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[发明专利]一种在SQUID芯片上集成超导针尖的方法-CN202310858375.0在审
发明人：项秉坷;王熠华 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明属于超导量子器件技术领域，具体为一种在SQUID芯片上集成超导针尖的方法。本发明方法主要包括：运用飞秒激光三维激光直写在芯片上打印针尖主体，接着进行绝缘层和超导层的生长蒸镀，再利用聚焦离子束刻蚀进行纳米级修饰加工。本发明得到超导针尖可以起到会聚磁场的作用，同时还为芯片拓展原子力显微、隧穿电流显微等能力。
一种 squid 芯片集成超导针尖方法

[发明专利]一种超导单光子探测器及其制备方法-CN202310756332.1在审
发明人：张蜡宝;刘康洁 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导单光子探测器，包括双面热氧化二氧化硅衬底，双面热氧化二氧化硅衬底的表面设置超导微米带，超导微米带的两端设置电极，超导微米带上设置基于儒阔夫斯基函数的孔，孔为由儒阔夫斯基函数变换的封闭形状并形成孔阵列。本发明还公开了超导单光子探测器的制备方法，包括以下步骤：采用磁控溅射法在双面热氧化二氧化硅衬底上生长超导薄膜；在超导薄膜上生长电极；采用电子束曝光法和反应离子刻蚀法在超导薄膜上制得超导微米带。本发明制备工艺简单，在实现单光子探测的同时，降低工艺制备难度，能够缓解拐角处的电流拥挤效应，耦合效率高，光敏面积大；利用孔附近的电流拥挤分担拐角处的电流拥挤现象，提升整体器件超导电流。
一种超导光子探测器及其制备方法

[发明专利]一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法-CN202010952813.6有效
发明人：王争;张文;钟家强;史生才 -专利权人：中国科学院紫金山天文台
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善超导钛‑铌薄膜接触电极的制备方法，具有这样的特征：包括步骤如下：步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，原位再沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。本发明在超导钛‑铌薄膜之间沉积一层缓冲层钛薄膜，可有效阻隔铌薄膜内的杂质分子向超导钛薄膜扩散，进而保持超导钛薄膜的超导特性稳定。
一种改善超导薄膜接触电极制备方法

[发明专利]约瑟夫森结制备方法及生产线设备-CN202210324371.X在审
发明人：卜坤亮;张文龙;李登峰 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请关于一种约瑟夫森结制备方法及生产线设备，涉及微纳加工技术领域。该方法包括：在基底上制备包含底切结构的光刻胶膜层；底切结构包含第一条形开孔、第二条形开孔；以第一角度对光刻胶膜层进行倾斜于基底的蒸镀，以透过第一条形开孔在底切结构的基底上制备第一条形超导层；以第二角度对光刻胶膜层进行倾斜于基底的蒸镀，以透过第二条形开孔在底切结构的基底上制备第二条形超导层；第一条形超导层与第二条形超导层相互交叉；且第一条型超导层与第二条形超导层的相交处以氧化层相隔离，以构成约瑟夫森结。本方案不会带来其它的寄生结，从而提高了量子比特组件的相干性。
约瑟夫制备方法生产线设备

[发明专利]一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法-CN202110115195.4有效
发明人：吴志明;白宇昕;李春雨;苟君;董翔;王军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明涉及氮化铌纳米线制备技术领域，具体涉及一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法，采用优化的斜靶射频磁控溅射镀膜技术在衬底表面沉积了氮化铌薄膜；采用电子束曝光在电子束光刻层上影印氮化铌纳米线图形，采用反应离子刻蚀将图形转移到氮化铌薄膜上，得到超导氮化铌纳米线；采用反应离子刻蚀技术刻蚀转移了多孔阳极氧化铝AAO模板的氮化铌纳米线，构建超导多孔氮化铌纳米线。多孔超导氮化铌纳米线减小了纳米线的表面积，在相同有效表面积下纳米线宽度增加，降低纳米线的制备难度，同时更小的有效纳米线宽度可以使探测波长更长，得到易制备高性能的纳米线结构，可以将其用于超导纳米线单光子探测器中，为SNSPD的制备提供新思路及扩大应用范围。
一种多孔超导氮化纳米及其制备方法

[发明专利]一种空气桥的制备方法-CN202310731446.0在审
发明人：张儒辉;梁潇;孟铁军;项金根 -专利权人：深圳量旋科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气桥的制备方法，涉及量子芯片技术领域，包括以预设的曝光剂量分布对电子束光刻胶中的空气桥区域进行灰度曝光，在空气桥区域中形成桥撑结构；曝光剂量分布中，对应桥墩区域的曝光剂量大于对应桥面区域的曝光剂量，且从桥墩区域至桥面区域的曝光剂量均匀变化；空气桥区域外侧不进行曝光；在进行曝光之后，对电子束光刻胶进行显影，在空气桥区域中制成桥撑；在设置超导层后，去除设置在侧壁表面的超导层，剥离电子束光刻胶，制成空气桥。基于电子束灰度曝光，可以在一次曝光显影过程中形成具有斜面的桥撑结构，以及在桥撑四周形成垂直的侧壁。之后可以选择性去除侧壁表面的超导层，最后在剥离电子束光刻胶，以减少工艺步骤。
一种空气制备方法

[发明专利]量子信息处理器件的形成方法-CN201780094503.1有效
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：提出了一种用于形成量子信息处理器件的至少部分的方法。该方法包括：在衬底(10)的主表面上提供由第一导电材料(100')形成的第一导电层；在第一导电材料上沉积电介质材料层；图案化电介质材料层，以形成电介质材料垫并暴露第一导电层的第一区域；在电介质材料垫上并且在第一导电层的第一区域上沉积第二导电层(104')；图案化第二导电层；以及使用各向同性气相蚀刻去除电介质材料垫。
量子信息处理器件形成方法

[发明专利]超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置-CN202310150686.1在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置，属于超导电路技术领域。所述超导电路的制备方法，它包括：提供衬底，所述衬底上形成有具有短路缺陷的超导电路；确定所述短路缺陷所处的短路位置，并根据所述短路位置确定曝光版图；形成掩膜于所述衬底，并根据所述曝光版图图形化所述掩膜；以及，利用所述掩膜刻蚀使所述短路位置断开以获得去除所述短路缺陷的超导电路。与现有技术相比，本申请提供的技术方案能够实现量子芯片上传输线路的短路缺陷修复。
超导电路制备方法系统存储介质电子装置

[发明专利]超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置-CN202310150641.4在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置，属于超导电路技术领域。所述超导电路的制备方法，它包括：提供衬底，所述衬底上形成有具有断路缺陷的超导电路；确定所述断路缺陷所处的断路位置，并根据所述断路位置确定曝光版图；形成掩膜于所述衬底，并根据所述曝光版图图形化所述掩膜；以及，利用所述掩膜在所述断路位置镀膜获得连通的超导电路。与现有技术相比，本申请提供的技术方案能够实现量子芯片上超导电路的断路缺陷修复。
超导电路制备方法系统存储介质电子装置

[发明专利]一种倒装芯片及其制备方法-CN202310315826.6在审
发明人：请求不公布姓名;张辉 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装芯片及其制备方法，属于倒装芯片技术领域。本申请提供的方法，通过先以第一压力强度将位于第一组相邻基底上且具有第一抗压强度的第一互连元件两两对置接合，再以第二压力强度将位于第二组相邻基底上且具有第二抗压强度的第二互连元件两两对置接合，其中，第二组相邻基底和第一组相邻基底共有一个基底，第二抗压强度小于第一压力强度及第一抗压强度，由于第二压力强度、第二抗压强度均小于第一压力强度，第一抗压强度，因此施加第二压力强度不会导致第一互连元件发生形变，即在后倒装焊接步骤不会导致在先倒装焊接步骤接合的互连元件发生变形，从而有助于确保在先倒装焊接的第一组相邻基底之间间距仍保持原有的一致性。
一种倒装芯片及其制备方法

[发明专利]用于刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法-CN202310914663.3在审
发明人：燕羽;相忠诚;宋小会;许凯;范桁;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供一种用于刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法，其包括如下步骤：(1)在衬底上形成金属膜；(2)在所述金属膜上形成光刻胶涂层；(3)采用布尔函数取反变换对所述光刻胶涂层进行曝光和显影；(4)在步骤(3)曝光和显影后所形成的结构上形成掩膜层；(5)去除光刻胶以在所述金属膜上留下具有期望图案的掩膜层；(6)对步骤(5)所形成的结构中的金属膜进行刻蚀，以形成具有期望图案的金属膜；(7)去除掩膜层；其中，所述掩膜层由选自金和/或铂的材料形成。本发明的方法可以长时间稳定的刻蚀金属膜，用以制备高质量的基于金属膜的量子比特芯片。
用于刻蚀基于金属膜超导量子比特芯片方法

[发明专利]用于测量非局部电导的方法和装置-CN202180090168.4在审
发明人： E·A·马丁内斯;S·瓦伊缇克纳斯;L·卡斯帕里斯;E·B·汉森 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：提供了用于测量半导体‑超导体混合器件的半导体组件的非局部电导的方法。半导体‑超导体混合器件包括：半导体组件，半导体组件具有第一端子和第二端子；第一栅极电极用于静电选通第一端子；第二栅极电极用于静电选通第二端子；以及超导体组件被配置为能够与半导体组件进行能级杂化。方法包括：将第一栅极电压施加到第一栅极电极以将第一端子选通到开放机制；将第二栅极电压施加到第二栅极电极以将第二端子选通到隧穿机制；将偏置电压施加到第一端子；以及在施加第一栅极电压、第二栅极电压和偏置电压时，测量通过第二端子的电流；其中在测量期间超导体组件被接地。还提供了可用于执行方法的装置以及存储使装置执行方法的代码的计算机可读介质。
用于测量局部电导方法装置

[发明专利]一种磁通调控信号线的制造方法及量子计算芯片-CN202310443137.3在审
发明人：请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁通调控信号线的制造方法，属于超导电路领域。所述制造方法制，通过先在衬底上形成第一超导层，然后图形化所述第一超导层获得共面波导传输线，再测试共面波导传输线的中心导体的电学特性是否存在短路异常，当电学特性不存在短路异常时，再形成第二超导层电连接中心导体和地。本申请将相关技术中通常采用一次图形化制备的一层结构划分成两层结构分步制备，且在第一层的电学检测没有异常时再制备第二层，从而避免了第二层的接地作用对电学检测的影响，可以有效的确定磁通调控信号线是否有异常接地而短路的问题。
一种调控信号线制造方法量子计算芯片

[发明专利]一种空气桥及其制造方法和超导量子器件-CN202310456969.9在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种空气桥及其制造方法和超导量子器件，属于超导电路领域。所述方法包括先在目标元件上形成掩膜图形层，该掩膜图形层包括桥面支撑部和桥墩限定部，桥面支撑部位于两个桥墩限定部之间，且桥面支撑部和桥墩限定部之间形成有沉积窗口再在桥面支撑部位于所述沉积窗口内的侧面和背离目标元件的正表面以及在目标元件位于沉积窗口内的表面均沉积镀膜材料，并去除桥面支撑部、桥墩限定部和位于桥墩限定部上的镀膜材料以获得空气桥。本申请提供的方案针对性的在支撑部位于所述沉积窗口内的侧面沉积的镀膜材料，它能够对桥面和桥墩的连接形成支撑加固，从而能够提高空气桥稳定性，防止桥墩对桥面的支撑强度不足而引起坍塌。
一种空气及其制造方法超导量子器件

[发明专利]倒装焊接方法及量子芯片的制造方法-CN202310485258.4在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装焊接方法及量子芯片的制造方法，属于倒装芯片技术领域。所述制造方法先将第一芯片置于第一压板，并将第二芯片置于与第一压板对置的第二压板，且确保位于第二芯片的第二互连元件和位于第一芯片的第一互连元件对准，再相对的移动所述第一压板和所述第二压板以施加压力使所述第一互连元件和所述第二互连元件接合，然后在所述第一芯片上确定处于相对侧的第一边界和第二边界，并确定第一边界和第二边界与所述第二芯片的间距的偏差，最后调整所述压力并调整第一压板对所述第一芯片的作用面或者调整第二压板对所述第二芯片的作用面以消除所述偏差，从而使倒装焊接互连的芯片间距一致性较高。
倒装焊接方法量子芯片制造

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