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[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201480055442.4在审
发明人：北村祥司 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：在SiC衬底基板上形成SiC外延层后，实现降低该外延层表面的结晶缺陷密度并提高器件的合格率。一种碳化硅半导体装置，其具有层叠在第一导电型碳化硅半导体基板(1)的一个主表面上的第一导电型碳化硅半导体外延层(2)，在所述碳化硅半导体装置中，在层叠有所述碳化硅半导体外延层(2)的碳化硅半导体基板(1)表面和碳化硅半导体外延层(2)的表面中的至少任意一个表面上具备再结晶层(13)。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种由碳化钨增强相复合粉末制得的涂层-CN202210813559.0有效
发明人：邵伟;李同广;尹逊岩;侯帅;丛乙军 -专利权人：山东雷石智能制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B22F1/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化钨增强相复合粉末及涂层以及制备方法，碳化钨增强相复合粉末包括碳化钨陶瓷粉末和镍基高温合金粉末；其中，碳化钨陶瓷粉末在碳化钨增强相复合粉末中的质量分数为30％‑40％。将碳化钨陶瓷粉末与镍基合金粉末按照特定比例混合，通过激光熔覆技术制得的碳化钨增强相合金涂层中，碳化钨并非均匀弥散分布于整个合金涂层组织中，而是优先分布于涂层底部，形成了碳化钨耐磨层与镍基合金缓冲层的泾渭分明之态随着碳化钨增强相复合粉末中碳化钨陶瓷粉末所占比例的提高，碳化钨耐磨层与镍基合金缓冲层的厚度此消彼长，当碳化钨陶瓷粉末所占质量分数达到50％时，镍基合金缓冲层基本消失，碳化钨增强相基本均匀弥散充斥于整个合金涂层中
一种碳化增强复合粉末涂层

[发明专利]一种叠层复合过滤结构-CN201910039837.X有效
发明人：余盛杰;李喜英;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B01D39/14 文献下载
摘要：一种叠层复合过滤结构，其特征在于，包括两层结构，表层结构为纤维织物层，内层结构为碳化硅泡沫支撑体，所述纤维织物层由碳化硅纤维织物与碳化硅晶须基体组成，孔隙率为20~30%，厚度为0.3~2mm，碳化硅纤维织物体积分数为40~50%，由碳化硅纤维布叠层组成，纤维布层数为2~6层；所述碳化硅泡沫支撑体为三维网状碳化硅骨架组成，孔隙率为40~50%，孔径为5~10μm，厚度为5~10mm，所述碳化硅骨架表面生长有碳化硅晶须，碳化硅骨架直径为20~30μm，内部中空，所述碳化硅晶须为多孔网状结构，晶须直径为200~500nm。本发明具有的优点：1、梯度孔隙过滤结构利于过滤清灰；2、多孔网状碳化硅晶须降低过滤阻力，提高过滤效率；3、整体结构稳定，力学性能优异。
一种复合过滤结构

[发明专利]一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法-CN202010055038.4在审
发明人：陈道坤;史波;曾丹;敖利波 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。
一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法

[实用新型]一种碳化硅功率器件终端结构-CN202020123248.8有效
发明人：陈道坤;史波;曾丹;敖利波 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。
一种碳化硅功率器件终端结构

[发明专利]碳化硅-金属复合翅片式换热管及其制备方法-CN201810338570.X在审
发明人：陈剑雄 -专利权人：陈剑雄
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： F28F1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅‑金属复合翅片式换热管，包括碳化硅管、粘合层和金属管，金属管套于碳化硅管的外侧，粘合层置于金属管和碳化硅管之间，粘合层为金属层或合金层，金属管的外侧设置翅片。本发明的碳化硅‑金属复合翅片式换热管在金属管和碳化硅管之间设置包含金属或合金的粘合层，用导热性和耐热性优良的金属或合金作为粘合层填充了金属管和碳化硅管之间的空气层，并把碳化硅管和金属管粘合成为一个复合的整体，可以填补碳化硅管外表面的凹凸不平，使碳化硅管、金属管与粘结层之间实现了连续性的面接触，克服了碳化硅管和金属管间因点接触而传热效率低的缺点，强化了传热效果，解决了换热管内的热酸液与外部气体间换热效率低的问题
碳化硅管金属管粘合层翅片式换热管金属复合碳化硅合金导热性耐热性凹凸不平金属传热效果传热效率金属管套外部气体外侧设置热效率点接触合金层换热管金属层空气层面接触粘结层粘合翅片热酸制备填充复合填补

[发明专利]在载体衬底上制备碳化硅和氮化物结构-CN202110515126.2在审
发明人： S·J·怀特利;D·亚普;E·H·陈;D·M·金;T·D·拉德 -专利权人：波音公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：将位于在碳化硅衬底上形成的一组第III族氮化物层上的第一氧化物层与位于载体衬底上的第一氧化物层结合以形成位于载体衬底和所述组第III族氮化物层之间的氧化物层。碳化硅衬底具有掺杂层。使用光电化学蚀刻工艺蚀刻具有掺杂层的碳化硅衬底，其中掺杂层的掺杂水平使得掺杂层被除去并且碳化硅衬底中的碳化硅层保持未被蚀刻。使用碳化硅层和所述组第III族氮化物层形成半导体结构。
载体衬底制备碳化硅氮化物结构

[发明专利]一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法-CN202210072526.5在审
发明人：张东生;姚栋嘉;李江涛;王征;魏庆渤;吴恒 -专利权人：巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅涂层石墨基座，包括呈圆盘片状的石墨基座，石墨基座表面沉积碳化硅薄膜，在碳化硅薄膜外沉积石墨烯薄膜或难熔金属碳化物层；或者石墨基座表面沉积难熔金属碳化物层；还包括沉积在难熔金属碳化物层表面或者沉积在石墨烯薄膜表面碳化硅涂层；通过在石墨基座表面沉积石墨烯薄膜或者难熔金属碳化物层，从而大大提高基体表面的比表面积，从而在基体表面形成了更多的形核位点，在沉积碳化硅涂层时，减轻了碳化硅晶粒聚集程度，使碳化硅涂层的晶粒分布更加均匀致密，提高了碳化硅涂层石墨基座的抗热震性能及耐腐蚀性能；本发明还涉及一种碳化硅涂层石墨基座制备方法。
一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法-CN202010238731.5在审
发明人：张红丹;焦倩倩;刘瑞;吴昊;李玲;赛朝阳;吴军民;金锐;汤广福 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网北京市电力公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。
一种碳化硅功率器件制备外延及其处理方法

[发明专利]碳化硅电池-CN202011159794.8有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：硅基底，硅基底的向光面上的碳化硅吸收层；硅基底具有多个第一导电孔，第一导电电极形成于第一导电孔内，第一导电电极用于传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子；硅基底为本征或轻掺杂的硅；碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料碳化硅吸收层位于硅基底的向光面，碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料，简化了碳化硅电池的生产工艺，具备较高的生产效率，使得碳化硅电池量产变得容易。硅基底上的第一导电孔，以及位于第一导电孔内的第一导电电极传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子，可以降低串联电阻。
碳化硅电池

[发明专利]一种具有雷达隐身性能的碳化硼防弹陶瓷及其制备方法-CN202210670332.5在审
发明人：刘峻廷;李向明 -专利权人：山东华恩新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有雷达隐身性能的碳化硼防弹陶瓷及其制备方法，所述防弹陶瓷由碳化硼陶瓷层和石英陶瓷层构成，所述碳化硼陶瓷层和石英陶瓷层采用周期性楔形结构结合，所述碳化硼陶瓷层以碳化硼粉末原料，所述石英陶瓷层原料为石英、钠长石、钾长石、硼砂、滑石粉、氧化锌、碳酸钙和碳化硅；所述石英陶瓷层原料中石英比例为50‑70％、钠长石占比2‑4％、钾长石占比2‑4％、硼砂占比16‑24％、滑石粉占比8‑12％、氧化锌占比3‑5％、碳酸钙占比3‑5％，碳化硅质量百分比为5‑7％。本发明在实际使用时，通过协调石英陶瓷层的厚度和碳化硅含量以及楔形结构的结构参数，可使该防弹陶瓷具有优异的雷达隐身性能。
一种具有雷达隐身性能碳化防弹陶瓷及其制备方法

[发明专利]碳化硅外延方法-CN202310533579.7在审
发明人：高蔓斌;区灿林;周维 -专利权人：比亚迪股份有限公司;比亚迪汽车工业有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅外延技术领域，特别涉及一种碳化硅外延方法。碳化硅外延方法包括以下步骤：对碳化硅衬底进行原位刻蚀；在碳化硅衬底的一侧表面沉积第一外延层，第一外延层的沉积速率为60μm/h~80μm/h；在第一外延层的一侧沉积第一缓冲层；在第一缓冲层背离碳化硅衬底的一侧表面沉积第二外延层在第一外延层的快速沉积过程中，C原子和Si原子在凹坑缺陷处聚集沉积，从而能够将部分凹坑缺陷填平，减少了碳化硅表面凹坑缺陷的数量，进而使第二外延层表面具有较少的凹坑缺陷，容易满足半导体器件的制备要求，这也有利于提高碳化硅半导体器件的整体性能
碳化硅外延方法

[实用新型]一种防白蚁用耐磨碳化木-CN201921725540.0有效
发明人：吴哲彦 -专利权人：福建省漳平木村林产有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防白蚁用耐磨碳化木，具体涉及碳化木技术领域，包括第一碳化木板和第二碳化木板，所述第一碳化木板设于第二碳化木板顶部，所述第一碳化木板和第二碳化木板外侧设有防水层，所述防水层外侧设有第一保护膜，所述第一保护膜外侧设有防白蚁层，所述防白蚁层外侧设有第二保护膜，所述第二保护膜外侧设有耐磨层，所述耐磨层外侧设有防紫外线层。本实用新型通过防水层外侧设有防白蚁层，并且防白蚁层由铬盐材料制成，由于铬盐的特性，可以达到有效的防止白蚁的目的，然后通过耐磨层为耐磨涂料，利用耐磨材料的性质，可以使本实用新型的硬度增强，从而进一步的防止了白蚁的侵害
一种白蚁耐磨碳化

[发明专利]一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备-CN202310487251.6在审
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。
一种碳化硅 mos 芯片电路板组件电子设备

[实用新型]一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备-CN202321027236.5有效
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。
一种碳化硅 mos 芯片电路板组件电子设备