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[发明专利]一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法-CN201010157559.7有效
发明人：卜建辉;毕津顺;习林茂;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，该方法包括：步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度；步骤3：对绝缘体上硅器件做加速应力实验；步骤4：预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命。
一种预测绝缘体器件载流子寿命方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202010661732.0在审
发明人：施宏霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底具有位于有源层与基础层之间的绝缘体层。半导体器件及浅沟槽隔离结构设置在绝缘体上硅衬底的前侧上。半导体芯结构连续地环绕半导体器件且穿过浅沟槽隔离结构并朝绝缘体上硅衬底的后侧延伸。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分环绕半导体芯结构的第一最外侧壁及第二最外侧壁。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分分别具有第一突起及第二突起。第一突起及第二突起配置在浅沟槽隔离结构与绝缘体上硅衬底的绝缘体层之间。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法-CN201810286263.1有效
发明人：马雁飞;王昌锋;廖端泉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法，制造方法包括：提供复合衬底，复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和绝缘体上硅层；在绝缘体上硅层上表面外延生长硅锗层；沉积硬掩膜层以覆盖硅锗层对应N型MOS管区域的部分；沉积表面氧化物层以覆盖硅锗层和硬掩膜层；进行高温退火处理，以使绝缘体上硅层对应P型MOS管区域的部分转化为绝缘体上硅锗层，对应N型MOS管区域的部分转化为拉应力绝缘体上硅层；以及去除绝缘体上硅锗层和拉应力绝缘体上硅层表面多余的硅锗层
一种具有应力绝缘体结构及其制造方法

[发明专利]三维集成晶片元件及其形成方法-CN202210382248.3在审
发明人：庄学理;黄文铎;林新富;吴伟成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种三维集成晶片元件及其形成方法，在一些实施方式中，本揭露涉及一种包含绝缘体上硅(SOI)基材的元件。第一半导体元件设在绝缘体上硅基材的正面上。互连结构布置在绝缘体上硅基材的正面上方，且耦合第一半导体元件。浅沟渠隔离(STI)结构布置在绝缘体上硅基材的正面中，且围绕第一半导体元件。第一及第二深沟渠隔离(DTI)结构从浅沟渠隔离结构延伸至绝缘体上硅基材的绝缘体层。部分的第一与第二深沟渠隔离结构透过绝缘体上硅基材的主动层彼此分开。背面穿基材介层窗(BTSV)从绝缘体上硅基材的背面完全延伸穿过绝缘体上硅基材至正面。背面穿基材介层窗直接布置在第一与第二深沟渠隔离结构间。
三维集成晶片元件及其形成方法

[发明专利]一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511017174.X在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管栅极的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间或底部保留有部分绝缘层的凹槽；CMOS器件，制作于所述绝缘体岛上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道两侧制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在绝缘体岛上硅衬底上制作CMOS器件，所述绝缘体岛上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道两侧的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间或底部保留有部分绝缘层的凹槽，以在CMOS器件体区下方设置空洞或挖空区域
一种基于绝缘体岛上衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]局部化SOI上方的无电容器DRAM-CN200680020345.7有效
发明人：苏拉·马修;吉格伊什·D·特里维迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-05-05 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种在局部化绝缘体上硅上方形成无电容器DRAM的方法，其包含以下步骤：提供硅衬底(10)；以及在所述硅衬底内界定硅柱(16)阵列。在所述硅衬底(10)的至少一部分顶部且在所述硅柱(16)之间界定绝缘体层(18)。在所述绝缘体层(18)顶部所述硅柱(16)周围界定绝缘体上硅层(22、24)，且在所述绝缘体上硅层(22、24)内部和上方形成无电容器DRAM(26－40)。
局部 soi 上方电容器 dram

[发明专利]具有背侧支撑层的绝缘体上半导体-CN201080031818.X有效
发明人： S.B.莫林;P.A.尼加德;M.A.斯图伯 -专利权人： IO半导体公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例为绝缘体上半导体(SOI)结构提供了有效支撑。本发明实施例还可为SOI结构提供改进的散热性能，同时保持SOI结构所伴随的有益的电器件特性。在一个实施例中，公开了一种集成电路。集成电路包括：来自绝缘体上硅晶圆的绝缘体上硅芯片。所述绝缘体上硅芯片具有有源层、绝缘层、基板以及加强层。所述基板由挖掉的基板区域和支撑区域组成，所述支撑区域与所述绝缘层接触。所述支撑区和所述加强层域被配置成共同作用，以便在从所述绝缘体上硅晶圆切片出所述绝缘体上硅芯片时为所述绝缘体上硅芯片提供所需的大部分稳定力。
具有支撑绝缘体上半导体

[发明专利]具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法-CN201010278735.2有效
发明人：李乐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提出一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，金属接触孔贯穿层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与衬底层接触。这种绝缘体上硅衬底硅片的制作方法也一并提出。本发明所揭露的绝缘体上硅衬底硅片，在SOI衬底中形成金属接触孔，消除了氧化掩埋层对于热量的阻挡，增大SOI衬底的导热能力。
具有散热结构绝缘体衬底硅片及其制成方法

[发明专利]一种制造密封结构的方法-CN201180019427.0无效
发明人：佐蒙德·基特尔斯兰德;丹尼尔·勒珀达图;西塞尔·雅各布森;特朗德·维斯特高 -专利权人：森松诺尔有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种在用于制造密封结构的硅－绝缘体复合晶片内提供密封的方法，包括步骤：图案化第一硅晶片，以使该第一硅晶片具有至少部分地延伸穿过该第一硅晶片的一个或多个凹槽；利用绝缘体材料填充所述凹槽，该绝缘体材料能够被阳极键合到硅，以形成具有多个硅－绝缘体界面和由绝缘体材料组成的第一接触表面的第一复合晶片；以及在该第一接触表面以及与其相对的第二接触表面上利用阳极键合技术，以在硅－绝缘体界面间产生密封，其中，该第二接触表面由硅组成
一种制造密封结构方法

[发明专利]测辐射热仪-CN201480065927.1有效
发明人：大卫·贡纳松;伊万·帕克;马丁·普雷斯特;米卡·普伦尼拉;特伦斯·霍尔 -专利权人：华威大学
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(9₁；图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(9₂)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10)，在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中，谷简并度至少部分地被提升。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括介电材料层(13₁、13₂)。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括非简并掺杂半导体层。
辐射热

[发明专利]一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511018014.7在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，包括：图形化绝缘体上硅衬底，所述图形化绝缘体上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；CMOS器件，制作于所述图形化绝缘体上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在图形化绝缘体上硅衬底上制作CMOS器件，所述图形化绝缘体上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层，以在CMOS器件体区下方设置空洞，可以大大增加后续制备
一种基于图形绝缘体衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511018026.X在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间的凹槽；CMOS器件，制作于所述绝缘体岛上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在绝缘体岛上硅衬底上制作CMOS器件，所述绝缘体岛上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间的凹槽，以在CMOS器件体区下方设置空洞，可以大大增加后续制备CMOS器件的可靠性
一种基于绝缘体岛上衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]一种光电集成硅光芯片及其制备方法、半导体器件-CN202310823317.4在审
发明人：孙旭;刘晟昊;胡朝阳 -专利权人：苏州海光芯创光电科技股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种光电集成硅光芯片及其制备方法、半导体器件，包括：绝缘体上硅衬底；绝缘体上硅衬底包括由下至上层叠的基底、绝缘层和单晶硅层；设于单晶硅层区域的集成光路部件；设于基底区域的集成电路部件；硅通孔；在绝缘体上硅衬底的厚度方向上，硅通孔贯通绝缘体上硅衬底；设于绝缘体上硅衬底上表面的第一导电互联结构，第一导电互联结构分别与集成光路部件、硅通孔电连接；设于绝缘体上硅衬底下表面的第二导电互联结构，第二导电互联结构分别与集成电路部件、硅通孔电连接。本申请中集成光路部件和集成电路部件均设在绝缘体上硅衬底上，集成电路部件设置在下表面，可以简化制作工艺，降低制作工艺难度，提升加工良率。
一种光电集成芯片及其制备方法半导体器件

[发明专利]NORD Flash器件及其制作方法-CN202211060266.6在审
发明人：王进峰;张剑;金宏峰;王辉;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种NORD Flash器件及其制作方法，该NORD Flash器件至少包括：绝缘体上硅衬底；设置于绝缘体上硅衬底中的隔离部件；设置于隔离部件内侧的绝缘体上硅衬底中的绝缘体层下方的背栅极区；设置于绝缘体上硅衬底上的NORD Flash元胞；设置于绝缘体上硅衬底中的体引出区，隔离部件构成体引出区与NORD Flash元胞之间的绝缘阻障物。通过改变对体引出区的施加电压来改善背栅极区对NORD Flash器件沟道区的控制效果，可以增加对沟道区控制的自由度。
nord flash 器件及其制作方法

[发明专利]一种FDSOI的制作方法-CN202110330231.9在审
发明人：关天鹏;冷江华;李中华;陈宇峰;李楠;田明 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI的制作方法，提供半导体结构，该半导体结构包括硅基底；位于硅基底上的埋氧层；位于埋氧层上的绝缘体上硅；位于绝缘体上硅的硬掩模层；在硬掩模层上旋涂光刻胶并曝光显影，形成体硅区；等离子各向异性刻蚀体硅区，打开部分埋氧层；之后进行各向同性刻蚀，绝缘体上硅在水平方向上形成内缩；等离子各向异性刻蚀，将埋氧层刻穿，形成体硅区沟槽；去除光刻胶及刻蚀残余物；在体硅区沟槽中进行硅外延生长。相对于现有技术中的FDSOI制作方法，本发明的绝缘体上硅形成内缩，体硅区沟槽形成后绝缘体上硅仍然内缩，绝缘体上硅的表面没有隆起，工艺窗口得到控制。
一种 fdsoi 制作方法

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