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[实用新型]一种石英舟及镀膜炉管-CN202320947795.1有效
发明人：郎芳;王子谦;王红芳;马红娜;张磊;潘明翠;翟金叶;赵学玲;王平;孟庆超;张文辉;赵亮;李献朋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石英舟及镀膜炉管，属于太阳能电池技术领域，包括舟托、多个石英挡板、多个石英隔板组、介质入口和介质出口；多个石英挡板均固定安装于舟托的上端，石英隔板组包括多个间隔平行布置的石英隔板，石英隔板与对应的石英挡板的侧面固定连接，且相邻的两个石英隔板之间形成安装槽；石英挡板和石英隔板内均设有中空腔，介质入口和介质出口分别与各石英挡板中的中空腔相连通，低温介质自介质入口进入到各石英挡板和各石英隔板内的中空腔内，并在硅片周围形成低温环境。本实用新型提供的石英舟，低温介质借助介质入口进入到石英隔板和石英挡板上的中空腔，并对硅片进行降温，避免硅片出现绕镀现象。
一种石英镀膜炉管

[发明专利]N型电池硼硅玻璃清洗方法-CN202310841571.7在审
发明人：马红娜;史金超;赵学玲;王子谦;郎芳;王红芳;王平;翟金叶;潘明翠;孟庆超;宾鹏帅 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型电池硼硅玻璃清洗方法及，属于太阳能电池技术领域，所述方法包括：将鹏扩散后的硅片正面朝下放置于载板上；将载板及硅片放入等离子刻蚀机内，等离子刻蚀机激发含氟离子的气体，将硅片背面及边缘的硼硅玻璃刻蚀干净；将经等离子刻蚀机刻蚀后的硅片及载板放入槽式酸洗设备，对硅片背面及边缘进行抛光处理。本发明采用等离子去除的方法，将硼扩散后的硅片正面朝下平放到载板上，然后将载板置于等离子刻蚀机内，等离子刻蚀机激发含氟的气体产生氟粒子，氟离子即可将硅片背面机边缘的硼硅玻璃刻蚀干净，该方式既能有效去除硅片背面及边缘绕扩的硼硅玻璃，又能避免硼扩后的正面受到破坏，能够保证电池的EL测试性能及外观质量。
电池玻璃清洗方法

[发明专利]一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法-CN202310606741.3在审
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;郞芳;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;史金超;刘莹;尚琪;田思;李英叶;程立威;于全庆 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅片受光面制备上隧穿氧化层及上掺杂多晶硅层，在硅片背光面制备下隧穿氧化层及下掺杂多晶硅层；在下掺杂多晶硅层外侧制备氧化硅层；对上掺杂多晶硅层进行激光热处理，形成激光损伤层；将硅片放置于碱性药液中，对硅片的受光面未进行激光热处理的表面进行制绒；对激光损伤层进行化学清洗；对硅片进行钝化减反膜沉积，在进行加工指定区域上印刷上金属栅线。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，提升了电池钝化效果，降低受光面的金属接触复合，简化了制备工艺步骤。
一种复合双面钝化接触太阳能电池制备方法

[发明专利]图形化掩膜板、掺杂方法及太阳能电池制作方法-CN202310343522.0在审
发明人：王红芳;史金超;翟金叶;潘明翠;郎芳;田思;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形化掩膜板、掺杂方法及太阳能电池制作方法，属于太阳能电池技术领域，其中图形化掩膜板包括边框，边框内具有并排设置的非遮挡区和遮挡区，遮挡区内具有多个间隔设置的条形板，条形板的一端与边框连接，条形板的另一端朝向非遮挡区；相邻条形板之间的间隙连接非遮挡区，相邻条形板之间的间隙数量与印刷栅线电极的根数一致。本发明提供的图形化掩膜板，位于非遮挡区范围内的硅片可以实现多接受一次全掺杂，提高全掺杂的覆盖率，进而提高了转化效率；使得磷离子在二次注入到硅片表面的同时硅片表面完成选择性掺杂，最终实现一次性高激活率选择性掺杂过程，进而提升了电池效率。
图形化掩膜板掺杂方法太阳能电池制作方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310479512.X在审
发明人：潘明翠;马红娜;赵学玲;翟金叶;李英叶;王红芳;郎芳;孟庆超;史金超;夏新中 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种TOPCon电池及其制备方法。将硅片双面抛光后，在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层，然后依次进行磷扩散、去除正面绕镀、制背面掩膜、制绒、硼扩散、去除背面掩膜后，在硅片正面生长氧化铝层，再在硅片的正面和背面生长氮化硅层，印刷烧结，得TOPCon电池；硼扩散的温度为850‑950℃，时间为2400s‑4500s。本发明提供的TOPCon电池的制备方法，通过改变硼扩散工序的顺序，以及在硅片背面制掩膜后进行制绒和硼扩散的工艺，有效降低了清洗绕镀层的难度，降低了清洗绕镀层的时间和清洗化学品的消耗量，显著提高了TOPCon电池的生产效率，有效降低了生产成本，减少了清洗废液的产生。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池去绕扩方法及去绕扩装置-CN202310113274.0在审
发明人：夏新中;潘明翠;秦方娜;孟庆超;翟金叶;郎芳 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池制备领域，具体公开了一种太阳能电池去绕扩方法及去绕扩装置，具体包括：对硅片进行制绒，所述制绒过程包括对硅片的非制绒面进行硅酸钠喷涂，并烘干后形成硅酸钠保护层；对硅片进行扩散；采用HF酸对扩散后硅片进行清洗，去除硅酸钠保护层。本发明通过利用制绒废液和碎硅片制备硅酸钠粘性物质，并喷涂在硅片表面，形成扩散保护层，增强了废液的回收利用，避免了绕扩的产生，同时加快了二次清洗工序的反应速率，解决了产能瓶颈的问题。
一种太阳能电池去绕扩方法装置

[发明专利]一种SE-TOPCon电池方块电阻测试方法-CN202310284974.6在审
发明人：马红娜;史金超;王平;王子谦;赵学玲;郎芳;潘明翠;王红芳;翟金叶;孟庆超;张文辉;赵亮 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种SE‑TOPCon电池方块电阻测试方法，具体是将同一片硅片平均分成两部分，上部分用激光掺杂，可选择全打，也可选择图案化的部分打，下半部分不掺杂。退火后测试同一片硅片，上半部分全打而下半部分不打的方案，可以同时测试出重掺区和轻掺区；上部分图案化的部分打方案，可以用不同激光工艺进行掺杂，退火后可以同时测试轻掺区和不同激光掺杂退火后的重掺区方阻。本发明提成了一种简单的监控N型SE‑TOPCon电池选择性硼掺杂重掺杂区和轻掺区方块电阻的方法，同时能够简化调试激光掺杂工艺方块电阻的测试。
一种 se topcon 电池方块电阻测试方法

[发明专利]降低太阳能电池效率衰减的处理方法及太阳能电池-CN202310237877.1在审
发明人：潘明翠;王红芳;翟金叶;孟庆超;郎芳;李英叶;夏新中;马红娜;王子谦;史金超;吝占胜 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低太阳能电池效率衰减的处理方法及具有防衰减保护层的太阳能电池，属于太阳能电池制备技术领域，包括，将晶硅电池吸附在载片台上；具体地为真空吸附，以防止晶硅电池移动；沿晶硅电池的主栅线铺设挡条；在挡条上铺设网版，并使网版完全覆盖下方的晶硅电池；在网版上涂抹防腐涂料，防腐涂料透过网版涂敷在晶硅电池的细栅线上；烘干，使防腐涂料在晶硅电池的细栅线上固化形成防腐涂层。本发明在晶硅电池正背面细栅线上制作防腐涂层，将金属电极与醋酸蒸汽隔离，避免醋酸与金属电极发生化学反应，提高太阳能电池抗醋酸腐蚀的效率，避免金属电极电阻的增加，降低电池效率衰减的速度，提升太阳能电池的效率。
降低太阳能电池效率衰减处理方法

[发明专利]一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法-CN202310130113.2在审
发明人：马红娜;史金超;张文辉;王平;孟庆超;王子谦;赵学玲;翟金叶;郎芳;潘明翠;王红芳;赵亮 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法。所述方法包括如下步骤：S1、提供硅衬底，将所述硅衬底置于工艺腔室内；S2、向所述工艺腔室内通入第一氧化气体，通过PECVD在硅衬底表面制得隧穿氧化层；S3、向所述工艺腔室内通入硅烷，在所述隧穿氧化层上沉积非晶硅层，制得隧穿氧化钝化层；S4、向所述工艺腔室内依次通入第二氧化气体和含氟气体，降温，完成隧穿氧化钝化层的制备。本发明创造性地将石墨舟清洗步骤与镀膜工艺结合，通过严格控制气体流量，有效避免陶瓷管沉积多晶硅后石墨片正负极提前导通的情况发生，提高了石墨舟的使用稳定性，同时大大缩短了工艺流程时间。
一种氧化钝化制备方法 topcon 电池

[发明专利]一种SE电池的选择性制绒方法-CN202310103241.8在审
发明人：郎芳;王子谦;王红芳;潘明翠;马红娜;赵学玲;翟金叶;王平;张文辉;张磊;张伟;赵亮;李献朋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种SE电池的选择性制绒方法。本发明提供的SE电池的选择性制绒方法，在制绒之前对硅片的重掺杂区进行激光刻蚀，改变重掺杂区的晶粒取向，从而使得硅片接触区和非接触区的晶粒取向不同，进而使得在相同的制绒条件下，接触区和非接触区制绒后表面存在差异，非接触区形成完整有序排列的金字塔形貌，金字塔绒面致密，有利于陷光，对提高电池短路电流有积极作用；接触区部分形成抛光面+制绒面的混绒结构，增大了与电池正面金属浆料的接触性，电池的填充因子得到了显著提高，进而有效提高了电池的转化效率，且整个工艺操作简单，制绒效率高，具有较高的推广应用价值。
一种 se 电池选择性方法

[发明专利]一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法-CN202310111262.4在审
发明人：潘明翠;马红娜;王红芳;郎芳;翟金叶;孟庆超;史金超;张莉沫;王子谦 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本发明公开一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。将待清洗石墨舟置于水汽氧化炉内，于200‑300℃条件下通入水蒸气至炉内压力为10‑20个大气压，阶梯式升温至1100‑1200℃，保温3‑5h，惰性气氛下降温，得预处理石墨舟；将预处理石墨舟浸入氢氟酸溶液中进行酸洗，鼓泡水洗；然后，采用去离子水对石墨舟进行喷淋，风干，升温干燥，得清洁石墨舟。本发明提供的清洗方法，通过水汽氧化使石墨舟表面沉积的多晶硅完全转化为氧化硅，后续利用氢氟酸单一溶液进行酸洗，就可完全去除石墨舟表面沉积的多晶硅，且整个清洗工艺简单，清洗效率高，不会产生混酸和含氮酸溶液，经济效益和环境效益显著，具有广阔的应用前景。
一种 pecvd 多晶石墨清洗方法

[实用新型]MWT太阳能电池-CN202222023214.3有效
发明人： 翟金叶;王子谦;郎芳;王红芳;潘明翠;李锋;史金超;赵松林 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MWT太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括：n型基底；n型基底的正面设有n+掺杂层前场、正面减反钝化膜和正面金属栅线；n型基底的背面设有p+掺杂层发射极、背面减反钝化膜以及背面金属栅线和正负汇流电极；正面金属栅线与背面的汇流负电极通过金属化过孔相连接；汇流负电极周围设有一个去除p+掺杂层的闭合环形槽，实现与电池正极之间的隔断。本实用新型提供的电池，由于pn结在电池的背面，利用闭合环形槽对pn结的隔断实现正负极绝缘，方式更简便，绝缘效果更优异，漏电流更低，且不会随着时间延长漏电变大，降低了MWT电池衰减速度，提升了电池的使用寿命。
mwt 太阳能电池

[发明专利]硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池-CN202211097850.9在审
发明人：夏新中;潘明翠;郎芳;孟庆超;王红芳;翟金叶 -专利权人：英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括：硼扩散后的硅片刻蚀时，使热风从硅片的正上方垂直吹向硅片的正面，加热硅片，扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，去除硅片背面和侧面的硼硅玻璃。本发明热风直接吹到硅片的正面，在硅片的背面和侧面形成了快速的化学反应过程，进而提升刻蚀速度，提升了硅片背面和侧面硼硅玻璃的去除速度，提升了太阳能电池的生产效率，降低了氢氟酸刻蚀液的消耗，降低了资源消费，降低了企业的生产成本；同时能够扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，避免硅片正面被腐蚀和刻蚀，在去除背面和侧面硼硅玻璃的同时，对硅片正面起到保护的作用。
硅片背面侧面玻璃去除方法太阳能电池

[发明专利]一种氧化硅制备方法-CN202211423328.5在审
发明人：马红娜;史金超;张文辉;王子谦;王平;赵学玲;翟金叶;郎芳;潘明翠;王红芳;赵亮;徐卓 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及光伏组件制备方法技术领域，具体公开了一种氧化硅制备方法，包括对清洗后硅片按步骤S1～步骤S14进行隧穿氧化硅层的制备，然后进行掺杂多晶硅层制备；其中，步骤S1～步骤S14为：承载清洗后硅片载片舟进入工艺腔室；抽真空，并升温，温度200℃～300℃；氮气吹扫；抽真空；通入惰性气体，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫；抽真空；通入氧化气体，气体流量50sccm～200sccm，时长10s～100s；抽真空；氮气吹扫；通入氢气，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫。本发明提出的方法，优了化PECVD法制备氧化硅工艺，能够保证生长隧穿氧化硅层前硅片表面的洁净，能钝化氧化硅中的悬挂键，得到优质的隧穿氧化硅层。
一种氧化制备方法

[实用新型]一种氢氟酸刻蚀硅片的装置-CN202222730812.4有效
发明人：夏新中;潘明翠;翟金叶;孟庆超;王红芳;郎芳 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，包括酸液槽、多组滚轮以及加热丝，酸液槽用于盛装氢氟酸；多组滚轮转动安装在酸液槽内，用于传输硅片；滚轮的上表面低于氢氟酸的液面；加热丝安装在滚轮上，用于对硅片的下表面进行加热。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，加热丝产生的热量能够提升壳体、壳体周边以及硅片下表面的温度，只在化学反应的局部产生热量，而并非对整个酸液槽都进行加热，可大大降低热能的消耗，可大幅降低氢氟酸的挥发量，减少氢氟酸的浪费，提高了化学反应的界面处的温度，加快了反应速率，得以提升传输速度，提升设备产能。
一种氢氟酸刻蚀硅片装置

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