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[发明专利]用于纳米桥弱链接的硅化纳米线-CN201610143130.X有效
发明人：张慎明;P·常;G·M·科恩;M·A·圭罗恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线
用于纳米链接

[实用新型]米线机加热组件-CN201921556067.8有效
发明人：卫述勇 -专利权人：成都宏光数创机械设备有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： A23L7/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及食品加工设备组件技术领域，且公开了米线机加热组件，包括环形蓄水箱及搅拌箱，搅拌箱的外侧壁与环形蓄水箱的内侧壁固定连接，环形蓄水箱的内部前后两侧均设有竖直设置的转杆，转杆的上下两端分别与环形蓄水箱的上下内壁固定连接本实用新型能够快速的对米线原料进行均匀有效加热，避免米线原料出现未成熟的现象，保证了加工后米线的口感，同时可以方便人们根据自身需求对原料进行定量投放，利于人们使用。
米线加热组件

[发明专利]一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形化方法-CN201010230775.X有效
发明人：梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种纳米线堆叠结构，所述纳米线堆叠结构形成于第一半导体层上且由第二半导体层构成；所述纳米线堆叠结构包括至少一个纳米线组和相对的两个半导体基体，每一纳米线组包括至少两个纳米线，各所述纳米线分立，各所述纳米线包括第一端和第二端，各所述第一端和所述第二端分别接于各所述半导体基体，在同一所述纳米线组内，各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。还提供了一种纳米线堆叠结构的形成方法。利于增加集成度。
一种纳米堆叠结构及其形成方法半导体图形

[发明专利]全包围栅晶体管的可变栅极宽度-CN201180075972.1有效
发明人： W·拉赫马迪;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;S·H·宋 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文中描述了具有一个或多个有效纳米线和一个或多个无效纳米线的基于纳米线的全包围栅晶体管器件。还描述了制造这种器件的方法。本发明的一个或多个实施例涉及改变包括具有不同数量的纳米线的纳米线堆叠体的晶体管结构的栅极宽度的方法。所述方法包括通过分离沟道区、掩埋源极和漏极区或二者来使一定数量的纳米线无效(即从而电流不流过纳米线)。总的来说，可以通过使一定数量的纳米线无效、而保持其它纳米线为有效来改变具有多个纳米线的基于纳米线的结构的栅极宽度。
包围晶体管可变栅极宽度

[发明专利]垂直堆叠的纳米线场效应晶体管-CN201780008884.7有效
发明人： V·马赫卡奥特桑;S·S·宋;M·巴达罗格鲁;J·J·朱;J·鲍;J·J·徐;D·杨;M·M·诺瓦克;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种器件包括基板、第一纳米线场效应晶体管(FET)、以及被置于基板和第一纳米线FET之间的第二纳米线FET。该器件还包括电耦合到第一纳米线FET和第二纳米线FET的第一纳米线。
垂直堆叠纳米场效应晶体管

[发明专利]用于晶体管集成的纳米线-CN201680082988.8有效
发明人： G·A·格拉斯;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;K·贾姆布纳坦 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文描述的特定实施例提供了可以包括纳米线沟道的一种电子器件。纳米线沟道可以包括纳米线，并且纳米线可以间隔开大约十五(15)埃或小于15埃。纳米线沟道可以包括多于十(10)个纳米线，并且可以由MXene材料建立。
用于晶体管集成纳米

[发明专利]MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器-CN201210395263.8无效
发明人：蒋大勇;赵曼;梁庆成;高尚;赵建勋;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列，由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器，属于半导体光电技术领域本发明之MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器下电极位于硅衬底背面，MgZnO纳米线分布在硅衬底正面，上电极位于MgZnO纳米线上面，并与MgZnO纳米线欧姆接触，其特征在于，所述MgZnO纳米线竖直等高、整齐分布，构成MgZnO纳米线阵列。
mgzno 纳米阵列紫外光电探测器

[发明专利]可集成多信道色散补偿器-CN200610089446.1无效
发明人：刘育梁;耿敏明;程振杰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明一种可集成多信道色散补偿器，其特征在于，包括：一衬底；一第一纳米线波导，该第一纳米线波导制作在衬底上；一第二纳米线波导，该第二纳米线波导制作在衬底上；一第一光栅，该第一光栅制作在第一纳米线波导上，光信号被第一光栅耦合出第一纳米线波导；一第二光栅，该第二光栅制作在第二纳米线波导上，从第一光栅耦合出来的光信号被第二光栅耦合入第二纳米线波导；其中该第一纳米线波导、第二纳米线波导平行并列在衬底上。
集成信道色散补偿

[发明专利]ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法-CN201811065138.4有效
发明人：刘志强;程成;伊晓燕;张勇;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的
zno gan 异质结纳米开关及其制备方法

[发明专利]半导体元件-CN201710655472.4在审
发明人：吉尔本·朵尔伯斯;林仲德;马克范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体元件，包含设置于基材上的第一与第二纳米线结构，第一及第二纳米线沿着第一方向延伸。第一纳米线结构包含多个第一纳米线。第一纳米线沿着第一方向延伸且沿着垂直第一方向的第二方向排列。第二纳米线结构包含多个第二纳米线。第二纳米线沿着第一方向延伸且沿着第二方向排列。第一与第二纳米线的材料不同。相邻纳米线彼此间隔。多个第一及第二栅极结构分别于环绕局部的第一及第二纳米线。第一纳米线沿着第二方向的高度与紧邻的第二纳米线沿着第二方向的间隔距离不相等。
纳米线纳米线结构方向延伸半导体元件方向排列栅极结构间隔距离相邻纳米栅极电极不相等基材垂直环绕

[发明专利]氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管-CN202110429100.6在审
发明人：卓恩宗;夏玉明;许哲豪;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管。所述氧化铟锡纳米线的制备方法包括如下步骤有：提供介孔分子模板，所述介孔分子模板含有纳米线形介孔；在惰性环境中，向所述介孔分子模板所含的所述纳米线形介孔中脉冲交替通入氧化铟锡反应源气体，在所述纳米线形介孔中原位原子层沉积氧化铟锡纳米线前驱体；将所述氧化铟锡纳米线前驱体进行退火处理，在所述纳米线形介孔中原位生成氧化铟锡纳米线；再除去所述介孔分子模板。所述氧化铟锡纳米线制备方法制备的氧化铟锡纳米线形介孔尺寸可控，长径比大，曲挠性优异，而且生成的氧化铟锡纳米线不会发生团聚。而且制备工艺易控，制备效率高，能够有效保证制备的氧化铟锡纳米线尺寸稳定。
氧化纳米及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]定向SiC纳米线阵列表面二次生长超细SiC纳米线、制备方法及应用-CN202310467184.1在审
发明人：殷学民;刘慧敏;刘冰;张欣;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种定向SiC纳米线阵列表面二次生长超细SiC纳米线、制备方法及应用，首先采用催化剂辅助化学气相沉积工艺在碳纤维布表面制备定向SiC纳米线阵列，随后以定向SiC纳米线顶端催化剂颗粒为二次生长SiC纳米线的催化剂，采用负压化学气相沉积工艺在定向SiC纳米线顶端二次原位生长超细SiC纳米线，得到类似洋葱花形状的多级结构SiC纳米线。所制备的多级结构SiC纳米线在多个领域具有可观的发展前景。超细SiC纳米线生长方向随机分布，纳米线间弯曲缠绕形成三维网络结构，增大了基底的比表面积，可在超级电容器电极方面具有广泛应用潜力；此外，超细SiC纳米线与定向SiC纳米线阵列的结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化领域应用前景广阔
定向 sic 纳米阵列表面二次生长制备方法应用

[发明专利]一种基于激光热力耦合效应的金属纳米线冲击焊接装置及方法-CN202111076712.8在审
发明人：胡耀武;张啸寒;赵哲;黄正;何亚丽;刘健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光热力耦合效应的金属纳米线冲击焊接装置及方法，包括激光器、金属纳米线及在线监测系统；正向脉冲激光束对所述金属纳米线进行冲击作业；同时反向加热激光束对所述金属纳米线进行加热作业；金属纳米线上部从上到下依次设有约束层、吸收层和保护层，金属纳米线下部设有约束层；在线监测系统用于实时监测金属纳米线的焊接情况。本发明通过等离激元进行金属纳米线节点区域的有效加热，并借助脉冲激光冲击纳米线，缩短相邻纳米线间距，减少虚搭现象，强化加热效果，可在金属纳米线整体不熔化的情况下，实现空间交错纳米线的高可靠性焊接作业，是一种新颖的、可行性高、适用范围广的金属纳米线焊接方法。
一种基于激光热力耦合效应金属纳米冲击焊接装置方法

[发明专利]一种室温键合ITO纳米线的装置和方法-CN201610105967.5有效
发明人：万能 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明给出一种室温键合氧化铟锡纳米线的方法，将待焊接的纳米结构A和作为焊接材料的纳米线B设置于探针尖端正对样品台的一侧表面，探针尖端制备电子束辐照敏感的高分子固化材料；利用大尺度位移装置和小尺度位移装置控制探针往作为焊接材料的纳米线B移动，使探针和纳米线B顶端接触；利用探针尖端粘合并固化纳米线B；控制探针移动，使用探针折断纳米线B并将其移动到待焊接的A表面并接触，进行冷焊接，通过电学测试单元监测纳米线的焊接过程，当纳米线之间的接触电阻率与纳米线本身的电阻率相当时利用电子束或者离子束刻蚀并切断纳米线B与探针的连接，并使纳米线B保持与纳米线A相连接，实现纳米线结构在室温下的键合。
一种室温 ito 纳米装置方法

[发明专利]一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法-CN202110115195.4有效
发明人：吴志明;白宇昕;李春雨;苟君;董翔;王军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明涉及氮化铌纳米线制备技术领域，具体涉及一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法，采用优化的斜靶射频磁控溅射镀膜技术在衬底表面沉积了氮化铌薄膜；采用电子束曝光在电子束光刻层上影印氮化铌纳米线图形，采用反应离子刻蚀将图形转移到氮化铌薄膜上，得到超导氮化铌纳米线；采用反应离子刻蚀技术刻蚀转移了多孔阳极氧化铝AAO模板的氮化铌纳米线，构建超导多孔氮化铌纳米线。多孔超导氮化铌纳米线减小了纳米线的表面积，在相同有效表面积下纳米线宽度增加，降低纳米线的制备难度，同时更小的有效纳米线宽度可以使探测波长更长，得到易制备高性能的纳米线结构，可以将其用于超导纳米线单光子探测器中
一种多孔超导氮化纳米及其制备方法