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[发明专利]复合基板-CN202280020393.5在审
发明人：青野良太;竹藤隆之;牛岛穰;田中淳一 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本公开文本的一个方面提供复合基板，其具有陶瓷板和介由钎料层而接合于上述陶瓷板上的金属基材，所述钎料层含有银及活性金属，将从上述陶瓷板起朝向上述金属基材20μm位置处的维氏硬度设为X，将从上述陶瓷板起朝向上述金属基材70μm位置处的维氏硬度设为Y时，上述X为70～110HV，上述Y相对上述X之比为0.92以下。
复合

[发明专利]陶瓷基板与铜箔无尘复合仓-CN202311187950.5在审
发明人：张卫星 -专利权人：江苏固家智能科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：陶瓷基板与铜箔无尘复合仓，属于无尘复合仓技术领域，为解决现有的复合装置其整体工序琐碎，分步进行，工作效率不够高的问题；本发明通过同步齿带转动促使间歇齿轮180°往复转动，前一组的移动机构会移动至后一组移动机构之前所在的位置，可实现循环的夹持放置，随着第一伸缩气缸的缩回在第一挡条的作用下可将陶瓷基板铲掉脱离夹具的夹持，随后第二组夹具将陶瓷基板放置在超声波清洗箱内进行清洗，随后第三组夹具将陶瓷基板运送壳体上方，通过风扇和电磁加热管可将陶瓷基板上残存的水吹干，最后进入复合机构的内部进行热压，实现了对陶瓷基板的抛光、超声波清洗、烘干以及热压工作，操作简便，效率高。
陶瓷铜箔复合

[发明专利]一种石墨烯铝均温板及其制备方法-CN202310864778.6在审
发明人：李晓文;张健 -专利权人：北京中凯新科科技有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯铝均温板，包括镀镍铝合金结构件，镀镍铝合金结构件内部嵌有镀镍石墨烯片，镀镍石墨烯片与镀镍铝合金结构件焊接连接。制备方法：S1、将镀镍铝合金加工成镀镍铝合金结构件，镀镍铝合金结构件分为上盖板和下盒体，下盒体上端为开口端，其内部形成用于容纳镀镍石墨烯片的腔体，上盖板盖设于下盒体开口端；S2、将镀镍石墨烯片与镀镍铝合金结构件下盒体、上盖板的镀镍层通过锡焊焊接；S3、将镀镍铝合金结构件上盖板的外部边缘与下盒体的衔接处采用搅拌摩擦焊进行焊接；S4、将焊接面铣平。本发明提供的石墨烯铝均温板工艺简单，成本低，导热性能好，石墨烯片与铝合金界面结合性好，适合大规模推广使用。
一种石墨烯铝均温板及其制备方法

[发明专利]陶瓷烧结体及半导体装置用基板-CN202180094868.0在审
发明人：绪方孝友 -专利权人： NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明所涉及的陶瓷烧结体包括：氧化铝；及玻璃成分，含有二氧化硅和锰，所述陶瓷烧结体在表面侧具有结合层，该结合层具有Mn的浓度的峰值，所述结合层的深度方向上的Mn的峰值相对于Si的峰值的比例为1.0～7.0。
陶瓷烧结半导体装置用基板

[发明专利]一种氧化铝陶瓷与1060纯铝的低温连接方法-CN202311027201.6在审
发明人：付伟;薛伊迪;宋晓国;龙伟民;于树昊;胡胜鹏;卞红 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铝陶瓷与1060纯铝的低温连接方法，以Bi2O3、B2O3、ZnO、MgO和TiO2为原料制成铋酸盐玻璃粉，再以铋酸盐玻璃粉与有机载体制成的玻璃焊膏为钎料，将氧化铝陶瓷与1060纯铝形成待焊连接件，在420～500℃的温度下钎焊处理，实现氧化铝陶瓷与1060纯铝的低温可靠连接；与现有技术相比，本发明的铋酸盐玻璃粉具有较低的玻璃化转变温度、玻璃软化温度和热膨胀系数，降低了其与纯铝的焊接温度，实现了氧化铝陶瓷与1060纯铝的低温连接，同时其热膨胀系数与氧化铝陶瓷更为接近，降低了焊缝的残余应力，提高了接头的强度；本发明工艺简单、成本低、变形小、绿色环保，属于异种材料焊接技术领域。
一种氧化铝陶瓷 1060 低温连接方法

[发明专利]通过增材制造构建金属与陶瓷之间规律性锯齿界面的方法-CN202310795979.5在审
发明人：乔菁;姚利明;陆嘉;周德开;张点金;李隆球 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属与陶瓷结合领域，更具体的说是通过增材制造构建金属与陶瓷之间规律性锯齿界面的方法，该方法包括以下步骤：步骤一：通过集中热源提供的能量熔化金属材料或者陶瓷材料，以形成熔池；步骤二：通过微观流体力控制来定向制造需要的金属与陶瓷之间的界面形状，实现增材制造诱导界面增强；通过熔池深厚比Dm/Tp来控制微观流体力和界面形状，Dm是由熔池底部到基板顶部的距离，代表熔池深度，Tp是材料厚度；可以增材制造诱导界面增强策略，控制金属和陶瓷之间界面形状，提高零件质量。
通过制造构建金属陶瓷之间规律性锯齿界面方法

[发明专利]一种透明陶瓷和金属的超快激光连接方法-CN202210228702.X在审
发明人：潘瑞;陈树君;李鹏;杨东;冯英豪;董志森 -专利权人：北京工业大学;上海无线电设备研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：一种透明陶瓷和金属的超快激光连接方法，属于超快激光连接新技术领域。包括以下步骤：1)待连接的透明陶瓷和金属表面预处理；2)待连接的透明陶瓷和金属的固定与放置；3)超快激光系统连接。本发明解决了透明陶瓷和金属因物理化学性能差异大，在不添加任何中间层的前提下，直接连接难度较大的问题，实现透明陶瓷和金属超快激光微连接接头的高可靠、低应力和高精密一体化制备和有效调控，获得具有优异综合力学性能的高精密高可靠微连接接头，其接头剪切强度较传统连接方法增加。
一种透明陶瓷金属激光连接方法

[发明专利]一种陶瓷覆铝基板的制备方法及其制备的陶瓷覆铝基板-CN202310799689.8在审
发明人：唐冬梅;窦正旭;王斌;贺磊 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷覆铝基板的制备方法及其制备的陶瓷覆铝基板，涉及半导体领域，旨在解决陶瓷覆铝基板制备复杂的问题，其技术方案要点是：步骤一：采用CAPD工艺，在真空炉内将靶材和铝箔作为双阴极，在铝箔上施加偏压，挡板将靶材遮挡，接通电源后产生辉光放电，使氩气电离成等离子状态，轰击铝箔，铝箔的氧化层在氩离子轰击下发生破碎去除；将挡板移除，以钛靶作为阴极，氩离子轰击靶材溅射出的钛沉积至铝箔表面形成钛层；步骤二：将铝箔沉积钛活性金属层的一面与陶瓷表面贴合叠片，加压烧结，使陶瓷与铝箔焊接。本发明的一种陶瓷覆铝基板的制备方法及其制备的陶瓷覆铝基板工艺简单成本低，质量高。
一种陶瓷覆铝基板制备方法及其

[发明专利]一种金刚石-立方氮化硼复合片及制备方法-CN202310663126.6在审
发明人：张峰;李云升 -专利权人：廊坊西波尔钻石技术有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种金刚石‑立方氮化硼复合片及制备方法，其中的金刚石‑立方氮化硼复合片由钛涂层金刚石微粉、纯金刚石微粉、立方氮化硼微粉和钴粉组成，加入钛涂层金刚石微粉，并按一定比例加入立方氮化硼微粉，从而获得耐温性能更好的金刚石‑立方氮化硼复合片。本申请获得的金刚石‑立方氮化硼复合片兼具韧性、耐磨性与耐温性，并具有很好的导电性，在做成切削刀具时可以显著提高刀具的耐热温度；在高温真空焊接时，也会大幅度增加焊接温度范围和降低真空度条件，减少石墨化的概率。
一种金刚石立方氮化复合制备方法

[发明专利]一种C/C复合材料与高温合金的低应力耐高温连接方法-CN202310594190.3在审
发明人：王万里;黄继华;候志行;叶政;杨健 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种C/C复合材料与高温合金的低应力耐高温连接方法，包括：以Ni‑Ti合金粉与碳基粉的混合粉末作为连接材料，在较低连接温度下，Ni‑Ti合金粉熔化形成的液体在C/C复合材料与高温合金的焊缝间隙内与碳基粉发生原位反应，形成TiC颗粒强化的Ni基固溶体基复合连接层，从而实现C/C复合材料与高温合金的低应力耐高温连接。本发明连接材料制备容易、成本低，工艺过程简单，适应性较强，可以实现大间隙、不等间隙及复杂结构的连接。
一种复合材料高温合金应力耐高温连接方法

[发明专利]一种AlN陶瓷覆铜基板的制备方法-CN202310688977.6在审
发明人：孙永健;贾军峰;张维;焦慧敏;豆学刚;陈志忠;康香宁 -专利权人：保定中创燕园半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷金属化技术领域，涉及一种AlN陶瓷覆铜基板的制备方法。通过二次键合工艺方法实现AlN基板与铜箔的键合。在AlN陶瓷基板上涂覆活性金属钎焊层后与无氧铜箔贴合，使用邦定机在真空环境下加温加压进行预键合，将预键合后的产品放入真空钎焊炉中进行二次键合，由此制备得到的AlN陶瓷覆铜基板能够有效减少空洞、虚焊等缺陷，使铜箔与AlN陶瓷基板的接合更容易，更均匀，更牢靠。
一种 aln 陶瓷覆铜基板制备方法

[发明专利]一种用于电子陶瓷表面电极的制备方法-CN202310797454.5在审
发明人：夏军波;任卫 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电子陶瓷表面电极低温快速制备的方法，属于电子陶瓷与电极材料的低温快速焊接技术领域，具体技术方案为：将烧结致密的电子陶瓷材料与电极材料表面抛光，在样品上施加≥1MPa的预设压力，在400℃≤T≤1200℃的温度下，对样品施加不小于10mA/mm2的电流，并保持一0.5s≤t≤30min，电子陶瓷材料与电极材料之间通过扩散进行质量传递，进而形成材料之间的扩散连接，当电子陶瓷材料中通过一定大小的电流时，电场可以促进材料之间的扩散速率，实现电子陶瓷材料与电极材料之间的快速焊接，有效降低了焊接所需温度，提高了焊接速度。
一种用于电子陶瓷表面电极制备方法

[发明专利]金属与陶瓷复合件及其制备方法、壳体和电子设备-CN202211062241.X有效
发明人：程强;李忠军;崔基国;毛桂江 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属与陶瓷复合件及其制备方法、壳体和电子设备；其中，金属与陶瓷复合件包括金属基体及陶瓷基体，金属基体与陶瓷基体之间通过扩散层冶金结合；扩散层为金属基体中的元素原子与陶瓷基体中的元素原子相互扩散、经化学反应形成的连接结构；扩散层包括芯层以及分别形成在芯层两侧的第一结合层和第二结合层；芯层用于为金属基体与陶瓷基体提供元素原子之间相互扩散的通道；第一结合层和第二结合层背离芯层的表面分别形成有连续凸起的不规则接头；金属基体和陶瓷基体分别通过连续凸起的不规则接头紧密连接在芯层的两侧。本申请的金属与陶瓷复合件兼具金属和陶瓷的双重优点，两种材料之间的连接强度高、结构稳定性好。
金属陶瓷复合及其制备方法壳体电子设备

[发明专利]铜-陶瓷接合体、及绝缘电路基板-CN202080087117.1有效
发明人：寺崎伸幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明为通过接合铜部件及陶瓷部件而成的铜‑陶瓷接合体，所述铜部件由铜或铜合金构成，所述陶瓷部件由含硅陶瓷构成，其中，从所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面起朝向所述铜部件侧10μm至50μm的区域的最大压痕硬度在70mgf/μm2以上且150mgf/μm2以下的范围内。
陶瓷接合绝缘路基

[发明专利]一种陶瓷金属化设备-CN202310606923.0在审
发明人：刘平;伍旭辉;曾奇;周淑英;曹建辉 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷金属化设备，属于陶瓷加工领域，包括固定基台，所述固定基台的顶端设置有固定轴承，固定轴承的外环和固定基台固定连接，固定轴承的内环中固定安装有锁定圆杆，所述锁定圆杆的一侧设置有竖直转盘，竖直转盘的一侧设置有两个胀大板，胀大板的端头均设置有涨大块，其中一个涨大块的侧壁上设置有端头插杆，另一个涨大块的侧壁上设置有和端头插杆相匹配的开孔，所述固定基台的另一侧设置有齿轮盘，齿轮盘和锁定圆杆的端头固定连接，齿轮盘的一侧安装有减速电机，减速电机和齿轮盘相互啮合，减速电机安装在减速电机的输出端上，减速电机和固定基台的侧壁固定连接。本发明胀大板的涨大块分开的时候会锁紧陶瓷瓶的内侧壁。
一种陶瓷金属化设备

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