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[发明专利]一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法-CN202110662008.4有效
发明人：侯斌;何静博;郭胤;李照;鲁红玲;胡长青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N‑漂移层的表面进行氧化层的淀积；通过光刻刻蚀形成有源区；在有源区内进行P型离子注入然后高温退火；在SiC晶圆背面退火完成欧姆接触电极；腐蚀氧化层，对边缘两侧的氧化层进行腐蚀保留，在SiC晶圆正面退火形成肖特基接触电极；在肖特基接触区通过阳极金属蒸发或溅射和钝化层淀积的交替进行，实现对肖特基接触区的保护；并在钝化层中光刻孔洞，形成上下层金属层之间的互联，高可靠SiC肖特基二极管制作完成。
一种可靠 sic 肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法-CN200610030559.4无效
发明人：张朝阳;姜宁;陶海燕 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法，在版图设计时，在沟槽型MOS芯片的一边预留肖特基二极管占用区域，在接触孔形成前所有工序都将肖特基二极管占用区域打开至硅平面，并按以下步骤操作：步骤一，在做接触孔时将肖特基二极管占用区域部分打开，肖特基二极管占用区域留下层间膜柱子；步骤二，接触孔注入；步骤三，接触孔的注入激活；步骤四，肖特基区光刻；步骤五，将肖特基区的层间膜去除；步骤六，金属层形成。本发明在制造深沟槽MOS器件的同时在器件的一边形成多个并联的肖特基二极管，从而在器件级实现在沟槽MOS器件中集成肖特基二极管。
集成肖特基二极管沟槽 mos 制作方法

[发明专利]用于半导体器件的肖特基接触结构及其形成方法-CN201880016366.4有效
发明人： K·塔巴塔比-阿拉维;K·程;C·J·麦克唐纳 -专利权人：雷声公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：一种用于半导体器件(10)的肖特基接触结构(18)具有肖特基接触部(20)以及设置在所述接触部上的用于所述接触结构的电极(22)。所述肖特基接触部包括：与半导体进行肖特基接触的由第一金属构成的第一层(24)；处于所述第一层上的由第二金属构成的第二层(26)；处于所述第二层上的由第一金属构成的第三层(28)；以及处于所述第三层上的由第二金属构成的第四层设置在所述肖特基接触部上的用于所述肖特基接触结构的电极包括第三金属(22)，所述第二金属提供抵抗在所述第三金属和所述第一金属之间的迁移的势垒。
用于半导体器件肖特基接触结构及其形成方法

[发明专利]一种肖特基二极管-CN200510111690.9无效
发明人：徐向明;李平梁 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的肖特基二极管，它可以在更精确地控制接触面积的前提下，有效地改善了肖特基结的侧面接触。它形成于一轻掺杂的N阱中，在N阱之上有硅化物合金层和至少一个接触区域，所述接触区域其具有高掺杂的N型层，所述硅化物合金层与N阱掺杂区域形成肖特基接触，所述硅化物合金层与接触区域形成欧姆接触，其中，在肖特基接触和欧姆接触之间有一层硅化物阻挡层，用于隔离肖特基接触和欧姆接触。
一种肖特基二极管

[发明专利]基于多肖特基结构的波长可调无机窄带光电探测器-CN202310600132.7在审
发明人：王莉;王全优;王艺飞;方昶月;潘艳;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了基于多肖特基结构的波长可调无机窄带光电探测器，其是以无机半导体作为衬底，在衬底的表面设置有与衬底呈欧姆接触的欧姆电极以及与衬底呈肖特基接触的肖特基电极；通过在肖特基电极附近的衬底表面区域另外设置至少一个与衬底呈肖特基接触的肖特基结区
基于多肖特基结构波长可调无机窄带光电探测器

[实用新型]具有肖特基二极管的半导体器件-CN202020208786.7有效
发明人：张永杰;陈伟钿;周永昌;李浩南;孙倩 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有肖特基二极管的半导体器件。根据一实施例，半导体器件包括：基底，基底具有第一面和第二面；阱区；源区，源区位于阱区中；接触区，接触区与阱区和源区接触；肖特基区；以及源金属层，源金属层与肖特基区接触形成肖特基二极管，与接触区接触形成欧姆接触，与源区接触形成欧姆接触，在与第一面朝向第二面的方向相垂直的第一平面内，肖特基区被阱区和接触区包围。
具有肖特基二极管半导体器件

[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管器件-CN202321111554.X有效
发明人：童彤;刘韵吉;乔纳森·莫尔特;杨敏红 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅肖特基二极管器件，包括基底和N‑外延层，在N‑外延层上分布PN结；功率SiC型肖特基二极管(SBD)是多单胞结构并联结构，每个单胞均为PN结，PN结分别为肖特基金属区和欧姆接触金属区，欧姆接触金属区、肖特基金属区分别有其面积；肖特基金属区：PN结欧姆接触金属区面积比即SBD:PiN＝3.0:3.25。
一种碳化硅肖特基二极管器件

[实用新型]一种肖特基接触有机光敏场效应管-CN201220186887.4有效
发明人：彭应全;吕文理;谢吉鹏;杨汀;姚博;陈德强 -专利权人：兰州大学
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构。其技术要点在于，它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。其结构可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触。对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属(例如铝、镁，等)作为漏极和源极，以形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属(例如铂、金，等)作为漏极和源极以形成电子肖特基接触。源漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此本实用新型的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。
一种肖特基接触有机光敏场效应

[发明专利]隧穿场效应晶体管-CN201811320069.7有效
发明人：施敏;柯亚威;张威;朱友华 -专利权人：南通大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。
场效应晶体管

[发明专利]一种以Bi₂Se₃薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法-CN201310335909.8有效
发明人：李含冬;高磊;李辉;王高云;罗思源;任武洋;艾远飞;巫江;周志华;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特基接触层与欧姆接触电极之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。本发明采用上述结构，能够使Bi2Se3与n型Si之间构成了稳定的肖特基结，另外，粘接层能使Bi2Se3单晶薄片与Si片有效地粘贴在一起，适于规模化生产，且异质结界面的质量能够得到保证。
一种 bi sub se 薄膜接触硅肖特基结制备方法

[发明专利]一种可见近红外宽带热电子光电探测器结构及其制备方法-CN202211227068.4在审
发明人：冯华钰;郭晨;焦锡檬;杨华荣 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种可见近红外宽带热电子光电探测器结构及其制备方法，包括由下自上依次设置的欧姆接触电极、宽禁带半导体衬底、纳米孔阵列及肖特基接触电极；肖特基接触电极覆盖在纳米孔阵列上。本发明使用宽禁带半导体与金属的肖特基接触，实现光子能量在肖特基势垒高度和半导体带隙之间的光吸收。本发明通过调节纳米孔阵列的结构，在肖特基接触电极上激发表面等离激元，从而增强光吸收、实现特定功能。
一种可见红外宽带电子光电探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法-CN201710101799.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器-CN201720168934.5有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器

[发明专利]氮化镓肖特基二极管的制备方法-CN201610099349.4有效
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉积钝化层；制备氮化镓肖特基二极管的阴极；在该钝化层的中心进行干法刻蚀，形成肖特基接触孔；在该肖特基接触孔内，该钝化层的表面和该阴极的表面沉积金属钛，形成欧姆金属层；对该欧姆金属层进行光刻，刻蚀和退火处理，形成呈栅状结构的欧姆金属结构；制备氮化镓肖特基二极管的阳极；其中，欧姆金属结构呈栅状结构，且被阳极包裹。从而实现在不影响氮化镓肖特基二极管输出性能的情况下，减小肖特基结面积，从而减小肖特基接触电阻，提高氮化镓肖特基二极管的器件性能和寿命。
氮化镓肖特基二极管制备方法

[实用新型]一种侧墙肖特基接触的碳化硅沟槽SBD器件元胞结构-CN202022448627.7有效
发明人：宋召海 -专利权人：华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种侧墙肖特基接触的碳化硅沟槽SBD器件元胞结构，所述元胞结构的沟槽底部及顶部凸起块的上部设置有离子注入形成的P型层，在沟槽的侧面淀积了金属并形成侧面的肖特基接触，即侧墙肖特基接触，所述侧墙肖特基接触的外围包裹了阳极金属层本申请中P型区将侧墙的肖特基区包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽；而沟槽的底部表面及顶部凸起块的顶部表面处P型层具有表面高浓度分布，与阳极金属间形成欧姆接触，以增强器件的抗浪涌电流能力。
一种侧墙肖特基接触碳化硅沟槽 sbd 器件结构