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[发明专利]制造和维护光掩摸的方法-CN201910922314.X在审
发明人：杨淳复;许倍诚;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：一种方法包括将在其表面上具有污染物的光掩模放置在等离子体处理腔室中。在等离子体处理腔室中对被污染的光掩模进行等离子体处理，以从表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体和氢等离子体。
制造维护光掩摸方法

[发明专利]用于等离子体过滤的系统和方法-CN201910863983.4在审
发明人： S·朴;T·Q·特兰;N·卡尔宁;D·卢博米尔斯基;A·德瓦拉孔达 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开涉及用于等离子体过滤的系统和方法。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。
基板支撑件等离子体屏蔽件处理腔室等离子体耦合喷淋头过滤电源等离子体泄漏偏压等离子体处理区域处理系统电气接地电气耦合可用穿过制定

[发明专利]用于在氧化物膜中掺入氮的方法和装置-CN200680028471.7有效
发明人：佐藤达也;帕特里夏·M·刘;法诺斯·克里斯图杜鲁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：第一方法包括步骤：(1)用高强度等离子体将处理室预处理；(2)将衬底装入所述处理室；和(3)在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化。预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离子体功率高至少150％。本发明还提供许多其它方面。
用于氧化物掺入方法装置

[发明专利]等离子体处理室中的边缘环磨损的补偿的方法和装置-CN03822314.7有效
发明人：罗伯特·J·斯蒂格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2003-09-16 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于在等离子体处理系统的等离子体处理室中处理多个衬底的方法。在处理期间，每个衬底都位于卡盘上且由边缘环围绕。该方法包括根据给定处理方案在等离子体处理室中处理多个衬底中的第一衬底。该方法进一步包括其后将沿着在等离子体处理室中的等离子体鞘层与卡盘之间穿过边缘环的电容通路的电容的电容值调节给定值。该方法还包括在调节之后，根据给定处理方案在离子体处理室中处理多个衬底中的第二衬底，其中执行的调节不需要更换边缘环。
等离子体处理中的边缘磨损补偿方法装置

[发明专利]在等离子体处理系统中优化抗蚀能力的方法和装置-CN200580027666.5无效
发明人：山口叶子;乔治·斯托亚科维奇;艾伦·米勒 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C03C25/68 文献下载
摘要：描述了一种在包括等离子体处理室的等离子处理系统中优化基板材料抗蚀能力的方法。该方法包括：使预涂气体混合物流入等离子体室，其中，预涂气体混合物对蚀刻剂气体混合物具有亲和力；从预涂气体混合物中撞击出第一等离子体；以及引入包括基板材料的基板。该方法还包括：使蚀刻气体混合物流入等离子体处理室；从蚀刻气体混合物中撞击出第二等离子体；以及利用第二等离子体蚀刻基板。其中，第一等离子体在等离子体处理室中的一组暴露表面上形成预涂残留物，并且保持基板材料的抗蚀能力。
等离子体处理系统优化能力方法装置

[实用新型]VOCs低温等离子复合处理系统-CN201420706752.5有效
发明人：吕东 -专利权人：重庆睿容环保科技有限公司
申请日： 2014-11-22 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种VOCs低温等离子复合处理系统，包括预处理器、负离子净化器、双介质等离子处理器、高能离子处理器和复合催化装置，所述预处理器、负离子净化器、双介质等离子处理器、高能离子处理器和复合催化装置内均分别设有密封的气室，所述预处理器的气室依次连通负离子净化器的气室、双介质等离子处理器的气室、高能离子处理器的气室和复合催化装置的气室，所述预处理器的气室还连通有工业废气VOCs的进气口，所述复合催化装置的气室连接有引风机，所述复合催化装置的气室连通有排气筒，本实用新型的目的在于提供一种VOCs低温等离子复合处理系统，以解决现有企业在对VOCs处理过程中，采用单一处理方式去除率不高，且存在二次污染的问题。
vocs 低温等离子复合处理系统

[发明专利]用于最小化等离子径向非一致性的导电元件阵列-CN200880022523.9有效
发明人：尼尔·本杰明 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够在基片处理过程中局部控制具有等离子处理室的等离子处理系统内的功率传送的装置。该装置包括介电窗和电感布置。该电感布置设在该介电窗上方以使得该等离子处理系统内功率能与等离子耦合。该电感布置包括一组电感元件，其提供对功率传送的局部控制以在该等离子处理室中创建基本上一致的等离子。
用于最小化等离子径向一致性导电元件阵列

[发明专利]使用磁场的等离子体处理设备和等离子体控制方法-CN202310335469.X在审
发明人：孙德铉;李东穆;金炯俊 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种使用磁场的等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：反应室；等离子体产生装置，所述等离子体产生装置连接到所述反应室以在所述反应室中产生等离子体；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述反应室的下部以支撑待由所述等离子体蚀刻的晶片；以及磁性模块，所述磁性模块包括竖直地设置在所述反应室上方的永磁体和电磁体，以及连接到所述电磁体以向所述电磁体输入功率的DC电源单元。
使用磁场等离子体处理设备控制方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理系统-CN202211193061.5在审
发明人：本川究理;箕浦佑也;近江宗行;田中康基;永井龙;白滨畅彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理
等离子体处理方法系统

[发明专利]等离子处理设备和用于对瓶进行等离子处理的方法-CN200810161337.5有效
发明人：安德鲁斯·克劳斯;乔奇恩·克鲁格 -专利权人：克朗斯股份公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及等离子处理设备和用于对瓶进行等离子处理的方法。一种等离子处理设备，其用于塑料瓶，该等离子处理设备包括配置在处理室内的真空室。本发明被设计为，在各个瓶开口被压靠阀时，阀将打开并建立瓶内部与真空室之间的连接，真空室与处理室以气密方式持续地彼此密封。因而可以更容易地引导气体并可以减少控制机构的数量。
等离子处理设备用于进行方法

[发明专利]一种绝对密闭的等离子体表面处理装置-CN201410837253.4在审
发明人：王守国;陈春华;孟红;卞忠华 -专利权人：江苏康易达医疗科技有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝对密闭的等离子体表面处理装置，包括电源组、电机马达组、供气源以及密闭的外壳，其中，外壳内设有等离子体放电处理室，等离子体放电处理室一侧设有放卷轴，另一侧设有收卷轴；等离子体放电处理室内设有若干组被硅胶管包覆的金属管高压电极，以及位于金属管高压电极一侧的、与金属管高压电极平行的地电极；等离子体放电处理室顶部设有进出布口，进出布口上方设有排气罩；等离子体放电处理室底部设有若干进气孔。本发明的绝对密闭的等离子体表面处理装置，主要用途是：对薄膜和各种面料的表面进行等离子体的放电的深度处理，改变其表面能，接枝功能基团，提高粘合性能，具有可以实现深度处理，实现连续生产等优点。
一种绝对密闭等离子体表面处理装置

[发明专利]一种半导体设备-CN201711266540.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;陈鹏;史小平;傅新宇;李春雷;荣延栋;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
一种半导体设备

[发明专利]测量自偏压来监控等离子体处理系统中处理的方法和装置-CN200580039762.1有效
发明人：蒂莫西·J·吉尼;拉奥·安纳普拉加达;苏布哈什·德希穆克;程家成 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：公开了一种用于在具有处理室的等离子体系统中原位监控处理的方法。该方法包括在等离子体处理室中定位衬底(802)。该方法还包括在将衬底设置在等离子体处理室内时在等离子体处理室中撞击等离子体(804)。该方法进一步包括获得撞击等离子体之后存在的测量自偏压，该测量自偏压具有当等离子体不存在时的第一值以及当等离子体存在时的不同于第一值的至少一个第二值(806)。该方法还包括如果测量自偏压值在预定自偏压值包络之外(808)，则使测量自偏压值与处理的属性相关(810、812)。
测量偏压监控等离子体处理系统方法装置

[发明专利]用于制造负离子等离子体的处理系统-CN200880109229.1有效
发明人：陈立;麦里特·法克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：描述了一种用于制造负电荷等离子体的处理系统，其中，制造了具有负电荷离子的静止等离子体。该处理系统包括用于利用第一处理气体产生等离子体的第一室区域，以及通过分离构件与第一室区域分离的第二室区域。来自第一区域中的等离子体的电子被传输至第二区域以通过与第二处理气体碰撞而形成静止等离子体。利用耦合至第二室区域的压力控制系统来控制第二室区域中的压力，以使来自第一室区域的电子与第二处理气体发生碰撞猝灭以形成较少的高能电子，该高能电子产生具有负电荷离子的静止等离子体。
用于制造负离子等离子体处理系统

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080019703.9有效
发明人：卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;克里斯多夫·J·里维特;伯纳德·G·琳赛 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包含：处理腔室；压板，其定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。
等离子体处理装置

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