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[发明专利]非金属BCN/g-C3-CN201911204827.3有效
发明人：李春梅;武慧慧;董红军;张平凡;于思宇;张海波 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种非金属BCN/g‑C3N4范德华异质结光催化剂的制备方法及其应用，本发明中利用便捷高效的煅烧合成法将一步烧制出的Sub>3N4表面，形成结构稳定的BCN/g‑C3N4范德华异质结光催化剂，实现在可见光下稳定高效的光解水制氢；本发明制备的BCN/g‑C3N4范德华异质结光催化剂具有较高的稳定性和可重用性；此外，本发明方法简单、成本低廉，绿色无毒，具有很高的实用价值和应用前景。
非金属 bcn base sub

[实用新型]一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器-CN201921985764.5有效
发明人：王建禄;陈艳;王旭东;胡伟达;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本专利公开了一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的范德华异质结、金属源漏电极、铁电薄膜和半透明金属栅电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种具有各向异性的二维半导体，这两种半导体通过范德华力相结合，再运用电子束光刻技术与剥离技术制备金属电极，接着旋涂铁电聚合物薄膜，制备半透明金属电极，最终形成铁电局域场增强的偏振探测器区别于异质结光电探测器，该结构可实现高二向色性比、低功耗、快速响应的偏振探测器。
一种增强范德华异质结偏振探测器

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN201911196921.9在审
发明人：秦胜妍;屈军毅 -专利权人：深圳市立洋光电子股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件及其制备方法，光电器件包括第一电极、第二电极、n型层和p型层，所述p型层层叠在所述n型层上并且形成范德华异质结构，所述第一电极与所述n型层电连接，所述第二电极与所述p型层电连接；所述n型层的材料为SnS2，所述p型层的材料为GaSe。上述光电器件通过SnS2和GaSe形成范德华异质结构，将这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构设置在柔性衬底上进行光电特性检测时，发现这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构具有较佳的光电特性。应用了这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的光电器件会由于p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的较佳的光电特性而具有更好的性能
光电器件及其制备方法

[发明专利]一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法-CN202210023809.0在审
发明人：刘丹敏;徐国梁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料(Fe3GeTe2、Graphene)，叠层过渡族金属硫化物WSe，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用
一种基于范德华金属电极驱动光电探测器构筑方法

[发明专利]一种二维范德华异质结场效应晶体管及其制备方法-CN202310257918.3在审
发明人：周杨波;许方;廖霞霞;肖言发;王勇 -专利权人：南昌大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维范德华异质结场效应晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域。所述晶体管包括：SiO2/Si衬底；设置在衬底上的第一个二维材料层为半导体层；分别设置在所述第一个二维材料层两端的源电极和漏电极，在所述源电极和漏电极之间为沟道区；设置在第一个二维材料层上的第二个二维材料层为绝缘介质层；设置在第二个二维材料层上的栅电极。本发明提供的二维范德华异质结场效应晶体管在源极电压+0.1V情况下开关比高达106；接近理论极限的亚阈值摆幅；并且顶栅调制的传输曲线表现出很小的迟滞。
一种二维范德华异质结场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用-CN202210350539.4在审
发明人：王亚飞;邹涛;邹天成 -专利权人：王亚飞;邹涛;邹天成
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用，包括：钙钛矿薄膜和钙钛矿衬底；使用溶剂溶解第一钙钛矿，制备钙钛矿溶液；通过气相沉积或气相辅助沉积的方法，将第二钙钛矿制备成钙钛矿衬底；将钙钛矿溶液通过溶液法沉积在第二钙钛矿衬底上，形成钙钛矿薄膜后，制备成钙钛矿双层异质结；钙钛矿薄膜由以范德华键为主要化学构成的由相比较第二钙钛矿包含范德华键至少1.2倍的第一钙钛矿制备而成；钙钛矿衬底由以离子键和/或共价键为主要化学构成的第二钙钛矿制备而成；钙钛矿双层异质结用于制备太阳能电池、光电探测器、发光二极管、发光三极管等，本发明提到的双层异质结提高了光电器件的性能，以及降低了钙钛矿双层异质结的制备成本。
一种钙钛矿双层异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种湿度捕获凝胶、制备方法及应用-CN202110585969.X有效
发明人：罗洋辉;王聪;马淑华;董慧;张岚;方文霞 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明所述的湿度捕获凝胶由改性PVDF凝胶与二维范德华异质结材料共混制备而成，所述的改性PVDF凝胶为聚乙二醇改性的PVDF凝胶；所述的二维范德华异质结材料包括二维MOFs纳米片Zn(NCS)(C4N2H4)2；所述的二维范德华异质结材料与改性
一种湿度捕获凝胶制备方法应用

[发明专利]室温下具有垂直磁各向异性的异质结结构及其应用-CN202111002843.1在审
发明人：聂天晓;赵巍胜;张婕;曹凯华;王海宇;白月 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温下具有垂直磁各向异性的异质结结构及其应用。该异质结结构包括范德华拓扑材料层以及二维磁性材料层，其中，范德华拓扑材料层的厚度为5‑20nm，二维磁性材料层的厚度为1‑10nm。本发明还提供了包含上述异质结结构的室温全范德华自旋轨道矩磁存储器、基于拓扑绝缘体的室温全范德华磁电阻器件以及实现同或逻辑运算的装置，实现位计数运算的装置、实现矩阵向量乘法运算的装置以及相应的方法。本发明的技术方案实现了室温下垂直磁各向异性的异质结构以及自旋电子原型器件的构建，制备出的异质结结构以及自旋原型器件简单，制备方法操作简便。
室温具有垂直各向异性异质结结构及其应用

[发明专利]基于Ⅱ型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法-CN202210316769.9在审
发明人：霍能杰;张楠;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及基于Ⅱ型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法，其包括衬底，位于衬底上的MoTe2纳米片和GeSe纳米片，位于MoTe2纳米片和GeSe纳米片上的第一电极和第二电极，MoTe2纳米片与GeSe纳米片采用微机械剥离法获得，通过PVA干法转移设置部分层叠区域，部分层叠区域通过范德华力相互作用形成异质结，为载流子沟道层。
基于型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法

[发明专利]具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法-CN201811584882.5有效
发明人：张跃;柳柏杉;张铮;张先坤;杜君莉;肖建坤;胡津铭;王如意;王双欣;赵紫薇;熊向辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于材料应用技术领域，具体涉及一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法。上述器件构筑方法如下，在半导体基底上部分沉积绝缘层，在未沉积绝缘层的部分进行图案化处理外延生长半导体纳米线阵列，采用湿法转移技术将二维层状材料转移到上述阵列上，利用水分蒸发过程中的毛细作用诱导二维层状材料在半导体纳米阵列上产生周期性应变这种具有周期性应变的范德华异质结型光电器件为设计高性能的光电探测器提供了新的思路，具有重大的商业价值和深远的现实意义。
具有周期性应变范德华异质结型光电探测器制备方法

[发明专利]石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件-CN202110746535.3有效
发明人：贺园园;程娜;赵健伟 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，由单层石墨烯、双层碲烯和单层硼烯构成；沿水平方向D，双层碲烯自左至右由m1段、m2段和m3段组成，单层硼烯自左至右由n1段、n2段和n3段组成；单层石墨烯和m1段构成左电极区，m2段、m3段、n1段和n2段构成中心散射区，n3段构成右电极区；单层石墨烯沿水平方向D垂直堆叠在m1段上形成石墨烯/双层碲烯范德华异质结；m3段沿水平方向D垂直堆叠在n1段上形成双层碲烯/硼烯范德华异质结。本发明利用双层碲烯的晶格取向和水平施加电场的方向调控左电极与中心散射区间的横向肖特基势垒，增强光电二极管的整流效应，得到简易、高效的兼具高光探测率和高光响应度的异质结光电二极管。
石墨双层硼烯范德华异质结光电二极管器件

[发明专利]一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法-CN202010409014.4有效
发明人：陈晓龙;王琳;王太宏;宗新荣 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光
一种具有异质结红外发光二极管及其制备方法

[发明专利]混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法-CN202111128166.8在审
发明人：胡伟达;吴培松;王鹏;李庆;张莉丽;王芳;谢润章;苗金水;王振;贺婷;付晓;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP(NPN)异质结构。本发明的特点是将三维薄膜材料与二维范德华材料相结合，实现近红外/中红外室温探测，制作成本低、工艺简单易制备、探测率高、工作温度高。
混合维度范德华异质结室温红外探测器制备方法

[发明专利]基于多层二维材料的平面光致电子发射源-CN202110373997.5有效
发明人：刘仿;王哲宣;黄翊东;崔开宇;冯雪;张巍 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01J37/073 文献下载
摘要：本发明提供一种基于多层二维材料的平面光致电子发射源，包括泵浦源、阴极电源、栅极电源、电子收集器、范德华异质结，所述范德华异质结包括依次设置的石墨烯材料、绝缘二维材料、过渡金属硫化物材料，其中：所述泵浦源和过渡金属硫化物材料相互作用用于过渡金属硫化物材料中的价电子发生跃迁；所述阴极电源与过渡金属硫化物材料相连接，所述阴极电源用于提供电子；所述栅极电源与石墨烯材料相连接，用于为栅极提供偏压，降低材料势垒；所述电子收集器用于收集所述范德华异质结发射的电子束
基于多层二维材料平面致电发射

[实用新型]混合维度范德华异质结室温双色红外探测器-CN202122332477.8有效
发明人：胡伟达;吴培松;王鹏;李庆;张莉丽;王芳;谢润章;苗金水;王振;贺婷;付晓;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本专利公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP(NPN)异质结构。本专利的特点是将三维薄膜材料与二维范德华材料相结合，实现近红外/中红外室温探测，制作成本低、工艺简单易制备、探测率高、工作温度高。
混合维度范德华异质结室温红外探测器