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[发明专利]形成光学格栅组件的方法与测量光学格栅的性质的系统-CN201980073952.7有效
发明人：约瑟·C·欧尔森;卢多维克·葛特;鲁格·迈尔提摩曼提森;摩根·艾文斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：提供形成光学格栅组件的方法与测量光学格栅的性质的系统。在一些实施例中，一种方法包括提供光学格栅层以及在光学格栅层中形成光学格栅，其中光学格栅包括相对于光学格栅层的平面的垂直线以非零倾斜角设置的多个斜角沟槽。所述方法可还包括将来自光源的光传送至光学格栅层中以及测量以下中的至少一者：光的离开光学格栅层的非绕射部分及光的离开光学格栅层的绕射部分。
形成光学格栅组件方法测量性质系统

[发明专利]光栅元件及其形成方法-CN201980069603.8有效
发明人：鲁格·迈尔提摩曼提森;卢多维克·葛特;摩根·艾文斯;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本公开提供一种光栅元件及其形成方法。所述方法可包括：提供基板，所述基板包括下伏层及设置于所述下伏层上的硬遮罩层。所述方法可包括：将所述硬遮罩层图案化以界定光栅场；以及在所述光栅场内蚀刻所述下伏层，以沿第一方向界定所述下伏层的可变高度，所述第一方向平行于所述基板的平面。所述方法可包括使用成角离子蚀刻在所述光栅场内形成光栅，所述光栅包括多个成角结构，所述多个成角结构相对于所述基板的所述平面的垂直线以非零度的倾角设置，其中所述多个成角结构基于所述下伏层的所述可变高度沿所述第一方向界定可变深度。
光栅元件及其形成方法

[发明专利]用于处理图案特征的多重曝光处理-CN201580073031.2有效
发明人：崔斯坦·Y·马;莫林·K·彼特森;约翰·哈塔拉;卢多维克·葛特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的用于处理图案特征的多重曝光处理包含一种用于处理基板的方法。所述方法可包含在基板上提供图案特征，图案特征具有侧壁。方法可进一步包含在第一曝光将第一离子物质植入到图案特征内，第一离子物质具有第一植入深度；以及在第二曝光将第二离子物质植入到图案特征内，第二离子物质具有小于第一植入深度的第二植入深度。
用于处理图案特征多重曝光

[发明专利]控制提供至基板的离子束的处理装置-CN201710893518.6有效
发明人：斯特尔·拜洛科;尼尼·文奴斯;卢多维克·葛特;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
控制提供至基板离子束处理装置

[发明专利]刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备-CN201580024163.6有效
发明人： 卢多维克·葛特;丹尼尔·迪斯塔苏;尼尼·文奴斯;崔斯坦·马;刘宇 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备，所述刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。在检测溅射的物质时，可自动调整例如提取电压及RF功率等处理设备的控制设置以产生具有仍然较高离子能量及较高平均角的离子束。
用于动态控制离子束能量角度设备方法

[发明专利]控制提供至基板的离子束的处理装置与方法-CN201480070125.X有效
发明人：斯特尔·拜洛科;尼尼·文奴斯;卢多维克·葛特;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置与方法。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
处理装置离子角分布原位控制

[发明专利]电池及处理其电极的方法-CN201380006196.9有效
发明人：柏克·L·达比;卢多维克·葛特;陆贤锋;崔斯坦·马 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：揭示一种处理电池的电极以提高其效能的方法。通过将一层多孔碳沉积到所述电极上，可改进所述电极的充电以及放电特性与化学稳定性。所述方法包含产生包含碳的等离子体；以及例如通过使设置了电极的压板偏压而将所述等离子体朝向所述电极吸引。在一些实施例中，还对所述所沉积的多孔碳执行蚀刻制程，以增大其表面积。还可使所述电极经受亲水性处理以改进其与电解质的相互作用。另外，揭示一种电池，包含根据这个过程而处理的至少一个电极。
处理电池电极方法

[发明专利]等离子体处理设备与溅镀系统-CN201380039732.5有效
发明人： 卢多维克·葛特;阿德金·沙拉积历 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。
等离子体处理设备系统

[发明专利]用于等离子体处理衬底的技术-CN201180028561.7有效
发明人：海伦·梅纳德;卡莫尔·哈迪德;维克拉姆·辛;提摩太·J·米勒;卢多维克·葛特;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;伯纳德·G·琳赛 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
用于等离子体处理衬底技术

[发明专利]制造超导带材用的离子植入-CN201480070509.1在审
发明人：康妮·P·王;保罗·墨菲;保罗·沙利文;卢多维克·葛特;法兰克·辛克莱;摩根·艾文斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：一种形成超导体带材的方法包含：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在植入所述合金物质之后形成金属合金。
制造超导带材用离子植入

[发明专利]三维离子制程用的装置及其方法-CN201280039634.7有效
发明人：提摩西·J·米勒;卢多维克·葛特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：一种处理工件(40)的方法。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。
三维离子制程用装置及其方法

[发明专利]用于控制抗蚀剂特征中的临界尺寸和粗糙度的方法和系统-CN201280027207.7有效
发明人： 卢多维克·葛特;约瑟·欧尔森;克里斯多夫·J·里维特;派崔克·M·马汀 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
用于控制抗蚀剂特征中的临界尺寸粗糙方法系统

[发明专利]离子辅助原子层沉积的方法与装置-CN201280028774.4有效
发明人：乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;卢多维克·葛特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：用于沉积涂层的装置可包括：第一处理腔室，架构成用以在第一时期期间于基板上沉积第一反应物来作为反应物层。第二处理腔室可架构成在第二时间下引导离子入射至基板上，且可架构成在第二时期期间于基板上沉积第二反应物，其中第二反应物经组态以与反应物层反应。
离子辅助原子沉积方法装置

[发明专利]无罩幕图案化植入的装置及方法-CN201280012665.3有效
发明人：克里斯多夫·J·里维特;卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。
无罩幕图案植入装置方法

[发明专利]三维结构的离子辅助等离子处理-CN201280009549.6无效
发明人：路斯·史丁;卢多维克·葛特;派崔克·M·马汀 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：控制等离子与等离子壳层之间的边界，以使得形状的一部分不平行于由面对等离子的工件的前表面所界定的平面。将等离子中的离子导向工件。这些离子可密封工件上的结构中的孔洞或者清洁工件上的结构中的材料。此结构可例如是具有多个侧壁。可进行清洁结构中的材料以及密封结构中的孔洞两者皆进行的工艺。
三维结构离子辅助等离子处理

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