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[发明专利]一种版图中Finger晶体管的识别方法-CN202110393955.8有效
发明人：刘永利;杨璐丹 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06V30/422 文献下载
摘要：本发明提供了一种版图中Finger晶体管的识别方法，包括：对多晶硅层和有源区层的多边形进行“AND操作”得到的多边形，并将得到的每个多边形作为备选Gate加入备选Gate列表；从所述备选Gate列表中取备选Gate作为当前备选Gate，识别出当前备选Gate的相关Gate，并利用识别出的相关Gate判断当前备选Gate是否为Finger晶体管中的Gate，若是，则识别出所述Finger晶体管的源极、漏极和栅极；直至对备选Gate列表中的所有备选Gate完成处理，识别出所有Finger晶体管。
一种版图 finger 晶体管识别方法

[发明专利]一种Split Gate-IGBT结构及其制作方法-CN201910988747.5在审
发明人：徐守一;陈思凡;蔡铭进 -专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种Split Gate‑IGBT结构及其制作方法，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本发明提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，将两者的优点相结合，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；另外，还可以通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。
饱和压降开关性能器件元胞制备工艺中间设置快开关制备制作优化

[实用新型]一种Split Gate-IGBT结构及器件-CN201921743997.4有效
发明人：徐守一;陈思凡;蔡铭进 -专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Split Gate‑IGBT结构及器件，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本实用新型提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；同时方便通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。
一种 split gate igbt 结构器件

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202210351652.4在审
发明人：张淑媛 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：该显示面板上设有若干Gate Line，显示面板包括挖孔区、第一显示区和第二显示区，第一显示区、挖孔区和第二显示区沿第一方向依次设置，第一方向与Gate Line的长度方向平行。第一显示区内设有第一Gate Line，第二显示区内设有第二Gate Line，第一Gate Line与第二Gate Line连接。本申请中第一显示区、挖孔区和第二显示区沿第一方向依次设置，则在第一方向上挖孔区将第一显示区和第二显示区隔离开来；而第一显示区中的第一Gate Line与第二显示区中的第二Gate Line连接后，第一GateLine上的像素负载与第二Gate Line上的像素负载之和更接近显示面板上未被挖孔区截断的Gate Line上的像素负载，从而改善显示面板亮度不均的问题。
显示面板显示装置

[发明专利]一种用于快照式读出电路中的采样保持电路-CN202011525814.9有效
发明人：阙隆成;王振坤;张兴宏;李林洋;吕坚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H03M1/54 文献下载
摘要：本发明公开用于快照式读出电路中的采样保持电路，包括：低误差采样开关电路、补偿电路、钳位电路和采样电容Cint；低误差采样开关电路包括结构一致的第一低误差采样开关gate1和第二低误差采样开关gate2，待采样电压从第一低误差采样开关gate1注入，第一低误差采样开关gate1与第二低误差采样开关gate2连接，第二低误差采样开关gate2另一端与采样电容Cint连接后接地；gate1和gate2同步开关，钳位电路并联在gate2两端，使得gate2两端电压相等；补偿电路并联在gate2两端向采样电容Cint补偿采样保持过程中的漏电流。
一种用于快照读出电路中的采样保持

[发明专利]液晶显示屏及其显示控制装置和控制方法、终端设备-CN201810173426.5在审
发明人：靳勇 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种液晶显示屏及其显示控制装置和控制方法、终端设备，所述液晶显示屏包括第一显示区域和第二显示区域，所述显示控制装置包括：相互独立的第一组Gate控制线和第二组Gate控制线，第一组Gate控制线连接到第一显示区域的每个像素单元，第二组Gate控制线连接到第二显示区域的每个像素单元；显示控制芯片，分别与第一组Gate控制线和第二组Gate控制线相连，显示控制芯片用于获取显示模式指令，并根据显示模式指令对输入到第一组Gate控制线和第二组Gate控制线的Gate信号进行控制，以使液晶显示屏进行局部显示或全屏显示。由此，通过利用相互独立的Gate控制线控制显示区域的方式，实现了显示屏的局部显示或全屏显示，且降低了驱动能耗，丰富了用户体验。
控制线液晶显示屏显示区域显示控制装置显示控制芯片局部显示全屏显示显示模式像素单元终端设备指令控制显示用户体验显示屏能耗驱动申请

[发明专利]一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关-CN202110614004.9有效
发明人：高志强;王蒙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03K17/689 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关，所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE4四个CMOS传输门组成，其中：所述第一CMOS传输门TR_GATE1和第四CMOS传输门TR_GATE4组成主传输通路，第二CMOS传输门TR_GATE2和第三CMOS传输门TR_GATE3
一种宽带损耗隔离全差分结构射频开关

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220586619.1有效
发明人：喻巧群;张杰;朱阳军;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和至少一条gate finger，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点、所述源极压焊点和所述gate finger位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括gate bus，所述gate bus位于所述有源区的至少两条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，其中的两条边处于相对的位置；其中，所述gate finger连接所述栅极压焊点和所述gate bus。本实用新型通过gate finger和gate bus将栅压传导到各个元胞处，能够确保处于不同位置的元胞充分开启，使得电流分布均匀。
一种 igbt 版图

[实用新型]一种分屏控制刷新率的显示结构-CN202223016582.1有效
发明人：丘文鑫 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分屏控制刷新率的显示结构，包括第一TFT、第一子画素、第一GATE线、第一source线、第二TFT、第二子画素、第二GATE线和第二source线；所述第一GATE线和第二GATE线均为横跨全屏的GATE线；每一第一子画素通过一第一TFT分别与第一GATE线以及第一source线连接，每一第二子画素通过一第二TFT分别与第二GATE线以及第二source线连接；所述第一TFT设置于其对应的第一子画素的上方，并连接于所述第一TFT上方的第一GATE线；所述第二TFT设置于其对应的第二子画素的下方，并连接于所述第二TFT下方的第二GATE线。本实用新型可以实现同一行子画素分别由上下两行GATE线分别控制实现不同刷新的效果，且相互之间不会干扰也能避免分屏处的异常显示问题。
一种控制刷新率显示结构

[实用新型]一种分立器件管芯排布结构-CN201520539951.6有效
发明人：陆怀谷 -专利权人：深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分立器件管芯排布结构，所述分立器件的管芯安装面为正方形，Gate Pad位于所述管芯安装面的中心位置。所述分立器件还具有Gate Finger，所述Gate Finger由所述的Gate Pad向四周延伸。所述分立器件是VDMOS或IGBT。
一种分立器件管芯排布结构

[发明专利]一种gate位宽的电子纸高灰阶调节的方法及系统-CN202211239963.8在审
发明人：毛华望 -专利权人：江西兴泰科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种gate位宽的电子纸高灰阶调节的方法及系统，涉及电子纸模组显示技术领域，本方法包括步骤S1：通过预设第一控制流程动态调整gate速率，直到waveform结束再进入停止状态，等待下一轮EPD的启动；S2：经过预设第一控制流程上电后进入开始状态，获取gate速率的参数并发送数据至数据输出，再进入停止状态；S3：通过预设第二控制流程调节gate的占空比，直到waveform结束再进入停止状态，本方法能够在一个gate周期里，调整gate的占空比来完成控制高电平的时间，从而可以更加精确的控制gate，使EPD的显示灰度达到高灰度。
一种 gate 电子纸高灰阶调节方法系统

[发明专利]一种实现碲化镓(GaTe)二维材料激子激光发射的方法-CN201710301566.1有效
发明人：陈祖信;楚盛 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现碲化镓(GaTe)二维材料激子激光发射的方法，其工艺步骤如下：a)在蓝宝石衬底上制备氧化锌(ZnO)六角微米盘，作为GaTe材料激射的谐振腔；b)在长有ZnO六角微米盘的蓝宝石衬底上合成GaTe材料，作为激射的增益物质；c)使用扫描电子显微镜、拉曼、原子力显微镜、透射电镜等表征手段表征所合成复合结构，然后在532nm飞秒激光泵浦下测试GaTe的发光性质。所述ZnO六角微米盘尺寸大小以及GaTe材料的厚度等参数通过调节气流量和温度等条件来控制。本发明高效而且合成可控，制备得到的GaTe/ZnO六角微米盘有很高的结晶质量，不仅对新型二维材料GaTe的合成有了更进一步的研究，而且第一次实现了GaTe单层激子激光发射。
一种实现碲化镓 gate 二维材料激子激光发射方法

[实用新型]一种具有NFC的面板-CN201821688627.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及面板技术领域，特别涉及一种具有NCF的面板；包括面板本体和NFC线圈，所述面板本体上设有gate走线层，所述gate走线层设有gate走线和开关，所述开关包括输入端和两个输出端，所述NFC线圈内嵌于gate走线层，所述输入端与外设的控制IC电连接，两个所述输出端分别与gate走线和NFC线圈电连接。将NFC线圈内嵌于面板gate走线层，使NFC线圈和面板合为一体，替代现有技术中将NFC模组设置在手机背后，能够有效增加面板的附加价值，降低手机整体成本和额外空间的占用。
走线层面板本体输出端输入端内嵌手机走线本实用新型线圈电连接额外空间合为一体面板技术整体成本电连接和面板控制IC 模组外设占用背后替代

[发明专利]一种高纯、高密度GaTe靶材的制备方法-CN202210192563.X在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供高纯、高密度GaTe靶材的制备方法，包括：用高纯Ga和Te颗粒为原料，于手套箱中装入石英管，将石英管抽真空后进行焊接密封；将石英管放入摇摆炉固定好后进行熔炼，熔炼完成后，在合金熔点以上将石英管取出后进行急冷，得到GaTe合金锭；将GaTe合金锭破碎成合金颗粒，然后于手套箱内破碎成粉末，经筛粉后得到GaTe合金粉；将合金粉进行预压得到合金坯体，再进行真空热压烧结得到GaTe合金毛坯，经加工后得到GaTe合金靶材所制备的靶材致密度高、纯度高、呈单一相、成分均匀性好、氧含量低，能很好地满足需求，克服了现有方法制备GaTe靶材产生杂相等问题。
一种高纯高密度 gate 制备方法

[发明专利]一种液晶显示器显示残影的改善方法-CN201610428550.2有效
发明人：廖亿彬;李冰;李孟祥;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示器显示残影的改善方法，该液晶显示器包括若干source线和若干gate线，所述source线和gate线分别由source驱动和gate驱动控制，每间隔一定帧数所述source驱动和gate驱动分别向所述source线和gate线发送电荷消除信号，在所述source线和gate线执行完电荷消除信号后，再执行下一帧正常画面信号。
一种液晶显示器显示改善方法

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