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[发明专利]一种异质结太阳能电池的制造方法及异质结太阳能电池-CN201510016189.8在审
发明人：郁操;杨苗;李沅民;张津燕;徐希翔 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池的制造方法，包括：提供异质结太阳能电池第一结构，所述第一结构包括基片、设置于所述基片两侧的本征层以及两侧本征层上分别设置的第一掺杂层和第二掺杂层；在所述第一掺杂层和/或第二掺杂层上形成保护层，形成有所述保护层的异质结太阳能电池结构称为异质结太阳能电池第二结构；在所述异质结太阳能电池第二结构的两侧形成透明导电层，或者在所述异质结太阳能电池第二结构的一侧且位于所述保护层上形成透明导电层，所述异质结太阳能电池第二结构的另一侧且位于所述保护层上形成透明导电氧化物/金属复合层；使得在沉积透明导电层时，由于存在保护层，能够避免沉积透明导电层对基片表面钝化效果的破坏，提高光电转换效率及电池性能。此外，本申请还提供通过上述方法制造的一种异质结太阳能电池。
一种异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]异质结电池的制备方法-CN202111320788.0在审
发明人：姚铮;崔巍;陈海燕;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结电池的制备方法及异质结电池，其中，异质结电池的制备方法包括：制绒，在硅基底表面刻蚀形成制绒面；在硅基底一侧表面依次制备第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层；在所述第一透明导电层表面制备第一金属纳米线薄膜通过上述制备方法制备的异质结电池，可有效地改善电池表面的光线透过率，同时改善异质结电池的填充因子，进而提升异质结电池的转换效率。
异质结电池制备方法

[发明专利]一种异质结光探测器的制备方法及光探测器-CN202011538140.6有效
发明人：刘应军;王权兵;阳红涛;王任凡 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结光探测器的制备方法及光探测器，其中，制备方法通过对经图形化处理的第一材料层上设置一层掩膜，并使掩膜覆盖在第一材料层除异质结区域之外的表面上，再在衬底设置第二材料层，并使第二材料层在异质结区与第一材料层堆叠，不但使第二材料层在衬底上的设置方法更为灵活，避免了现有技术中需要经过有机物辅助剥离及转移来实现两种材料的堆叠，而且还能够在对第二材料层进行图形化处理时，掩膜对第一材料层进行保护，因此，本发明提供的异质结光探测器的制备方法可实现低维材料异质结制备的灵活性和规模化的同时，还使得异质结制备与CMOS工艺兼容，降低了异质结的工业制备的门槛和成本。
一种异质结光探测器制备方法

[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法-CN201910440263.7有效
发明人：段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管中，外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，从而使具有结型栅和AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。氮化镓外延层与衬底之间的异质结优化了晶体管的纵向电场分布，提高了器件的击穿电压；同时，采用结型栅可以获得增强型器件。
具有结型栅 algan gan 异质结横向晶体管及其制作方法

[发明专利]一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法-CN201410624791.5有效
发明人：王丽娟;孙洋;都昊;邹凤君;李一平 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法。该碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用碳纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。特别是用碳纳米管有机气敏层实现高的气体敏感性，利用有机异质结提高载流子传输。该有机碳纳米管异质结的有机气体传感器在常温下响应速度快、灵敏性高的进行工作，并且利用真空蒸镀和溶液技术制备，工艺简单、成本低。
一种纳米管异质结有机气体传感器制备方法

[发明专利]一种基于spiro-OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110587818.8有效
发明人：于军胜;李嘉文;王瑞;王子君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于spiro‑OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，由下至上依次为透明衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿活性层、体异质结掺杂的空穴传输层以及金属阳极，且上述各层按序依次制备；其中，体异质结掺杂的空穴传输层采用空穴传输材料spiro‑OMeTAD，并掺入体异质结；体异质结包括并不限于IEICO‑4F：PCE10，薄膜厚度为300nm；掺杂的体异质结选用具有近红外吸收的给体/受体材料并选用与之搭配的受体/给体，spiro‑OMeTAD中掺入体异质结后，在提升器件短路电流的同时保持了器件的开路电压，从而提升了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
一种基于 spiro ometad 掺杂体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管-CN201320060399.3有效
发明人：彭应全;吕文理;罗消 -专利权人：兰州大学
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管，其特征是它由衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层、有机体异质结光敏层、源极和漏极组成，有机载流子输运层一面与栅介质相连，而另一面与有机体异质结光敏层相连，形成混合平面一体异质结；有机体异质结光敏层一面与有机载流子输运层相连，并与其形成混合平面一体异质结，另一面与源极和漏极相连；栅介质、源极和漏极可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触的结构
一种混合平面体异质结光敏有机场效应

[发明专利]有机发光晶体管及其制造方法、显示面板及电子装置-CN201810388274.0有效
发明人：陈亮;王磊;陈小川;玄明花;刘冬妮;肖丽;杨明;赵德涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机发光晶体管及其制造方法、显示面板及电子装置，该有机发光晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，有源层包括层叠以构成异质结的二维半导体材料层和有机发光层，该异质结为异型异质结。该有机发光晶体管通过采用二维半导体材料层形成异质结，可以使该异质结的界面更加平整，降低界面的粗糙度和缺陷态密度，从而提高载流子迁移率，进而提高器件的性能。
有机发光晶体管及其制造方法显示面板电子装置

[发明专利]量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188544.8有效
发明人：黄江;董怀远;侯思辉;何伊玫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电器件技术领域，具体公开了一种量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的功能层，功能层包括第一有机体异质结层、第二有机体异质结层以及位于第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间的量子点修饰层；功能层还可包括空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层中的一种或几种；量子点修饰层的材料包括无机化合物纯核型量子点材料、无机化合物核/壳型量子点材料、钙钛矿量子点材料。本发明通过在双体异质结太阳能电池中引入量子点修饰层，有效的提升了双体异质结有机太阳能电池的开路电压和短路电流，获得了较现有技术有所提升的转换效率。
量子修饰双体异质结有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池-CN201710060215.6有效
发明人：杨松旺;邵君;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述体异质结钙钛矿薄膜包括：体异质结层，所述体异质结层包括作为电子给体材料的钙钛矿多晶薄膜、和位于所述钙钛矿多晶薄膜的晶界位置的电子受体材料；以及位于所述体异质结层表面的钙钛矿薄膜层将本发明的体异质结钙钛矿薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，其可以取代现有的介孔电子传输层和钙钛矿吸光层，从而可以简化电池的结构，还可以避免独立介孔层制备过程中所需的高温烧结工艺，适于在塑性基底上制备高效率柔性钙钛矿太阳能电池
体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法-CN202210049787.5在审
发明人：徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图形化的顶硅条带，再依次沉积绝缘层、制作电极、刻蚀出硅窗口及硅接触孔，再将二维材料转移至硅窗口并图形化。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列/行异质结共用同一条顶硅条带，每一行/列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行/列的顶电极布线。本发明实现了二维材料/硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
一种基于绝缘层上硅衬底二维材料硅异质结阵列及其制备方法

[发明专利]基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法-CN202110759016.0有效
发明人：迟力峰;黄丽珍;王滋;薛娣 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速
基于有机晶态异质结紫外光晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氮化硼/石墨烯异质结器件-CN201911000926.X在审
发明人：徐明生;王维佳;冯志红;蔚翠 -专利权人：浙江大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼/石墨烯异质结器件，其特征在于，所述氮化硼/石墨烯异质结器件包括六方氮化硼材料层和石墨烯材料层，所述氮化硼和石墨烯层间的旋转角度在5°‑15°之间。本发明提供的氮化硼/石墨烯异质结器件在特定的层与层堆砌(旋转)结构，可以使异质结体系出现平带结构而导致超导现象。
一种氮化石墨烯异质结器件

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]一种高灵敏红外异质结光电传感器及其制备方法-CN201810184358.2在审
发明人：张希;林泽洲;曹志鹏;刁东风 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开一种高灵敏红外异质结光电传感器及其制备方法，其中，所述光电传感器包括设置在衬底上的带隙半导体薄膜以及交叉堆叠在所述带隙半导体薄膜上表面的导流薄膜，所述带隙半导体薄膜和导流薄膜之间的交叉重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结
薄膜带隙半导体光电传感器异质结导流制备光电响应衬底灵敏红外光区域红外探测交叉重叠金属电极输出能力上表面堆叠弱光涵盖检测

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