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[实用新型]一种基于内部自增压以减少硅胶残胶的料筒-CN202320629678.0有效
发明人： 夏新中;王志功;秦方娜;王会晓;王坤 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B65D88/64 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于内部自增压以减少硅胶残胶的料筒，属于光伏组件技术领域，包括筒体、外层膜袋及内层膜袋，外层膜袋安装于筒体内，且与筒体的内壁和底部贴合安装，内层膜袋安装于外层膜袋内，且用于盛放硅胶，内层膜袋的外壁上侧与外层膜袋的内壁上侧具有贴合固定连接的密封连接段；内层膜袋的外壁下侧与外层膜袋之间、内层膜袋的底部和外层膜袋的底部均设有间隙，内层膜袋、外层膜袋及间隙形成容纳腔，容纳腔内填充流体物质。本实用新型提供的基于内部自增压以减少硅胶残胶的料筒，流体物质聚集在内层膜袋的下方而将内层膜袋的底部顶起，使内层膜袋中残余硅胶进入压盘凹面内，从而被顺利地排出，减少了硅胶的浪费。
一种基于内部增压减少硅胶

[实用新型]一种基于外部加压以减少硅胶残胶的料筒-CN202320627177.9有效
发明人： 夏新中;王志功;秦方娜;王会晓;王坤 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B65D88/54 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于外部加压以减少硅胶残胶的料筒，属于光伏组件技术领域，包括筒体、气囊、储存膜袋、及介质充入机构，筒体的筒壁上开设通气孔，气囊安装于筒体底部，气囊的进气口与通气孔相连接，气囊为干瘪状态，储存膜袋的底部支撑于气囊上，侧壁与筒体内壁相连接；介质充入机构包括连接管和动力泵，连接管的一端与通气孔连接，另一端与动力泵连接，动力泵的另一端用于与储物箱连接，储物箱内具有流体物质。本实用新型提供的基于外部加压以减少硅胶残胶的料筒，借助动力泵和连接管向气囊内充入流体物质将储存膜袋的底部顶起，使残余硅胶进入压盘凹面中而被顺利安排出，减少了硅胶的浪费。
一种基于外部加压减少硅胶

[实用新型]一种基于化学反应增压以减少硅胶残胶的料筒-CN202320627198.0有效
发明人： 夏新中;王志功;秦方娜;王会晓;王坤 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B65D88/64 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于化学反应增压以减少硅胶残胶的料筒，属于光伏组件技术领域，包括筒体、化学反应罐、端盖、储存膜袋及可拆卸连接件，化学反应罐内设有第一存储腔和第二存储腔，第一存储腔和第二存储腔分别用于存储不同的溶液，第一存储腔和第二存储腔之间设有连通孔，可拆卸连接件一端连接于连通孔中，端盖封盖于第一存储腔和第二存储腔上，且端盖上设有多个通气孔，储存膜袋支撑于端盖上。本实用新型提供的基于化学反应增压以减少硅胶残胶的料筒，借助可拆卸连接件控制第一存储腔和第二存储腔之间的连通状态，从而使两种溶液混合后产生气体而将储存膜袋的底部顶起，使残余硅胶进入压盘凹面中而被顺利安排出，减少了硅胶的浪费。
一种基于化学反应增压减少硅胶

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310479512.X在审
发明人：潘明翠;马红娜;赵学玲;翟金叶;李英叶;王红芳;郎芳;孟庆超;史金超;夏新中 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种TOPCon电池及其制备方法。将硅片双面抛光后，在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层，然后依次进行磷扩散、去除正面绕镀、制背面掩膜、制绒、硼扩散、去除背面掩膜后，在硅片正面生长氧化铝层，再在硅片的正面和背面生长氮化硅层，印刷烧结，得TOPCon电池；硼扩散的温度为850‑950℃，时间为2400s‑4500s。本发明提供的TOPCon电池的制备方法，通过改变硼扩散工序的顺序，以及在硅片背面制掩膜后进行制绒和硼扩散的工艺，有效降低了清洗绕镀层的难度，降低了清洗绕镀层的时间和清洗化学品的消耗量，显著提高了TOPCon电池的生产效率，有效降低了生产成本，减少了清洗废液的产生。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池去绕扩方法及去绕扩装置-CN202310113274.0在审
发明人： 夏新中;潘明翠;秦方娜;孟庆超;翟金叶;郎芳 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池制备领域，具体公开了一种太阳能电池去绕扩方法及去绕扩装置，具体包括：对硅片进行制绒，所述制绒过程包括对硅片的非制绒面进行硅酸钠喷涂，并烘干后形成硅酸钠保护层；对硅片进行扩散；采用HF酸对扩散后硅片进行清洗，去除硅酸钠保护层。本发明通过利用制绒废液和碎硅片制备硅酸钠粘性物质，并喷涂在硅片表面，形成扩散保护层，增强了废液的回收利用，避免了绕扩的产生，同时加快了二次清洗工序的反应速率，解决了产能瓶颈的问题。
一种太阳能电池去绕扩方法装置

[发明专利]一种减少硅胶残胶的操作方法-CN202310309214.6在审
发明人： 夏新中;王志功;秦方娜;王会晓;王坤 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少硅胶残胶的操作方法，属于光伏组件技术领域，包括在料筒底部安装随形挤压结构，并将盛放膜袋放置于料筒内，且支撑于随形挤压结构上；将填料活塞涂胶泵安装于料筒内，且压盘作用于硅胶上，并将硅胶从盛放膜袋中泵出；当压盘向下移动至料筒的底部而无法继续下移时，随形挤压结构发生变形且产生向上的作用力，随形挤压结构推动盛放膜袋的底部向上顶起，盛放膜袋内的硅胶进入到压盘的凹槽中；填料活塞涂胶泵将压盘凹槽中的硅胶泵出。本发明提供的减少硅胶残胶的操作方法，在随形挤压结构发生形变的作用下将盛放膜袋底部的硅胶进入到压盘凹面内，从而通过填料活塞涂胶泵中的活塞而被顺利地排出，减少了硅胶的浪费。
一种减少硅胶操作方法

[发明专利]降低太阳能电池效率衰减的处理方法及太阳能电池-CN202310237877.1在审
发明人：潘明翠;王红芳;翟金叶;孟庆超;郎芳;李英叶;夏新中;马红娜;王子谦;史金超;吝占胜 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低太阳能电池效率衰减的处理方法及具有防衰减保护层的太阳能电池，属于太阳能电池制备技术领域，包括，将晶硅电池吸附在载片台上；具体地为真空吸附，以防止晶硅电池移动；沿晶硅电池的主栅线铺设挡条；在挡条上铺设网版，并使网版完全覆盖下方的晶硅电池；在网版上涂抹防腐涂料，防腐涂料透过网版涂敷在晶硅电池的细栅线上；烘干，使防腐涂料在晶硅电池的细栅线上固化形成防腐涂层。本发明在晶硅电池正背面细栅线上制作防腐涂层，将金属电极与醋酸蒸汽隔离，避免醋酸与金属电极发生化学反应，提高太阳能电池抗醋酸腐蚀的效率，避免金属电极电阻的增加，降低电池效率衰减的速度，提升太阳能电池的效率。
降低太阳能电池效率衰减处理方法

[发明专利]硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池-CN202211097850.9在审
发明人： 夏新中;潘明翠;郎芳;孟庆超;王红芳;翟金叶 -专利权人：英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括：硼扩散后的硅片刻蚀时，使热风从硅片的正上方垂直吹向硅片的正面，加热硅片，扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，去除硅片背面和侧面的硼硅玻璃。本发明热风直接吹到硅片的正面，在硅片的背面和侧面形成了快速的化学反应过程，进而提升刻蚀速度，提升了硅片背面和侧面硼硅玻璃的去除速度，提升了太阳能电池的生产效率，降低了氢氟酸刻蚀液的消耗，降低了资源消费，降低了企业的生产成本；同时能够扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，避免硅片正面被腐蚀和刻蚀，在去除背面和侧面硼硅玻璃的同时，对硅片正面起到保护的作用。
硅片背面侧面玻璃去除方法太阳能电池

[实用新型]一种太阳能电池-CN202222330655.8有效
发明人：孟庆超;王子谦;夏新中;潘明翠;张莉沫;张任远;张丽娜;李英叶 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池，属于电池技术领域，包括：电池基体以及设置在电池基体正面的栅线，其特征在于，栅线的横截面为三角形，栅线的顶部凸出电池基体的上表面，栅线的底部位于电池基体的内部，栅线的两侧面为反光面。本实用新型提供的一种太阳能电池，本申请的栅线的横截面形状为三角形，栅线的两侧为反光面，反光面可以将射向栅线的光线反射到电池基体的无遮挡区域(即电池基体没有被栅线遮挡的区域)，从而减小了栅线的遮光损失，同时栅线的一部分凸出电池基体的上表面，一部分位于电池基体的内部，在栅线的高度尺寸保持不变的情况下，能够有效降低凸出电池表面的栅线高度，进一步降低了遮光损失。
一种太阳能电池

[实用新型]一种氢氟酸刻蚀硅片的装置-CN202222730812.4有效
发明人： 夏新中;潘明翠;翟金叶;孟庆超;王红芳;郎芳 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，包括酸液槽、多组滚轮以及加热丝，酸液槽用于盛装氢氟酸；多组滚轮转动安装在酸液槽内，用于传输硅片；滚轮的上表面低于氢氟酸的液面；加热丝安装在滚轮上，用于对硅片的下表面进行加热。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，加热丝产生的热量能够提升壳体、壳体周边以及硅片下表面的温度，只在化学反应的局部产生热量，而并非对整个酸液槽都进行加热，可大大降低热能的消耗，可大幅降低氢氟酸的挥发量，减少氢氟酸的浪费，提高了化学反应的界面处的温度，加快了反应速率，得以提升传输速度，提升设备产能。
一种氢氟酸刻蚀硅片装置

[实用新型]防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置-CN202222902530.8有效
发明人：王红芳;徐卓;翟金叶;潘明翠;郎芳;孟庆超;夏新中;陈志军;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置，属于太阳能电池技术领域，包括载片舟、支撑架和真空管；支撑架设于载片舟内，支撑架的两侧用于贴合硅片，支撑架为中空的框架且支撑架的边缘与硅片的边缘平齐；支撑架的内部具有第一气体通道，支撑架与硅片贴合的两个侧壁上开设有与第一气体通道相连通的第一通气孔；真空管的一端贯穿支撑架的侧壁并与第一气体通道连通。本实用新型提供的防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置，在真空泵的作用下将支撑架两侧的硅片吸附在支撑架上，保证了硅片和支撑架的紧密贴合，避免了工艺气体进入硅片和支撑架之间，避免了晶硅电池绕镀和绕扩，进而节省了生产成本和提高了生产效率。
防止电池装置

[发明专利]一种晶体硅片的制绒方法-CN202211103995.5在审
发明人：王红芳;徐卓;李锋;潘明翠;郎芳;翟金叶;孟庆超;夏新中;陈志军;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明具体公开一种晶体硅片的制绒方法。所述挖孔工序包括：将沉银后的硅片置于挖孔处理液中，浸泡30s‑50s后，开启超声波进行间歇超声挖孔处理，得到挖孔的硅片；其中，所述挖孔处理液包括：氢氟酸10％‑20％，双氧水20％‑30％，可溶性硅酸盐0.5％‑2％，余量为去离子水。本发明提供的晶体硅片的制绒方法，通过采用特定的间歇超声配合向挖孔液中加入特定含量的硅酸盐的方法，使得硅片表面附着的气泡及时脱离，从而在硅片表面形成更加均匀的孔洞，从而使得硅片具有适中的反射率，进而可有效提高电池的转换效率。
一种晶体硅片方法

[实用新型]一种消除太阳能电池绕扩、绕度的载片舟-CN202222597232.2有效
发明人： 夏新中;孟庆超;王红芳;潘明翠;翟金叶;郎芳 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种消除太阳能电池绕扩、绕度的载片舟，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的载片舟，包括舟体，舟体的上端面设置有插片槽组，多组插片槽组以舟体的轴线为圆心呈圆周分布，插片槽组包括多组适于硅片插入的插片槽，插片槽贯穿舟体的上端面与下端面设置，插片槽平行于舟体的轴线设置，同一插片槽组内的插片槽相互平行设置，插片槽的宽度大于硅片的厚度。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的载片舟，硅片插入插片槽中，硅片的背面贴紧插片槽远离舟体中心一侧的舟壁上，转动载片舟，硅片在离心力的作用下紧贴在载片舟的舟壁上，硅片背面不会与气流接触，避免绕扩或绕镀的发生。
一种消除太阳能电池载片舟

[实用新型]一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉-CN202222598336.5有效
发明人： 夏新中;孟庆超;王红芳;潘明翠;翟金叶;郎芳 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，包括炉管主体、旋转组件以及驱动件，炉管主体内部设置有反应腔，炉管主体的底部设有进气口，炉管主体的顶部设有出气口；旋转组件包括转轴和底托，转轴与炉管主体转动连接，转轴沿竖直方向贯穿炉管主体的底部并延伸至反应腔内部，底托固定安装在转轴的顶部，底托用于支撑固定载片舟；驱动件用于驱动转轴转动。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，可用于硼扩散或ALD工序，载片舟设置在底托上，转轴转动，利用离心力将硅片紧贴在载片舟的舟壁上，避免绕扩或绕镀的发生，提升了生产效率。
一种消除太阳能电池沉积

[实用新型]减小晶硅电池绕镀或绕扩的装置-CN202222902542.0有效
发明人：王红芳;徐卓;潘明翠;郎芳;翟金叶;孟庆超;夏新中;陈志军;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种减小晶硅电池绕镀或绕扩的装置，属于太阳能电池技术领域，包括载片舟、支撑架和真空管；载片舟内设有支撑架，支撑架的两侧分别贴合两个硅片，支撑架为中空的框架且支撑架的边缘与硅片的边缘平齐；真空管的一端贯穿支撑架并延伸至支撑架的内腔中，真空管的另一端连接有真空泵。本实用新型提供的减小晶硅电池绕镀或绕扩的装置，在真空泵的作用下两个硅片紧密贴合在支撑架的两侧，避免了工艺气体进入两个硅片之间与硅片的背表面发生反应；避免了晶硅电池绕镀和绕扩，省掉了后续的化学清洗的工艺步骤、节省了生产成本、提高了生产效率。
减小电池装置

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