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[发明专利]硅片正面保护方法-CN201310597829.X有效
发明人：陈敏;马清杰 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片保护的方法，包括以下步骤，提供一需要进行背面腐蚀的硅片，所述硅片正面形成有开口；制备一光刻胶将硅片正面区域完全覆盖；刻蚀去除部分光刻胶，在开口处形成剩余光刻胶，所述剩余光刻胶将所述开口完全覆盖；涂覆一层刻蚀保护涂层将暴露的硅片正面的开口上方的剩余光刻胶覆盖；对硅片背面进行腐蚀，腐蚀完成后去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶。本发明在进行硅片背面腐蚀工艺中，可很好的将沟槽予以密封，进而在进行背面腐蚀时不会对硅片正面造成损伤，同时去除后也不会在沟槽内形成残余物，不影响后续的沟槽或通孔的填充工艺，提高了产品良率及器件性能。
硅片正面保护方法

[发明专利]一种双面电池的制备方法-CN201910053752.7在审
发明人：柯希满;童锐;张忠卫 -专利权人：南通苏民新能源科技有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面电池的制备方法，包括：在硅片表面形成绒面；对硅片的正面进行扩散形成掺杂层；对硅片背面抛光，去除硅片边缘处的PN结；在硅片背面印刷背面铝栅线；在硅片背面顺次镀上钝化膜层和减反射膜层；在硅片的正面镀上减反射膜层；在硅片背面印刷银浆背面电极，并在硅片正面印刷银浆正面电极和银浆正面栅线；将印刷好的硅片在设定温度下进行烧结，硅片正面印刷的银浆正面电极和银浆正面栅线穿过硅片正面的减反射膜层与硅片形成良好接触；硅片背面印刷的铝栅线与硅片形成良好接触，硅片背面印刷的银浆背面电极在高温下穿透硅片背面的减反射膜层和氧化铝膜层，与背面铝栅线形成良好接触。
硅片背面硅片减反射膜层银浆印刷硅片正面良好接触铝栅制备背面电极双面电池印刷银浆正面电极正面栅线背面氧化铝膜层钝化膜层硅片边缘硅片表面激光开槽抛光烧结掺杂层线形成绒面去除穿透损伤穿过扩散

[发明专利]硅片双面抛光工艺-CN201310539683.3在审
发明人：余图斌;贺贤汉;余卓朋;李星 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明硅片双面抛光工艺，包括：第一步，硅片正面处理，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第二步，硅片背面处理，在硅片正面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘结剂，对硅片表面平坦度进行测定，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第三步，硅片正面最终修整，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂和颗粒。
硅片双面抛光工艺

[发明专利]一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法-CN201510423091.4有效
发明人：秦崇德;方结彬;石强;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-07-18 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法，包含如下步骤硅片正面制作倒金字塔结构、硅片背面局部区域硼扩散、硅片正面栅指电极浓磷扩散、硅片正面淡磷扩散、硅片正面氧化硅(SiO2)减反射钝化层沉积、硅片背面氧化硅(SiO2)钝化层沉积、硅片背面光刻电极接触孔、硅片正面光刻栅指电极引线孔、硅片正面蒸镀栅指电极、硅片背面蒸镀铝电极、硅片正面电镀银和退火,形成太阳能电池。本发明通过在电池正面采用”倒金字塔”结构，使受光效果优于普通绒面结构，具有很低的反射率，从而提高了电池的Jsc。
一种钝化发射背面局部扩散太阳能电池制备方法

[发明专利]一种双抛片的加工方法-CN200910154293.8无效
发明人：肖型奎 -专利权人：杭州海纳半导体有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双抛片的加工方法，包括如下步骤：1)在抛光硅片B正面设置氧化层；2)选用平面大小同抛光硅片B的硅片A，对其进行单面抛光和清洗，抛光后的面为硅片A背面，另一面为硅片A正面；3)将抛光硅片B的正面和硅片A背面两两正对后进行室温键合，然后放到高温炉中进行高温处理；4)对硅片组中的硅片A正面进行单面抛光，或者对硅片组中的硅片A正面先研磨、再单面抛光；接着对所得抛光后硅片组进行清洗；5)将硅片组放到HF溶液中浸泡，直到硅片A和抛光硅片B相分离；6)将硅片A进行清洗，得双抛片。采用该方法能降低双抛硅片加工的碎片率。
一种双抛片加工方法

[发明专利]一种FS型IGBT器件的制造方法-CN201710007355.7在审
发明人：程炜涛;訾彤彤;杨晓鸾;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种FS型IGBT器件的制造方法，包括以下步骤将硅片背面减薄；在硅片的背面注入N型杂质；在硅片的背面生长氧化层保护层；对硅片的正面进行常规步骤直至ILD淀积；在硅片的正面淀积SIN介质保护层；在硅片的正面涂覆光刻胶并将光刻胶烘干；去除硅片背面氧化层保护层；去除硅片正面的保护用光刻胶；在硅片的背面注入P型重掺杂集电区的离子；在硅片的背面淀积氧化层保护层；去除硅片正面的SIN保护层；对硅片的正面从淀积步骤开始继续进行常规的步骤；去除硅片背面的氧化层保护层；对硅片的背面进行常规的背金以及合金步骤。本发明可以对硅片背面的P型离子注入进行良好的激活，又不至于对正面结构引入其他影响进而导致电学参数的漂移。
一种 fs igbt 器件制造方法

[发明专利]一种TOPCon电池的制备方法-CN202211200238.X在审
发明人：刘俊稳;袁晓佳;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种TOPCon电池的制备方法，包括：(1)对硅片进行清洗制绒；(2)对清洗制绒后的硅片正面进行硼扩散；(3)去除硅片背面BSG；(4)对硅片背面碱抛光；(5)在硅片背面生长隧穿氧化层并沉积本征非晶硅层；(6)去除硅片正面非晶硅绕镀；(7)对硅片背面进行磷扩散；(8)去除硅片正面的PSG、隧穿氧化层、BSG、BPSG及硅片背面PSG；(9)对硅片正面、背面均沉积钝化减反射膜；(10)对硅片正面、硅片背面均制备电极本发明的提供的制备方法，可以避免直接背面磷扩散绕镀到正面形成PSG/BPSG及覆盖在PSG下面的poly‑Si难以去除及去除后存在绕镀痕迹导致外观不良的问题，提高电池良率。
一种 topcon 电池制备方法

[发明专利]硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池-CN202211097850.9在审
发明人：夏新中;潘明翠;郎芳;孟庆超;王红芳;翟金叶 -专利权人：英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括：硼扩散后的硅片刻蚀时，使热风从硅片的正上方垂直吹向硅片的正面，加热硅片，扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，去除硅片背面和侧面的硼硅玻璃本发明热风直接吹到硅片的正面，在硅片的背面和侧面形成了快速的化学反应过程，进而提升刻蚀速度，提升了硅片背面和侧面硼硅玻璃的去除速度，提升了太阳能电池的生产效率，降低了氢氟酸刻蚀液的消耗，降低了资源消费，降低了企业的生产成本；同时能够扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，避免硅片正面被腐蚀和刻蚀，在去除背面和侧面硼硅玻璃的同时，对硅片正面起到保护的作用。
硅片背面侧面玻璃去除方法太阳能电池

[发明专利]一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法-CN202010516396.0在审
发明人：赵小平;杨二存;夏利鹏;高丽丽;刘海泉;刘浩东;郭星妙 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒；将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；硅片正面开槽；去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；经过退火炉形成氧化保护膜；沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜；硅片通过背面激光开槽；背面电极印刷；铝背场印刷；正面电极印刷以及高温快速烧结。
一种选择性发射极单晶硅制备方法

[发明专利]一种太阳能电池选择性掺杂方法和制作方法-CN202210825421.2在审
发明人：郁寅珑;付少剑 -专利权人：上饶捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：包括：在制绒的最后槽体中氧化硅片，以在硅片的表面形成氧化层；去除位于硅片正面的氧化层与正面栅线对应的区域，得到处理后硅片；对处理后硅片的正面进行扩散，以在对应氧化层的区域形成轻掺杂，在未对应氧化层的区域形成重掺杂，得到正面具有选择型掺杂结构的硅片。本申请在制绒的最后一道工序中氧化硅片，然后去除硅片正面氧化层对应正面栅线的区域，在扩散时氧化层具有阻挡作用，在硅片表面实现局部重掺杂。由于氧化硅片是在制绒的最后一道工序中进行，不需额外增加设备投入，所以只需增加去除硅片正面氧化层对应正面栅线的区域这道工序，简化工艺，节省设备投入。
一种太阳能电池选择性掺杂方法制作方法

[发明专利]一种太阳能电池片的制备方法-CN201511008173.9在审
发明人：张文锋;崔红星 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)、对原始硅片进行清洗；(2)、对清洗后的硅片正面进行链式制绒；(3)、将上述硅片的背面背靠背进行单面扩散，硅片正面为扩散面；(4)、去PSG；(5)、对硅片的背面进行抛光处理；(6)、在扩散后的硅片正面采用pecvd法沉积减反射钝化膜；(7)、丝网印刷并烧结电极与背电场；(8)、测试分选。对硅片的正面进行单面制绒，背面采用抛光处理，减少了制绒试剂的使用，降低了成本，并且可以确保硅片的有效厚度，提高了电池硅片的背面钝化与长波的反射，有利于电池硅片正面对长波的吸收。
一种太阳能电池制备方法

[发明专利]一种单晶硅片背面抛光方法及硅片-CN202110638015.0有效
发明人：韩雅楠;刘海金;庞瑞卿;吕闯;时宝;林纲正;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片背面抛光方法，其包括：提供硅片；在硅片的正面形成水膜；将硅片的背面接触第一酸液，以去除PSG；采用氧化液在硅片的正面形成氧化层；背面接触碱液，抛光硅片的背面；采用第二酸液去除硅片正面的氧化层相应的，本发明还公开了一种硅片，其采用上述的单晶硅片正面抛光方法抛光后得到。实施本发明，可提升抛光效率，降低抛光工艺成本。
一种单晶硅背面抛光方法硅片

[发明专利]一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法-CN202010516401.8在审
发明人：赵小平;杨二存;夏利鹏;高丽丽;刘海泉;刘浩东;郭星妙 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，包括选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒；将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；硅片经过激光器，正面开槽；去除硅片边缘PN结；形成氧化保护膜；沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；沉淀硅片的正面镀氮化硅反射膜；硅片通过背面激光开槽；背面电极印刷、铝背场印刷、正面主栅印刷、正面副栅印刷和高温快速烧结。
一种具有良好印刷性能单晶硅制备方法

[发明专利]硅片的背面图形化的工艺方法-CN201210289292.6有效
发明人：王雷;郭晓波 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片的背面图形化的工艺方法，包括步骤：在硅片的正面完成正面图形化工艺；在硅片的正面沉积保护层；采用光刻刻蚀工艺在硅片正面形成深沟槽并用深沟槽定义出器件背面部分的对准标记；将硅片反转，用硅片的正面和一载片进行键合；对硅片的背面进行研磨到需要的厚度并将对准标记从硅片的背面露出；用对准标记进行对准，在硅片的背面进行背面图形化工艺；进行解键合工艺将硅片和载片解离。本发明方法中的对准标记从正面穿透到背面，能在进行背面图形化工艺时，不需要增加额外的光刻设备和工艺来实现背面图形和正面图形的对准，能够大幅度的降低生产成本，同时还兼容薄片工艺。
硅片背面图形工艺方法

[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN202211067117.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：三一集团有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，太阳能电池的制备方法包括：对硅片的表面进行制绒处理；在硅片正面的制绒面上制备掺杂层；在硅片正面的金属接触区域形成掩膜；去除硅片正面的非掩膜区域掺杂层，并去除掩膜；在硅片的背面制备隧穿氧化钝化接触结构；在硅片的正面和背面印刷金属浆料并烧结；通过激光增强接触优化技术对硅片正面的金属浆料进行处理，使硅片的正面形成欧姆接触的局部接触电极。太阳能电池的钝化效果优异，无横向传输损耗，使正面非金属接触区域无表面场，无横向传输损耗和光学损耗，使硅片正面形成欧姆接触的局部接触电极，有利于开路电压的增加和效率的提升。
太阳能电池制备方法

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