⑷将范德华异质结粉体通过滚轴平铺在金属表面并同时喷淋聚合物前驱体或固化剂，或者直接导入滑动轴承的轴承内外圈缝隙内，实现二维材料纳米薄片沿摩擦方向高度定向排序；⑸二维材料纳米薄片经固化，即得超润滑轴承衬垫
一种润滑轴承衬垫制备方法