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[发明专利]半导体工艺设备的工艺腔室及其磁控溅射组件-CN202210599186.1有效
发明人：王世如;杨玉杰;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室及其磁控溅射组件，磁控溅射组件包括磁控结构、靶材固定结构和弹性调整机构，靶材固定结构用于设置在半导体工艺设备工艺腔室的顶部，靶材固定结构的底部用于固定设置磁性靶材，磁控结构通过弹性调整机构吊设在靶材固定结构的上方，用于提供溅射磁场，弹性调整机构能够随磁控结构与磁性靶材之间的磁性力的变化而在竖直方向上发生弹性形变，以带动磁控结构在竖直方向上移动。在本发明中，弹性调整机构能够在磁性靶材的底部材料逐渐损耗后将磁控结构升高，使磁控结构与磁性靶材底部的相对位置不变，提高靶材利用率及薄膜性能的稳定性、均匀性和薄膜沉积速率，在降低成本的同时保证半导体器件的良率和性能。
半导体工艺设备工艺及其磁控溅射组件

[发明专利]半导体腔室-CN202210736192.7有效
发明人：高晓丽;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体腔室。该半导体腔室包括：腔室结构、进气结构及驱动装置；腔体内由上至下依次设置靶材、内衬及基座，内衬同轴设置于腔体内，并且内衬的顶端环绕靶材设置，内衬的底端在工艺状态时压抵于基座上；进气组件包括匀流环，匀流环设置于腔体内，并且匀流环的内径大于内衬的外径，匀流环用于向腔体内通入工艺气体；腔体的周壁上开设有抽气口，用于对腔体内进行抽真空；驱动装置设置于腔体外侧，并且与进气组件连接，用于带动匀流环相对于内衬作升降动作，以调节靶材底部的工艺气压。本申请实施例在同一腔体内不仅能实现硅晶圆的钛薄膜沉积，而且还可以实现砷化镓晶圆的钛薄膜沉积，从而提高了适用性及适用范围。
半导体

[实用新型]一种具有清理结构的废水过滤设备-CN202320682709.9有效
发明人：候彭;童见湘;傅新宇;杨树申;旷戈 -专利权人：新余国兴锂业有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及废水处理技术领域，且公开了一种具有清理结构的废水过滤设备，该具有清理结构的废水过滤设备，包括过滤箱，过滤箱的左侧表面固定安装有药剂箱，过滤箱的内部中心处固定安装有隔板，过滤箱的内部设置有过滤清理机构。该具有清理结构的废水过滤设备，启动电机，通过螺杆和移动块的配合带动固定板向左移动，在固定板向右移动的过程中，敲击块会在弹簧的配合下不断对每个滤孔进行敲击，避免杂物堵塞滤孔影响过滤效果，同时通过连接块的配合，在固定板向左移动时会同步带动清理板先做移动，当敲击块敲击完滤孔后清理板会跟上将过滤板表面堆积的杂质向左推动，从而避免杂物堆积在清理板上表面影响过滤。
一种具有清理结构废水过滤设备

[实用新型]一种方便运输的回收设备-CN202320571018.1有效
发明人： 傅新宇;杨树申;候彭;旷戈;童见湘 -专利权人：新余国兴锂业有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B62B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及沉锂母液加工技术领域，且公开了一种方便运输的回收设备，包括水箱，所述水箱的底部固定连接有支脚的顶部，所述支脚的底部设置有底座，所述底座的底部设置有折叠轮，所述底座的内部设置有缓冲机构，所述缓冲机构包括有滑杆，所述底座内壁的一侧固定连接有滑杆的一端，所述滑杆的外壁滑动连接有滑动座底部的内壁，所述滑动座的一侧固定连接有缓冲弹簧的一端，所述底座内壁的一侧固定连接有橡胶柱的一端，所述橡胶柱的另一端固定连接有气囊的一端，所述气囊的另一端设置有防滑板，所述防滑板远离气囊的一端固定连接有乳胶柱的一端，通过设置有缓冲机构，对沉锂母液提供运输的缓冲，避免装有沉锂母液的水箱倾倒。
一种方便运输回收设备

[发明专利]用于填充孔洞或沟槽的薄膜沉积方法-CN201811026751.5有效
发明人：何中凯;荣延栋;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种用于填充孔洞或沟槽的薄膜沉积方法，包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层；其中，在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层的步骤包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成子成核层，子成核层的厚度小于成核层的目标厚度；对子成核层的表面进行表面处理；依次重复进行上述步骤，直到叠置的子成核层的厚度达到成核层的目标厚度。本发明实施例将沉积成核层的步骤分多步完成，并且辅以表面等离子体的处理，能够使成核层具有更优秀的保形性，在孔洞或沟槽的开口和底部，厚度均匀一致的成核层将为后续的钨填充提供良好的种子层。
用于填充孔洞沟槽薄膜沉积方法

[发明专利]一种晶片位置校准装置及方法-CN201811557495.2有效
发明人：刘畅;傅新宇;荣延栋;文莉辉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片位置校验装置及方法，该装置包括：第一传感器，用于输出第一电平信号，其设置在各个腔室的入口第一侧；第二传感器，用于输出第二电平信号，其设置在各个腔室的入口第二侧；机械手控制器，用于控制机械手，所述机械手控制器具有第一输入通道与第二输入通道；所述机械手控制器在所述第一电平信号和第二电平信号中至少一个发生高电平和低电平之间的转换时，获取所述机械手坐标信息，并基于所述机械手坐标信息确定发生转换的传感器的位置信息；基于所述发生转换的传感器的位置信息计算获得晶片的实际位置；并根据所述实际位置获得所述晶片的目标位置。通过本发明，减少了传感器占用的通道的同时可以有效地检测晶片实际位置。
一种晶片位置校准装置方法

[发明专利]反应腔室及半导体加工设备-CN201811524839.X有效
发明人：魏景峰;傅新宇;荣延栋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括第一环体、第二环体、多个对位组件和承载基片的基座，第一环体和第二环体在基座的升降方向上相对设置，且基座在上升或下降的过程中使第一环体和第二环体相互靠近或远离；多个对位组件沿第一环体的周向间隔设置在第一环体底部，或沿第二环体的周向间隔设置在第二环体顶部；多个对位组件用于在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中，通过第一环体和第二环体的挤压，朝靠近第一环体或第二环体的圆心方向发生形变，以将基片限定在与基座的承载面对中的位置。本发明提供的反应腔室及半导体加工设备能够避免基片在工艺过程中相对于基座发生移动，从而提高基片的边缘排除区域的均匀性，提高产品的良率。
反应半导体加工设备

[发明专利]工艺腔室和晶圆加工方法-CN202110863982.7在审
发明人：高晓丽;宋海洋;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请公开一种工艺腔室和晶圆加工方法，工艺腔室包括腔室本体、承载件、内衬体、第一顶针、第二顶针、第一压环、第二压环和旋转支撑件，工艺腔室具有第一工作模式和第二工作模式，在第一工作模式下，第一顶针在第一停止位支撑第一晶圆，承载件上升至工艺位时，使第一压环和第一晶圆依次叠置于承载件上；在第二工作模式下，第二顶针支撑第二晶圆，第一顶针位于第二停止位，旋转支撑件将第二压环置于第一顶针上，承载件上升至工艺位时，使第一压环、第二压环和第二晶圆依次叠置于承载件上。采用上述工艺腔室加工不同尺寸的晶圆时，无需开盖，亦可以工作模式之间相互切换时的工作量相对较小，且对晶圆的加工进度产生的影响相对较小。
工艺加工方法

[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备-CN202110837490.0在审
发明人：王世如;杨玉杰;董彦超;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备，涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室，包括：腔室主体；基座，所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内，所述基座用于承载晶片；诱导磁组，所述诱导磁组设置于所述基座外侧，且所述诱导磁组与所述基座同步旋转，用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场；所述诱导磁组和所述基座的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置的旋转速度相同。一种半导体工艺设备，包括靶材、磁控装置和反应腔室，所述靶材设置于所述反应腔室的顶部开口处，所述磁控装置可在所述靶材上方围绕所述反应腔室的轴线转动。本申请能够解决沉积薄膜磁各向异性较差的问题。
反应半导体工艺设备

[实用新型]一种碳酸锂碳化高效生产装置-CN202221688068.X有效
发明人： 傅新宇;杨树申;候彭;旷戈;童见湘 -专利权人：新余国兴锂业有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳酸锂碳化高效生产装置，涉及碳酸锂碳化技术领域，包括搅拌桶，所述搅拌桶顶端固定连接有电机，所述电机的输出轴固定连接有转动杆，所述搅拌桶的上壁贯穿且固定连接有转动套，所述转动杆贯穿且转动连接在转动套的内部，所述转动杆外壁设置有限位组件，所述限位组件包括：限位壳，所述限位壳固定连接在转动杆的外壁。通过电动带动转动杆逆时针转动，转动杆带动弧形搅拌杆转动，使弧形搅拌杆对搅拌桶内部的碳酸锂和软化水进行搅拌，使其混合的更加充分，增加碳化效果，通过清洁刮板对搅拌桶内壁进行清洁，防止搅拌桶内壁吸附碳酸锂，不仅增加搅拌桶内部的整洁度，且还节约资源，使碳酸锂的利用率最大化。
一种碳酸锂碳化高效生产装置

[发明专利]一种半导体设备-CN201711266540.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;陈鹏;史小平;傅新宇;李春雷;荣延栋;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
一种半导体设备

[实用新型]一种防护性能好的碳酸锂生产用干燥器-CN202221290223.2有效
发明人：旷戈;童见湘;傅新宇;杨树申;候彭 -专利权人：新余国兴锂业有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F26B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种防护性能好的碳酸锂生产用干燥器，包括底座和设置在底座顶部的搅拌设备，所述底座的顶部设置有缓震组件，所述底座的内部设置有控制组件，所述缓震组件包括支架、滑杆、缓震弹簧以及支脚，所述缓震组件设置有三组且三组缓震组件均以搅拌设备的中心点为圆心中心设置，所述控制组件包括摇杆，所述摇杆转动安装在底座的左侧，所述底座被蜗杆贯穿且与蜗杆转动连接，将物料投入搅拌设备内进行搅拌干燥时，随着搅拌设备工作产生的震动，搅拌设备对滑杆进行挤压，支架可以以和底座铰接的位置发生一定程度的摆动，同时缓震弹簧可以对搅拌设备产生的震动进行吸收，避免长时间使用后，装置整体发生损坏，实用性较强。
一种防护性能碳酸锂生产干燥器

[发明专利]制作工艺、半导体存储器件及半导体工艺设备-CN202210467297.7在审
发明人：王宽冒;赵可可;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储器件的制作工艺、半导体存储器件及半导体工艺设备，该制作工艺包括：S100、在晶圆上溅射沉积底电极薄膜；S200、在底电极薄膜上溅射沉积一定厚度的富氧状态的阻变薄膜；S300、对富氧状态的阻变薄膜的预设厚度的部分进行还原，以使阻变薄膜的预设厚度的部分由富氧状态变为缺氧状态；其中，富氧状态的氧元素的含量大于缺氧状态的氧元素的含量；S400、循环执行步骤S200和S300，依次沉积多层所述阻变薄膜，直至多层阻变薄膜的总厚度达到第一厚度，以形成阻变层；S500、在所述阻变层上溅射沉积顶电极薄膜。上述方案能够解决半导体存储器件的性能较差的问题。
制作工艺半导体存储器件工艺设备

[发明专利]匀气装置和半导体处理设备-CN201811268107.9有效
发明人：李进;傅新宇;何中凯;荣延栋;魏景峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种匀气装置和半导体处理设备。包括进气件、匀流件和排气件，进气件上设置有至少两个进气通道；匀流件的第一表面上设置有至少一个第一分配部以及若干个第一匀流部，第一分配部分别连通对应的进气通道和第一匀流部；第二表面上设置有至少一个第二分配部以及若干个第二匀流部，第二分配部分别连通对应的进气通道和第二匀流部；排气件上设置有若干个第一排气部以及若干个第二排气部，第一排气部用于分别连通对应的第一匀流部和工艺腔室，第二排气部用于分别连通对应的第二匀流部和工艺腔室。可以达成至少两种工艺气体相互独立且均匀输送、均匀分布到工艺腔室的效果。
装置半导体处理设备

[发明专利]基座调节装置及腔室-CN201811444994.0有效
发明人：李进;傅新宇;何中凯;荣延栋;魏景峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供的基座调节装置及腔室，基座调节装置包括：第一调节件、第二调节件以及推拉组件；推拉组件分别连接第一调节件和第二调节件，其中，第一调节件用于固定基座，第一调节件与第二调节件连接并且能在推拉组件的驱动下相对第二调节件沿第一水平方向移动；其中，第二调节件与腔室底壁连接并且能在推拉组件的驱动下相对腔室底壁沿第二水平方向移动。通过推拉组件以推拉的方式分别驱动第一调节件和第二调节件移动，仅需要调节两次即可完成基座的水平位置的调整，整体调节性高，操作简单。
基座调节装置

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