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[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法-CN201510388855.0在审
发明人：邓小川;萧寒;李妍月;唐亚超;甘志;梁坤元;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N^-外延层，第一碳化硅N^-外延层中的埋介质槽，第二碳化硅N^-外延层，位于第二碳化硅N^-外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P⁺接触区和N⁺源区形成的源极，多晶硅栅极，多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质本发明通过在碳化硅VDMOS器件JFET区下部引入埋介质槽，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。
一种碳化硅 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法-CN201810593855.8在审
发明人：何志 -专利权人：重庆伟特森电子科技有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法，包括如下步骤：S1：在碳化硅基片(1)的表面覆盖一掩膜层(2)，然后对掩膜层(2)进行图形化处理，使得碳化硅基片(1)表面的第一待氧化区域裸露，其第二待氧化区域被掩膜层(2)覆盖；S2：向第一待氧化区域注入氧离子和氮离子(3)，在碳化硅基片(1)的表面形成一离子注入层(4)；S4：进行高温热氧化处理，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一氧化层(5)，且离子注入层(4)的氧化层(5)厚度大于碳化硅基片(1)表面其余区域的氧化层(5)厚度。所述方法通过氧离子的注入使得碳化硅表面非晶化，提高了氧化速度，同时通过氮离子的注入降低了二氧化硅与碳化硅界面态密度，从而可以提高了二氧化硅与碳化硅界面质量。
碳化硅基片氧化层氧化区域掩膜层离子注入层表面形成二氧化硅氮离子碳化硅高温热氧化界面态密度碳化硅表面图形化处理注入氧离子表面覆盖非晶化氧离子生长裸露覆盖

[发明专利]显示模组及其制备方法-CN202310503153.7在审
发明人：彭宁昆 -专利权人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K59/126 文献下载
摘要：该显示模组包括显示面板，显示面板包括主体部和待弯折部；显示面板的侧面包括两个第一弧形侧面和一第一连接侧面，两个第一弧形侧面位于主体部，至少部分第一连接侧面位于待弯折部；第一碳化层覆盖两个第一弧形侧面和至少部分第一连接侧面；第二碳化层与第一碳化层连接，并覆盖剩余第一连接侧面；第一碳化层和第二碳化层均具有由显示区域指向非显示区域的厚度，第一碳化层的厚度由第一面向第二面逐渐增大，第二碳化层的厚度由第一面向第二面逐渐减小。本申请通过使第二碳化层和第一碳化层在第一连接侧面上的连接位置远离第一弧形侧面；从而提升显示面板的抗静电能力，进而提升显示模组的抗静电能力。
显示模组及其制备方法

[发明专利]嵌入式碳化硅的制备方法-CN201410697251.X在审
发明人：肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式碳化硅的制备方法，包括：对形成有半导体器件的衬底进行刻蚀，形成凹槽；清洗凹槽表面；原位腐蚀凹槽表面；原子层沉积法在凹槽表面沉积籽晶层；原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；选择性外延沉积碳化硅，以形成嵌入式碳化硅。通过原子层沉积得到低缺陷和粗糙度良好的硅衬底表面，原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；得到晶格缺陷良好的SiC薄膜，有助于形成低位错缺陷的嵌入式SiC，可以在确保碳化硅薄膜低缺陷的前提下，提高NMOSFET
嵌入式碳化硅制备方法

[发明专利]一种碳化硅二极管-CN202010224362.4在审
发明人：卢盛辉;李娅波;李良良;谭华;黄继文;邓志龙;方志超 -专利权人：南宁职业技术学院
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅二极管，包括碳化硅芯片以及碳化硅芯片端部的过渡金属层，过渡金属层开有伸缩槽。过渡金属层用于将碳化硅芯片焊接至基板或引出电极。伸缩槽用于缓和过渡金属层的膨胀，降低因温度过高而撕裂芯片的概率。
一种碳化硅二极管

[发明专利]碳化硅单晶体的制备方法-CN202110947038.X有效
发明人：付芬;张洁 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及碳化硅单晶体的制备方法；本发明的碳化硅单晶体的制备方法包括提供硅衬底，硅衬底的尺寸为8‑12英寸；在硅衬底上外延生长一层碳化硅；将硅衬底剥离，以得到碳化硅外延层；用物理气相传输法对碳化硅外延层进行碳化硅单晶生长。本发明的碳化硅单晶体的制备方法便于制备出尺寸为8‑12英寸的碳化硅单晶体。
碳化硅单晶体制备方法

[发明专利]一种碳化硅二极管及其制造方法-CN201410037059.8在审
发明人：査祎英;杨霏;于坤山 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子器件及其制造方法，具体涉及一种碳化硅二极管及其制造方法。碳化硅二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一层碳化硅；第一区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅上形成；第二区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅之上，第二区碳化硅、第一区碳化硅和第一层碳化硅形成台面结构，用于为碳化硅二极管提供边缘末端保护；第二区碳化硅上的第一电极；以及碳化硅衬底上的第二电极，还提供一种制造方法，本发明使碳化硅二极管制造过程简化，耐压能力提高
一种碳化硅二极管及其制造方法

[发明专利]具有改善的涂层粘附力的PVD涂覆硬质合金切削工具-CN202180009323.5在审
发明人：法伊特·席尔 -专利权人：瓦尔特公开股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：涂覆切削工具包含硬质合金、立方氮化硼(cBN)或含有碳化钨硬质晶粒的金属陶瓷的基体、以及紧接沉积在所述基体表面之上的碳化钨(WC)层，或由所述基体和所述碳化钨层组成，其中所述碳化钨(WC)层由六方一碳化钨α‑WC相和立方一碳化钨β‑WC相的混合物或组合以及不可避免的杂质组成。
具有改善涂层粘附 pvd 硬质合金切削工具

[发明专利]陶瓷接合体-CN201680056028.4有效
发明人：中村清隆;森山正幸 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本公开的陶瓷接合体具备第1碳化硅质陶瓷、第2碳化硅质陶瓷、和位于第1碳化硅质陶瓷与第2碳化硅质陶瓷之间的接合层。接合层中，构成接合层的全部成分100质量％中，含有金属硅25质量％以上、碳化硅25质量％以上，且金属硅和碳化硅总计含有75质量％以上，此外，含有镍硅化物和铬硅化物中的至少一种。
陶瓷接合

[发明专利]一种大功率散热型碳化硅肖特基二极管-CN202210086839.6有效
发明人：陈志耀 -专利权人：先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率散热型碳化硅肖特基二极管，包括阴极金属、连接在所述阴极金属上端的碳化硅衬底、形成于所述碳化硅衬底上端的碳化硅外延层、连接在所述碳化硅外延层上端的阳极金属、SiO2保护层。本发明的碳化硅肖特基二极管，具有大功率、快速散热的特点。
一种大功率散热碳化硅肖特基二极管

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201580073264.2有效
发明人：渡边宽 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：半导体装置具备n型的碳化硅漂移层(3)、形成于碳化硅漂移层(3)上的p型的第一碳化硅层(4)、以及形成于第一碳化硅层(4)上的p型的第二碳化硅层(5)。另外，第二碳化硅层(5)的电阻的温度系数是正。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法-CN202210454383.4有效
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于功率器件技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法，多沟槽型碳化硅JBS器件包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、肖特基沟槽、注入沟槽、PN结注入掺杂区以及金属层，其中，注入沟槽和肖特基沟槽设置于碳化硅外延层上，肖特基沟槽设于相邻的注入沟槽之间，且注入沟槽的深度大于肖特基沟槽的深度；PN结注入掺杂区设于注入沟槽内，金属层在肖特基沟槽内与碳化硅外延层之间形成肖特基接触，该多沟槽型碳化硅JBS器件在横向尺寸不变的情况下提升肖特基结面积，有效提升了电流密度，同时降低了器件的漏电流，解决现有的沟槽结构多沟槽型碳化硅JBS器件存在的稳定性较差的问题。
一种沟槽碳化硅 jbs 器件及其制备方法

[发明专利]一种具有多层镀膜的模具-CN200510102017.9无效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多层镀膜的模具，其包括一基材，以及在该基材上依次形成的一铬层或硅化铬层，一硅层，一碳化硅层，一碳化硅与碳的组合层及一含氢类金刚石碳层。本发明通过在基材上形成一铬层或硅化铬层以及一硅层，可增强后续镀层与基材的附着性；最外层选用含氢类金刚石碳材，可有效增强模具的脱膜性；另，碳化硅具有较强的硬度，中间采用一碳化硅层及一碳化硅与碳的组合层，可增强模具的耐磨性
一种具有多层镀膜模具

[发明专利]在钢基体上氩弧堆焊过程中防止碳化钨分解和沉底的方法-CN200810137218.6无效
发明人：刘爱国;郭面焕 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：在钢基体上氩弧堆焊过程中防止碳化钨分解和沉底的方法，它涉及一种在氩弧堆焊过程中获得增强碳化钨颗粒不分解、不沉底的堆焊层的方法，以解决现有碳化钨堆焊技术中存在的碳化钨颗粒易分解和易沉底问题。采用氧－乙炔火焰喷涂法将镍铬硼硅自熔性合金粉末均匀地喷涂到工件的待堆焊表面；将碳化钨颗粒送入熔池中不被电弧灼烧加热的部分。本发明可有效防止碳化钨颗粒的分解，避免了电弧对碳化钨颗粒的加热作用，降低了熔池对碳化钨颗粒的热作用，可防止碳化钨分解；碳化钨颗粒在熔池中停留时间短，可避免碳化钨颗粒沉底；通过本发明的方法可制备出熔池中无析出碳化物的碳化钨堆焊层，碳化钨颗粒在堆焊层中分布均匀、无裂纹、堆焊层韧性和耐磨性较好。
基体上氩弧堆焊过程防止碳化分解沉底方法

[发明专利]用于制造电气碳化硅器件的碳化硅基板的方法-CN201410094459.2有效
发明人： C.赫克特;T.赫希鲍尔;R.鲁普;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种用于制造电气碳化硅器件的碳化硅基板的方法包括提供包括硅面和碳面的碳化硅分配器晶片；在所述硅面上沉积碳化硅外延层。此外，该方法包括在所述外延层中利用预定义能量特性植入离子以形成植入区，以便在所述外延层中以对应于待制造的碳化硅基板的外延层的指定厚度的平均深度植入离子。此外，该方法包括将受体晶片结合到所述外延层上，以便所述外延层布置在分配器晶片和所述受体晶片之间。此外，沿着所述植入区划分所述外延层，以便获得由受体晶片与具有指定厚度的外延层表示的碳化硅基板。
用于制造电气碳化硅器件方法