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[发明专利]一种栅极可调高灵敏偏振探测器的制备方法-CN202211596077.0在审
发明人：李京波;杨孟孟 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极可调高灵敏偏振探测器的制备方法，包括衬底、第一金属电极、PdSe2/WSe2二维范德华异质结、石墨烯层第二金属电极；所述的衬底为SiO2/Si衬底；所述的PdSe2/WSe2二维范德华异质结包括PdSe2层、WSe2层；所述的PdSe2层底面设于衬底顶面上；所述的WSe层顶面上，所述的第一金属电极与WSe2层不接触；所述的第二金属电极底面设于石墨烯层顶面上。本发明成本低廉、工艺简单，通过范德华异质结和栅极调控，有效地抑制了暗电流，大大提高了光灵敏度和响应速度。
一种栅极可调灵敏偏振探测器制备方法

[发明专利]基于有机-无机范德华异质结的双极性场效应晶体管-CN201810888485.0有效
发明人：闫婕;孙祎萌;徐伟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机‑无机范德华异质结的双极性场效应晶体管。该有机‑无机范德华异质结器件，由下至上依次为有机聚合物薄膜层、无机半导体层和上电极，且所述上电极位于所述无机半导体层两端的上方；构成所述有机聚合物薄膜层的材料为PDVT‑10；所述无机半导体层的材料为MoS同时，异质结器件在白光下有明显的光响应，开关比最高可达1.3×103，光响应度可达1.38A/W。由此异质结构成的二极管特性明显，击穿电压为5V，整流比约78，理想因子6.4。
基于有机无机范德华异质结极性场效应晶体管

[发明专利]一种范德华异质结器件及其制备方法和应用-CN201811014583.8有效
发明人：何军;尹蕾;程瑞清;王振兴;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。本发明的范德华异质结器件可以实现导电极性的动态调节。在不同的偏压条件下，基于该范德华异质结器件的场效应晶体管可分别实现双极性和N型导电极性，并展现出超高电流开关比(～107)、电流整流比(～10
一种范德华异质结器件及其制备方法应用

[发明专利]PtTe2-CN202211044120.2在审
发明人：陈晟迪;高伟;黄颖;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：>2纳米片上，在所述半导体相MoTe2纳米片与所述拓扑半金属PtTe2纳米片的重叠位置形成垂直范德华异质结；在所述垂直范德华异质结的MoTe2纳米片侧以及PtTe2纳米片侧分别蒸镀所述金属电极；对带有所述金属电极的垂直范德华异质结在保护气体中进行退火处理，生成拓扑半金属PtTe2/半导体相MoTe2范德华异质结的光电晶体管。本发明的异质结属于外尔半金属/半导体肖特基结，器件能够实现工作模式随偏压变化而进行相应切换，实现了微秒级别(16.5μs)的响应速度和400‑1550nm的宽谱探测。
ptte base sub

[发明专利]一种混合维度S掺杂g-C3-CN202210066189.9有效
发明人：邢伟男;张懿池;程珂;夏思烨;陈玉文;邵伟凡;李海彤;郭文;吴光瑜 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合维度S掺杂g‑C3N4基范德华异质结光催化剂及其制备方法和应用，属于材料制备技术领域。该方法为将三聚氰胺、三聚氰酸分别用二甲基亚砜溶解，得到澄清溶液；将三聚氰酸溶液逐滴加入到三聚氰胺溶液中，得到作为g‑C3N4基范德华异质结光催化剂前驱体的白色沉淀；将白色沉淀前驱体与三聚硫氰酸混合，将混合物质置于马弗炉中煅烧，得到混合维度S掺杂g‑C3N4基范德华异质结光催化剂。该催化剂可应用在光催化领域，该方法可通过改变反应条件得到不同配比S掺杂的g‑C3N4基范德华异质结光催化剂，工艺操作简单
一种混合维度掺杂 base sub

[发明专利]一种超滑范德华异质结的制备方法-CN202310811579.9在审
发明人：王永富;杨兴;张俊彦 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超滑范德华异质结的制备方法，该方法包括以下步骤：⑴采用机械剥离法制备二维硫族化合物纳米粉体；⑵通过湿度化学法制备边缘氧钝化石墨烯；⑶在行星式球磨机中，将所述边缘氧钝化石墨烯与所述二维硫族化合物的混合物与滚动体混合，并保持混合物与滚动体的总体积小于球磨罐容积10%；⑷在行星式球磨机中，预充入惰性气体，控制球磨罐气压在1~2个大气压，转速控制150rpm以下，球磨时间为1~5h，即得超滑范德华异质结。本发明方法简单、高效，通过掺入边缘氧钝化石墨烯削弱纳米粉体边缘钉扎效应，以实现二维纳米粉体到异质结的转化，所制备的超滑范德华异质结可实现宽温域和宏观尺度结构超滑。
一种超滑范德华异质结制备方法

[发明专利]一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法-CN202210479949.9在审
发明人：舒海波;盛创伟;张铭松;张颖;黄杰 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法，其制备方案包括以下步骤：首先以氧化钼粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，在双温区管式炉中加热反应生长出单层二硫化钼；然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，以生长有二硫化钼的衬底作为生长基底，在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和二维单层的二硫化钼所构成，所述硫化锡纳米线外延生长在所述二硫化钼的表面；该异质结材料化学性质稳定，光谱响应范围宽，且具有II型的能带结构便于光生载流子分离，在光电器件领域具有广泛的应用前景本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。
一种硫化二硫化钼混合维度范德华异质结制备方法

[发明专利]一种CN/BOS范德华异质结构光催化剂及其制备方法-CN202010811308.X在审
发明人：李俊 -专利权人：郑州大学
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及CN/BOS范德华异质结构光催化剂制备方法，包括如下步骤，将BOS分散到水和乙醇的混合液中，得到混合溶液A；将不同量的CN加入到混合溶液A中，得到混合溶液B；将混合溶液B转移至超声反应器中超声复合，反应结束后，对反应产物洗涤、干燥，得到CN/BOS范德华异质结构光催化剂。一种CN/BOS范德华异质结构光催化剂，由上述制备方法制备得到。有益效果为：催化活性高，在光催化领域具有良好的应用前景；结纯度高，且可以通过改变CN的含量控制CN/BOS异质结光催化剂的光催化CO2还原活性；制备方法具有操作简单
一种 cn bos 范德华异质结构光催化剂及其制备方法

[发明专利]基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器-CN202211496927.X在审
发明人：王开友;林海龙;朱文凯;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：提供一种基于二维异质结的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的竞争自旋流合金层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；竞争自旋流合金层由相反自旋霍尔角的合金材料或自旋霍尔角相反的过渡金属元素组成的合金组成，通过竞争自旋流效应产生的额外的面外极化的自旋流实现室温范德华磁性自由层无外磁场辅助的纯电控磁翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性的变化而变化。
基于二维异质结室温全电控磁存储单元存储器

[发明专利]一种Te/MX2-CN202310772529.4在审
发明人：罗正汤;尤嘉雯 -专利权人：香港科技大学;香港科技大学深圳研究院
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开一种Te/MX2范德华异质结构及其制备方法、自驱动光探测器，本发明通过化学气相沉积法制备了一种p‑n型的范德华异质结构Te/MX2异质结，包括二维MX2层和一维Te纳米线，所述一维Te纳米线外延生长在所述二维MX2层表面，成60
一种 te mx base sub

[发明专利]一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构-CN202011162691.7有效
发明人：贺园园;程娜;赵健伟 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构，属于半导体技术领域，包括：源极：空穴注入的单层硼烯，漏极：电子注入的单层C4N4，光敏结构：包括本征单层硼烯与本征单层C4N4垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与本征单层硼烯和其中，在硼烯的上表面设置以HfO2为材质的介电层和上金属电极作为顶栅，在C4N4的下表面设置以BN为材质的介电层和下金属电极作为底栅，形成双栅极结构。分别在上下表面的栅极上设置门电压，通过双门压调控发光二极管电子传输的非对称性；本发明的结构能够解决现有技术中无法有效调控范德华异质结层间肖特基势垒的问题。
一种表面吸附锂离子范德华异质结光电二极管器件结构

[发明专利]范德华异质结化合物在锂离子电池负极材料中的应用、电极片及锂离子电池-CN201910682652.0在审
发明人：肖翀;白巍;李坤;谢毅 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种范德华异质结化合物在锂离子电池负极材料中的应用、电极片和锂离子电池。范德华异质结化合物具有天然超晶格结构，其形貌为两种亚层交替堆叠的层状结构，在锂离子电池中表现出良好比容量和稳定性。具有式Ⅰ通式的范德华异质结化合物在锂离子电池中具有较高的比容量和稳定性；(PbS)1.14NbS2在100mA g
范德华异质结化合物锂离子电池负极材料中的应用电极

[发明专利]一种振膜材料、制备方法及声波传感器-CN202310528757.7在审
发明人：王慧慧;关宝璐;汪威;惠鸢飞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种振膜材料、制备方法及声波传感器；振膜材料包括硅膜和石墨烯膜；其中，所述石墨烯膜通过范德华力生长在所述硅膜上，形成石墨烯‑硅范德华异质结；所述硅膜的厚度在200纳米‑100微米之间；所述硅膜的表面粗糙度在0.0001微米‑0.01微米之间；所述石墨烯膜所包含的石墨烯层的层数小于或等于10层。
一种材料制备方法声波传感器

[发明专利]一种高性能异质结及其制备方法-CN202210511943.5在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种高性能异质结及其制备方法，包括二维材料MoTe2和二维材料InSe组成的异质P‑N结，二维材料MoTe本发明的异质结，包括二维材料MoTe2和二维材料InSe组成的异质P‑N结，二维材料MoTe2层和二维材料InSe层存在相互堆叠部分，两种材料两端分别用Au做电极，二维材料MoTe2层、二维材料InSe层及其第一Au电极层和第二Au电极层成十字交叉，形成人工叠加不同二维材料的范德华异质结构，本发明的异质结具备大的光响应率等优点。此外，本发明提供的异质结结构简单、易于制备，有利于规模化生产及应用。
一种性能异质结及其制备方法

[发明专利]一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器及其制备方法-CN201911125206.6在审
发明人：王建禄;陈艳;王旭东;胡伟达;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的范德华异质结、金属源漏电极、铁电薄膜和半透明金属栅电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种具有各向异性的二维半导体，这两种半导体通过范德华力相结合，再运用电子束光刻技术与剥离技术制备金属电极，接着旋涂铁电聚合物薄膜，制备半透明金属电极，最终形成铁电局域场增强的偏振探测器区别于异质结光电探测器，该结构可实现高二向色性比、低功耗、快速响应的偏振探测器。
一种增强范德华异质结偏振探测器及其制备方法