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[发明专利]隔栅中的等离子体后气体注入-CN202080003858.7在审
发明人： W·曾;C·闫;D·V·德塞;仲華;杨晓晅;P·伦贝西斯;瑞安·M·帕库尔斯基;马丁·L·朱克 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括等离子体腔室和处理腔室。所述处理腔室包括可操作以支撑基材的基材支架。所述等离子体处理装置进一步包括将所述等离子体腔室与所述处理腔室分开的隔栅。该气体输送系统被配置成用于减少与在该基材上执行的处理工艺相关联的不均匀性。
隔栅中的等离子体气体注入

[发明专利]调控等离子体反应腔室环境的方法-CN201310752645.6在审
发明人：罗巍;符雅丽;陈永远 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控等离子体反应腔室环境的方法，包括：在晶圆进入等离子体反应腔室前，在等离子体反应腔室的内壁和位于等离子体反应腔室内部的基片台的表面制备富碳材料涂层；在晶圆在等离子体反应腔室中完成等离子体加工处理并离开等离子体反应腔室后，向等离子体反应腔室中通入第一清洗气体，去除等离子体加工处理过程中吸附在富碳材料涂层表面的反应产物；向等离子体反应腔室中通入第二清洗气体，去除等离子体反应腔室的内壁和基片台表面的富碳材料涂层，使等离子体反应腔室恢复到清洁状态
调控等离子体反应环境方法

[发明专利]具有有纹理的内表面的处理室部件和制造方法-CN02807777.6有效
发明人：林士能;马克·D·孟席;乔·F·萨默斯;丹尼尔·欧文·克劳森;格伦·T·莫里;洛利塔·L·夏普 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2002-06-24 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：用于等离子处理室的穹形围壁用具有平均粗糙度从约150到约450微英寸的粗糙化表面的介电材料制造。等离子喷涂陶瓷涂层被涂敷于介电材料的粗糙化表面。等离子喷涂涂层包括具有负平均偏度值粗糙度的有纹理的表面。当围壁用于等离子处理室时，在等离子处理室中形成的、由等离子体产生的溅射材料与有纹理的表面有良好的附着。
具有纹理表面处理部件制造方法

[发明专利]等离子体增强的化学处理反应器和方法-CN96195202.4无效
发明人：罗恩·范奥斯;威廉·J·德宾;理查德·H·马西森;丹尼斯·C·芬斯克;埃里克·D·罗斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 1996-06-21 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种等离子体增强的化学处理反应器和方法。该反应器(10)包括一等离子体室(18)，该室包括一个第一气体注入进气管(15)和一个电磁能源(12)。该等离子体室与一处理室(16)相通，该处理室包括一晶片支持件(20)和一个第二气体进气管(17)。在该等离子体室(18)中产生的等离子体扩散到处理室(16)中并与反应气体互相作用，以便在晶片(24)上沉积一层材料。该反应器(10)还包括用来排空反应器(10)的一个真空系统(26)。该方法包括以下各步骤：在等离子体室(18)内产生等离子体，引入至少一种气相化学品到处理室(16)内晶片支持件(20)附近，并应用射频梯度诱导该等离子体扩散到晶片支持件(20)附近的区域。
等离子体增强化学处理反应器方法

[发明专利]减少等离子体点火压力-CN200580022372.3有效
发明人：马克·维普金;布拉德福德·J·林达科尔;安德拉斯·库蒂;安德烈亚斯·菲舍尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： B23K9/00 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于在等离子处理系统中处理半导体基板的方法。等离子体处理系统包括等离子体处理室和耦合至偏置补偿电路的静电夹盘。该方法包括在等离子体点火步骤中对等离子体点火。在偏置补偿电路提供给夹盘的第一偏置补偿电压大体为零期间和等离子体处理室内的第一室压低于约90mTorr期间，执行等离子体点火步骤。该方法进一步包括在对等离子体点火后在基板处理步骤中处理基板。基板处理步骤采用由偏置补偿电路提供的比第一偏置补偿电压高的第二偏置补偿电压和大体等于第一室压的第二室压。
减少等离子体点火压力

[发明专利]用于膜沉积和表面处理的连续等离子体-CN201980067220.7在审
发明人：阿鲁尔·N·达斯;洪图;郭长鹤;李明 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-01 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了设备和方法，其用于：使反应物处理气体流入容纳衬底的处理室中；在所述反应物处理气体的流动期间在所述处理室中于第一功率电平下产生等离子体，从而通过等离子体增强化学气相沉积在所述衬底上沉积材料层；在停止使所述反应物处理气体流入所述处理室时维持所述等离子体，从而在不熄灭所述等离子体的情况下停止沉积；将所述等离子体调整至第二功率电平；使惰性处理气体流入所述处理室中，从而在所述等离子体处于所述第二功率电平时将所述材料层改性；以及在进行所述改性之后将所述等离子体熄灭
用于沉积表面处理连续等离子体

[实用新型]一种低温等离子废气处理器-CN201621011998.6有效
发明人：覃钦聪;李仁贵 -专利权人：中山市禾钜金属制品有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温等离子废气处理器，涉及空气净化技术领域，包括机体、进气口、出气口、所述机体内依次设置有废气过滤室、等离子处理室、气体检测室，所述机体上设置有控制面板，所述控制面板为触摸式控制面板，所述进气口、出气口上均设有防腐蚀密封圈，所述废气过滤室包括过滤层、喷淋管，所述废气过滤室上设有循环泵，所述循环泵与喷淋管相连接，所述等离子处理室内设置有风道、等离子发生器，所述风道为前宽后窄式锥体结构，所述等离子发生器采用管式等离子发生器，所述风道后端与等离子发生器相连接，所述控制面板与废气过滤室、等离子处理室、气体检测室相连接，所述机体内外表面均涂有耐腐蚀层，所述机体下部设有支撑腿。
一种低温等离子废气处理器

[发明专利]用于处理衬底的系统以及处理衬底的方法-CN201480053404.5有效
发明人：詹姆士·P·布诺德诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的系统以及处理衬底的方法。用于处理衬底的系统包含等离子体腔室，用于在其中产生等离子体。所述系统还包含处理腔室，用于容纳所述衬底，其中所述处理腔室邻近于所述等离子体腔室。所述系统还包含可旋转引出电极，设置在所述等离子体腔室与所述衬底之间，其中所述可旋转引出电极经配置以从所述等离子体提取离子束，且还经配置以通过绕引出电极轴旋转来使所述离子束在所述衬底上方扫描，而不需要所述衬底的移动
动态电极等离子体系统

[发明专利]工艺腔室-CN201680032137.2有效
发明人：刘炜;特里萨·克莱默·瓜里尼;于伊·Q·尼古恩;马尔科姆·贝文;厚达·格兰欧;菲利普·A·博蒂尼;伯纳德·L·黄;劳拉·哈夫雷查克;雷内·乔治 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。由于含氢等离子体处理，栅极堆叠具有较低的泄漏和改良的可靠度。为了保护工艺腔室免受含氢等离子体产生的Hx+离子和H*自由基的影响，可在没有基板置放于工艺腔室中的情况下且在含氢等离子体处理之前，用等离子体处理工艺腔室。此外，由介电材料制成的工艺腔室的部件可用陶瓷涂层涂覆，所述陶瓷涂层包括含钇氧化物，以保护这些部件免受等离子体的影响。
工艺

[发明专利]光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置-CN202111093101.4在审
发明人：泽田成敏;村上尚史;宫本幸大;伊藤帆奈美;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供适合于在卷对卷方式的工艺中确保配置于比等离子体处理室靠下游的位置的成膜室的稳定的低压状态的光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置。本发明的制造方法是一边以卷对卷方式输送工件薄膜一边制造光学薄膜的方法，包含等离子体处理室中的工序和成膜室(第2成膜室)中的工序。等离子体处理室具有在输送方向上配置于比室内的等离子体源靠上游的位置的第1排气口。在等离子体处理工序中，经由第1排气口对等离子体处理室进行排气，并对工件薄膜进行等离子体处理。在成膜工序中，在经由成膜室的第2排气口对成膜室进行排气从而将成膜室内维持在比等离子体处理室内的压力低的压力的同时，利用干式覆膜法在工件薄膜上进行成膜。
光学薄膜制造方法装置

[发明专利]用于硅蚀刻的无机快速交变处理-CN201180013792.0有效
发明人：朝生强;卡梅利娅·鲁苏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种在等离子体处理室中将特征蚀刻到位于掩膜之下的硅衬底中的方法。通过所述掩膜蚀刻硅衬底，其包含多个循环，其中每个循环包含侧壁沉积阶段和蚀刻阶段。该侧壁沉积阶段包括：向该等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体以及氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流；在该等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流该蚀刻阶段包括：提供包含卤素成分的蚀刻气体流；在该等离子体处理室由该蚀刻气体形成等离子体；以及停止提供蚀刻气体流。
用于蚀刻无机快速处理

[发明专利]用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源-CN201710569795.1有效
发明人： J·C·福斯特;J·约德伏斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明是涉及用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源。提供了基板处理腔室以及用于处理多个基板的方法，并且所述基板处理腔室大体包括电感耦合的饼形等离子体源，所述电感耦合的饼形等离子体源定位成使得在压板上旋转的基板将穿过与所述等离子体源相邻的等离子体区域。
用于旋转压板 ald 等离子体

[发明专利]用于增加光阻移除率之装置及等离子体灰化方法-CN201210073651.4有效
发明人： D·费利斯;P·哈摩;A·贝克内尔 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体灰化方法，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；将该等离子体导引入一处理室，其中该处理室包含一和等离子体流体连通之阻隔平板组件；使该等离子体流经该阻隔平板组件，并自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、和挥发性副产物；通过将一氧气等离子体导入该处理室，以周期性地清洁该处理室；使一冷却气体流过该阻隔平板组件以冷却该阻隔平板组件。本发明还涉及一设置成用以接收下游式等离子体之处理室，该处理室包含一上方阻隔平板，该上方阻隔平板包含：至少一和热传导支座，其与该处理室之一壁热连通；以及一和该上方阻隔平板间隔之下方阻隔平板。
用于增加光阻移装置等离子体灰化方法

[发明专利]分布式多区等离子体源的系统、方法及设备-CN201280056601.3有效
发明人：阿里·沙基;理查德·戈特朔;苏海勒·本泽若克;安德鲁·考;西德哈斯·P·纳加卡蒂;威廉·R·安特里 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H05H1/02 文献下载
摘要：本发明涉及分布式多区等离子体源的系统、方法及设备。应当理解的是，本发明可以实施为多种方式，包括过程、装置、系统、计算机可读介质或设备。以下描述本发明的一些创造性实施例。一个实施例提供了一种包括在处理室顶部的多个等离子体源的处理室。所述等离子体源中的每一个是包括一次绕组和多个铁氧体的环形等离子体源。多个等离子体室出口可以将所述多个等离子体源中的每一个的等离子体室耦合到所述处理室。
分布式等离子体系统方法设备

[发明专利]选择性的感应双图案化-CN200980117766.5有效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种用于形成半导体特征的电感耦合功率(ICP)等离子处理室。提供等离子处理室，包括真空室、至少一个邻近该真空室用以在该真空室提供电感耦合功率的天线、用于在该等离子处理室内支撑硅衬底的衬底支撑件、压强调节器、用于将气体提供到该等离子处理室中的气体入口和用于从该等离子处理室排除气体的气体出口气体分配系统与该气体入口流体连通，用以提供第一气体和第二气体，其中该气体分配系统可在小于5秒的周期内用该第一气体和该第二气体之一基本上替换该等离子区域中的该第一气体和该第二气体中的另一个。
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