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[发明专利]提高SiC材料栅氧界面态质量的方法及其应用-CN202310330522.7在审
发明人：韩小朋;彭虎 -专利权人：苏州龙驰半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述提高SiC材料栅氧界面态质量的方法包括：1)先对碳化硅材料进行氧化处理，以将位于碳化硅材料表层区域的一部分碳化硅氧化形成氧化硅层；2)对表面形成有氧化硅层的碳化硅材料进行退火处理；3)重复步骤1)、步骤2)两次以上，且使形成的至少两层氧化硅层依次设置并形成一体。本发明在栅氧化层很薄时即进行退火，此时栅氧化层与碳化硅层界面处的C可以很容易的排出，从而改善了碳化硅与栅氧化层的界面质量，进而提高了碳化硅器件的迁移率。
提高 sic 材料界面质量方法及其应用

[发明专利]锡青铜与碳化硅陶瓷复合件及其制造方法-CN201010587467.2有效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;胡文峰 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种锡青铜与碳化硅陶瓷复合件的制造方法，该方法主要包括在热压烧结炉中通过施加铝箔和镍箔作为连接介质层，实现锡青铜与碳化硅陶瓷的固相扩散连接。本发明还提供一种由上述制造方法制得的锡青铜与碳化硅陶瓷复合件。锡青铜与碳化硅通过上述制造方法连接具有较高的结合力。锡青铜与碳化硅陶瓷复合件包括一锡青铜件、一碳化硅陶瓷件及连接该锡青铜件与该碳化硅陶瓷件的连接层，该连接层包括一第一过渡层、一铝层、一第二过渡层、一镍层及一第三过渡层。
青铜碳化硅陶瓷复合及其制造方法

[发明专利]双层硅碳化合物阻障层-CN01143894.0有效
发明人：杨能辉;蔡正原;吴欣昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-12-18 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化合物阻障层及其形成方法。本发明的双层硅碳化合物阻障层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化合物阻障层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成，其具有一氮掺杂硅碳化合物底层以及一氧掺杂硅碳化合物上层。此外，该氮掺杂硅碳化合物底层具有一最小厚度，用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中，同时避免该掺杂氧硅碳化合物上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。
双层碳化阻障

[发明专利]一种向缸套铬层内部挤入碳化硅的方法-CN200410023747.5无效
发明人：艾爽;唐宁;赵良学;李显昌;姜书博 -专利权人：烟台万斯特有限公司
申请日： 2004-03-18 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： C23C24/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种向缸套铬层内部挤入碳化硅的方法，是将具有铬层贮油结构的缸套固定在珩磨机上，以矿物油为载体混以碳化硅，利用铸铁条将碳化硅微粒均匀地挤入缸套铬层贮油结构的孔洞，将铬层表面进行抛光，使表面Tp值达到工作匹配的要求，采用本发明方法加工的缸套使用X光衍射铬层表面和内部均有碳化硅存在，铬层内有均匀分布的碳化硅微粒、缸套的使用寿命延长、随着铬层的磨损碳化硅会同步下沉使铬层内的碳化硅含量提高、气缸套耐磨性越来越好的特点
一种缸套铬层内部挤入碳化硅方法

[发明专利]一种碳化硅外延衬底-CN201910894556.2在审
发明人：郑友进;黄海亮;左桂鸿;王丹 -专利权人：牡丹江师范学院
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延衬底，涉及外延衬底技术领域，主要为了解决碳化硅外延层存在较多位错缺陷的问题；该外延衬底，包括基底，所述基底上部具有可外延生长且呈图案化的碳化硅层，碳化硅层上侧设置有多个微结构，所述微结构包括设置在碳化硅层上的凸起部和相邻两个凸起部之间形成的凹陷部，凹陷部内侧贴附有碳纳米管层。本发明中外延衬底中的基底具有图形化的生长面，该图案化的表面具有多个微米级的微结构，因此可减小外延生长过程中的位错缺陷，因此碳化硅层外延生长面生长，使得外延生长的碳化硅层与基底之间的接触面积减小，减小了生长过程中碳化硅层与基底之间的应力可进一步提高外延的碳化硅层的质量
碳化硅层基底衬底微结构外延生长凹陷部凸起部图案化减小碳化硅外延层外延生长过程碳化硅外延碳纳米管层外延生长面面积减小生长过程位错缺陷生长面图形化微米级多位生长

[发明专利]具有碳化硅/硅涂层的炭/陶反应器内衬层及其制备方法-CN202010725455.5有效
发明人：张永辉;程皓;赵杉;白鸽;康文杰;康媛媛 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有碳化硅/硅涂层的炭/陶反应器内衬层，包括炭/陶复合材料反应器内衬层以及覆盖在炭/陶复合材料反应器内衬层表面的碳化硅/硅涂层，碳化硅/硅涂层由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成；本发明还公开了一种具有碳化硅/硅涂层的炭/陶反应器内衬层的制备方法，该方法包括：一、炭纤维预制体增密；二、加工得炭/炭复合材料反应器内衬层；三、炭/炭复合材料反应器内衬层液相渗硅得炭/陶复合材料反应器内衬层；四、喷涂形成碳化硅/硅涂层。本发明通过设置碳化硅/硅涂层，避免了硅颗粒对反应器内衬层的磨损；本发明采用等离子喷涂法，提高了碳化硅/硅涂层与炭/陶反应器内衬层的结合强度。
具有碳化硅涂层反应器内衬及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅连接件及激光辅助硅铝合金连接碳化硅陶瓷及其复合材料的方法-CN202211613543.1在审
发明人：陈健;黄常聪;黄政仁;李凡凡;陈忠明;刘学建 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅连接件及激光辅助硅铝合金连接碳化硅陶瓷及其复合材料的方法。所述碳化硅连接件包括：第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件，以及形成在第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件之间的第一高硅铝合金层、低硅铝合金层和第二高硅铝合金层；优选地，所述第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件为碳化硅陶瓷及其复合材料
一种碳化硅连接激光辅助铝合金陶瓷及其复合材料方法

[发明专利]碳化硅光伏器件-CN202011341184.X有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅光伏器件，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅光伏器件包括：碳化硅吸收层、位于碳化硅吸收层表面的化学钝化层、以及位于化学钝化层上的场钝化层；化学钝化层包含第一钝化层；所述化学钝化层还可以包含第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层和碳化硅吸收层之间；第一钝化层的材料选自氧化硅、非晶硅、单晶硅、多晶硅中的至少一种；在化学钝化层仅包含第一钝化层的情况下，第一钝化层的材料还选自氮元素和/或磷元素；场钝化层中靠近所述碳化硅吸收层一侧的界面处固定电荷密度大于或等于化学钝化层钝化碳化硅吸收层的表面悬挂键，场钝化层起到场效应的效果，进而抑制光生载流子表面复合，实现较高的光电转换效率。
碳化硅器件

[发明专利]一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202010005540.4有效
发明人：谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该器件包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底之上的碳化硅外延层、位于碳化硅外延层之上的栅介质层、位于栅介质层之上的层间介质层，在碳化硅衬底的背部沉积金属形成漏极接触，在碳化硅外延层与栅介质层之间由下往上设有P阱2区和P阱1区，在P阱1区中设有P型和N型杂质离子区，在栅介质层上设有栅极，在层间介质层上沉积金属层以形成源极。该器件的制造方法中利用P阱2制作侧墙，使N+源区自对准P阱2以形成沟道长度L，并将源区的P阱分开，使N‑外延与源端金属接触，由于N‑外延浓度较淡，其与源端金属将形成肖特基接触，从而将肖特基二极管集成到短沟道的碳化硅
一种集成肖特基二极管沟道碳化硅 mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种碳化硼基防弹插板-CN202022716968.8有效
发明人：王基峰;耿伟锋;王晓艳;王芳;陈英杰;李龙 -专利权人：郑州嵩山硼业科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： F41H5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硼防弹片生产领域，尤其涉及一种碳化硼基防弹插板，包括防弹插板，所述防弹插板的中部设置有防弹钢板，所述防弹钢板的正面从内到外依次设置有高密度聚乙烯层Ⅰ、碳纤维布层Ⅰ、碳化硼陶瓷层Ⅰ、碳纤维布层Ⅱ、玻璃钢层、芳纶纤维层、碳化硼陶瓷层Ⅱ和碳纤维布层Ⅲ，所述防弹钢板的背面从内到外依次设置有高密度聚乙烯层Ⅱ、碳纤维布层Ⅳ、碳化硼陶瓷层Ⅲ。
一种碳化防弹插板

[发明专利]一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置-CN202210407355.7在审
发明人：王蓉;耿文浩;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆片制造技术领域，公开了一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；将激光聚焦在所述碳化硅晶锭内部的预定深度处从所述碳化硅晶锭的边缘开始向内进行扫描形成非晶层的同时采用大于非晶层表面两侧的单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中向碳化硅晶锭提供正恒电位对非晶层进行刻蚀，快速实现单晶层的剥离，得到碳化硅晶圆片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅晶圆片。
一种碳化硅晶圆片剥离方法装置

[发明专利]一种深掺杂碳化硅耐压JFET结构及其制备方法-CN202311196920.0在审
发明人：张梓豪 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种深掺杂碳化硅耐压JFET结构及其制备方法，包括碳化硅衬底和碳化硅外延层；在碳化硅外延层上设有栅极填充区、源极注入区；在该JFET结构的Y轴方向上，源极注入区与栅极填充区间断交替分布；在该JFET结构的X轴方向上，源极注入区与碳化硅外延层间断交替分布或源极注入区与栅极填充区间断交替分布；栅极填充区上覆盖有栅金属电极，整个碳化硅外延层上方覆盖有源金属电极，整个碳化硅外延层背面覆盖有漏金属电极；碳化硅衬底、碳化硅外延层、源极注入区的掺杂类型均为第一导电类型；栅极填充区的掺杂类型为第二导电类型。本发明在保持碳化硅JFET低正向导通电阻前提下，提升其反向耐压水平，增强雪崩能力。
一种掺杂碳化硅耐压 jfet 结构及其制备方法

[发明专利]碳化硅晶圆腐蚀的保护方法-CN202010620381.9在审
发明人：张晓洪;钮应喜;程海英;钟敏;袁松;左万胜;刘洋;郗修臻;史田超;史文华 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了碳化硅晶圆腐蚀的保护方法，包括以下步骤：1)在碳化硅晶圆表面镀耐腐蚀层；2)去除碳化硅晶圆待腐蚀面的耐腐蚀层；3)腐蚀步骤2)处理后的碳化硅晶圆；4)观察碳化硅晶圆的缺陷情况；5)去除碳化硅晶圆其他面的耐腐蚀层；6)去除碳化硅晶圆待腐蚀面的腐蚀层，获得可循环使用的碳化硅晶圆。与现有技术相比，本发明提供的腐蚀保护方法获得的碳化硅晶圆依然具有一定厚度，而且侧面完整性好，能够满足重复利用的要求，降低成本。
碳化硅腐蚀保护方法

[发明专利]多层碳化淬火破碎及钻探工具及其制作工艺-CN201711063486.3在审
发明人：成立 -专利权人：成立
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： B22D19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层碳化淬火破碎及钻探工具，包括至少两层套装在一起的分支层，定义中心的所述分支层为中心层，所述中心层为实心结构；所述中心层外侧的分支层均经碳化淬火处理并碳化淬火通透。本发明还公开了一种多层碳化淬火破碎及钻探工具的制作工艺。本发明的多层碳化淬火破碎及钻探工具，大大提高了柔韧性和耐磨性、延长了使用寿命。
多层碳化淬火破碎钻探工具及其制作工艺

[发明专利]碳化硅纤维复合包壳及燃料组件-CN202210482526.2在审
发明人：张显生;薛佳祥;王诗槐;高思宇;李云;任啟森;廖业宏 -专利权人：中广核研究院有限公司;岭东核电有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G21C3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纤维复合包壳及燃料组件，碳化硅纤维复合包壳包括金属管体以及复合在所述金属管体上的碳化硅纤维复合层；所述金属管体的外表面上分布有凸起结构，所述凸起结构嵌入所述碳化硅纤维复合层中，将所述碳化硅纤维复合层锁定在所述金属管体上本发明的碳化硅纤维复合包壳，在金属管体上设置凸起结构，凸起结构通过嵌入碳化硅纤维复合层中对其进行锁定，提高碳化硅纤维复合层在包壳上的稳定性，进而提升碳化硅纤维复合包壳整体结构的稳定性，还有助于提高碳化硅纤维复合包壳的热导率
碳化硅纤维复合燃料组件