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[发明专利]一种硅基倒装LED芯片及其制作方法-CN201811406150.7在审
发明人：张秀敏;黄慧诗;华斌;闫晓密;王书宇;郑宝玉 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种硅基倒装LED芯片，其中，所述硅基倒装LED芯片包括：硅基衬底、发光外延层、共晶键合层和电极，所述电极通过所述共晶键合层与所述硅基衬底连接，所述发光外延层设置在所述电极背离所述共晶键合层的一侧，所述硅基衬底上设置有硅通孔，所述硅通孔内填充有通孔金属，所述通孔金属与所述共晶键合层连接，所述硅基衬底与所述共晶键合层之间设置第一石墨烯层，所述发光外延层能够发出光线。本发明还公开了一种硅基倒装LED芯片的制作方法。本发明提供的硅基倒装LED芯片能够有效增强芯片的散热性能。
倒装LED芯片共晶键合硅基硅基衬发光外延层电极硅通孔通孔芯片制作技术金属散热性能石墨烯层填充制作背离芯片

[发明专利]硅基OLED显示器模组及其制备方法-CN201810090619.4在审
发明人：吴疆 -专利权人：上海瀚莅电子科技有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基OLED显示器模组，包括硅基OLED模组以及与所述硅基OLED模组电性连接的PCB板；所述硅基OLED模组包括由上至下依次排布的透明封装层、薄膜封装层、OLED发光层以及硅基背板，所述硅基背板包括背板主体以及设置在所述OLED发光层及背板主体之间的驱动电极层，所述背板主体上设有规则排列的导电通孔，所述导电通孔的表面沉积有绝缘层，且所述导电通孔内还设有导电柱。本发明的硅基OLED显示器模组取消了硅基背板的Bonding区有效减小了硅基OLED显示器模组的尺寸，提高排版率；进一步降低硅基OLED显示器模组的制备成本。
硅基背板主体导电通孔背板模组制备绝缘层薄膜封装层驱动电极层透明封装层表面沉积电性连接规则排列导电柱减小排布排版

[发明专利]一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备-CN202310467668.6有效
发明人：王玮;林晨希;陈浪 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的第一侧形成第一金属层；对硅基衬底的第二侧进行减薄，以使第一金属层贯穿硅基衬底的第二侧；在硅基衬底的第二侧形成第二金属层；其中，在硅基衬底的第一侧形成第一金属层，包括：对硅基衬底的第一侧进行刻蚀，形成多个盲孔；在盲孔的一侧形成第一金属材料层；对第一金属材料层进行刻蚀，形成第一金属层。本申请通过在硅基衬底一侧直接制备盲孔，避免形成外延层，提升了硅通孔制备工艺的工艺兼容性，降低了硅通孔制备工艺的制作难度以及制作成本。
一种微米尺寸硅通孔结构及其制备方法电子设备

[实用新型]圆片级LED封装结构-CN201020555654.8有效
发明人：张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆片级LED封装结构，包括LED芯片(4)和硅基载体(3)；LED芯片(4)包括芯片本体(401)，在芯片本体(401)表面设有至少两个电极(402))；硅基载体(3)正面设置有型腔(301)，在型腔(301)表面沉积有反光层(302)；在型腔(301)底部的硅基载体(3)上设置有硅通孔(303)；在硅基载体(3)背面及硅通孔(303)孔壁覆盖有第一绝缘层(304)，在所述硅基载体(3)背面及硅通孔(303)孔壁的第一绝缘层(304)表面布置有再布线金属(305)，在再布线金属(305)表面覆盖有第二绝缘层(306)，以及在硅通孔(303)内填充绝缘材料(307)；LED芯片(4)倒装于型腔(301)底部；在硅基载体(3)正面覆盖有玻璃(1)；在所述硅基载体(3)背面布置有焊球凸点(6)。
圆片级 led 封装结构

[发明专利]微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法-CN202310135274.0有效
发明人：陈晓阳;叶志;魏家贵;王永安;王宇;孙志国;孟腾飞;高黄杰 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法，属于半导体领域，第一硅基转接板设有多个凹槽以容纳组成微声多信道选通放大模块的元器件裸芯片；第二硅基转接板设有与凹槽相对应的通孔，第二硅基转接板的厚度基于元器件裸芯片的厚度确定；第三硅基转接板设在第二硅基转接板的上方，第三硅基转接板的表面设有微声多信道选通放大模块的控制焊盘和电源焊盘；第一硅基转接板、第二硅基转接板和第三硅基转接板均设有连接线以使得控制焊盘和电源焊盘均与元器件裸芯片进行连接本发明在第一硅基转接板上设凹槽容纳元器件裸芯片，第二硅基转接板设通孔，且厚度基于元器件裸芯片的厚度确定，可大幅缩减结构尺寸，减少寄生参数影响。
微声多信道放大模块半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]一种硅基芯片的多层基板堆叠的封装体及堆叠封装方法-CN202210445083.X在审
发明人：邓小峰;聂宝敏;王世芳;王兵兵 -专利权人：四川九洲电器集团有限责任公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基芯片的多层基板堆叠的封装体及堆叠封装方法，属于微组装技术领域，解决了现有技术中的芯片散热效果差、连接可靠性差、使用面积大等问题。该封装体中，中间基板上开设通孔，硅基芯片置于通孔中；硅基芯片正面通过金凸点与底层基板键合形成电气连接，硅基芯片背面与顶层基板之间在封装过程中形成金硅共晶层。该方法包括如下步骤：将硅基芯片背面与顶层基板进行金硅共晶；在硅基芯片正面制作金凸点；将硅基芯片置于通孔中，中间基板的正面与顶层基板连接形成电气通路；底层基板与具有金凸点的硅基芯片部分键合，中间基板背面与底层基板连接该封装体及封装方法可用于硅基芯片的封装。
一种芯片多层堆叠封装方法

[发明专利]一种减小热应力的硅通孔结构及其制造方法-CN201911274573.2在审
发明人：吴罚;唐昭焕;朱克宝 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小热应力的环形硅通孔结构及其制造方法，包括：在晶圆的硅基衬底层一侧制作金属垫片层、绝缘介质层；在硅基衬底层内制作贯穿硅基衬底层的导通孔并在导通孔内填充有机聚合物和电镀铜柱，形成通孔柱。所述通孔柱包含有机聚合物和被有机聚合物包围且两端暴露于有机聚合物外的铜柱；所述通孔柱贯穿式设于所述导通孔内并与其内侧壁接触，所述绝缘介质层和金属垫片层均设置于所述硅基衬底层的一侧，且所述铜柱一端与所述金属垫片层电性接触本发明的一种硅通孔结构可以更有效地减小硅基底与铜柱之间的热应力，其制造方法具有工艺兼容性强、机械可靠性高的优点，广泛用于3D晶圆级封装领域。
一种减小应力硅通孔结构及其制造方法

[发明专利]基于硅基磁性材料衬底的环形器-CN201610342732.8在审
发明人：汪蔚;祁飞;杨志;杨拥军;王伟强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基磁性材料衬底的环形器，涉及环形器技术领域。包括上下两层堆叠在一起的硅基磁性材料衬底，每层硅基磁性材料衬底的上下表面制作有金属图形，每层硅基磁性材料衬底中设有贯穿性通孔，通孔金属化后，将硅基磁性材料衬底上下表面的金属图形连接在一起，两层硅基磁性材料衬底中的金属图形和金属化通孔共同构成谐振结构；在第一硅基磁性材料衬底的下表面和第二硅基磁性材料衬底的上表面相对位置设有空气槽，所述第一硅基磁性材料衬底上表面的金属图形上设有磁铁。
基于磁性材料衬底环形

[发明专利]基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法-CN201710534425.4有效
发明人：刘秀博;王绍东;王志强;吴洪江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法，包括顺次键合的第一层硅基载体层、第二层硅基外框层、第三层硅基引线保护层及密封键合于第三层硅基引线保护层之上的第四层硅基盖板层，第一层硅基载体层之上设置有钼铜载体，钼铜载体之上设置有射频芯片，射频芯片通过引线键合与第二层硅基外框层实现信号互连，在第二层硅基外框层与第三层引线保护层上均设置有用于信号互连的硅通孔，第二层硅基外框层通过硅通孔与第三层硅基引线保护层实现电气互联，射频传输线从第三层硅基引线保护层引出。
基于硅通孔结构硅基微系统气密封装制备方法

[发明专利]一种改善传输性能的新型硅过孔结构-CN201510338177.7有效
发明人：张文梅;苏晋荣;韩丽萍;李莉;陈新伟;杨荣草 -专利权人：山西大学
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及硅过孔，具体是一种改善传输性能的新型硅过孔结构。本发明解决了现有硅过孔插入损耗大、近端串扰大、加工工艺复杂、加工成本高的问题。一种改善传输性能的新型硅过孔结构，包括硅基、内金属介电层、金属过孔、第一二氧化硅隔离层、苯并环丁烯介质层、接地铜环、第二二氧化硅隔离层；其中，硅基的表面开设有上下贯通的第一通孔；内金属介电层层叠于硅基的上表面；内金属介电层的表面开设有上下贯通的第二通孔；第二通孔的轴线与第一通孔的轴线重合，且第二通孔的直径大于第一通孔的直径；金属过孔同时穿设于第一通孔和第二通孔内。
一种改善传输性能新型结构

[发明专利]一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法-CN201210093089.1在审
发明人：朱智源;于民;朱韫晖;孙新;陈兢;缪旻;金玉丰 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的压阻式加速度传感器包括含有硅通孔阵列的质量块，含硅通孔的硅基边框，多个弹性梁，压敏电阻及半导体底板；所述质量块位于加速度传感器中央并具有平整规则的顶面与底面；所述质量块中硅通孔分为填充通孔和非填充通孔；所述硅集边框上的硅通孔位于边框对角处，经由金属导线与压敏电阻相连；所述弹性梁一端与质量块顶部边缘连接，另一端与硅基边框内缘连接；所述压敏电阻位于弹性梁端部；所述质量块，硅基边框，弹性梁均固定在半导体底板上本发明还公开了含有硅通孔压阻式加速度传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。
一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法

[发明专利]一种表面电极离子阱与硅光器件的集成结构及三维架构-CN201911120744.6有效
发明人：杨妍;李志华;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明提供表面电极离子阱与硅光器件的集成结构，包括晶圆、硅光栅和硅结构，刻蚀外延硅结构上方的第一介质层以形成外延窗口，通过外延窗口自硅结构外延硅或锗，离子注入及退火后形成硅基光电探测器；自第二介质层向下形成面入射型硅基光电探测器的第一接触孔；自第三介质层向下形成硅通孔；于第四介质层形成若干电极，电极包括与硅基光电探测器连通的第一电极，以及表面电极离子阱的第二电极；自第一电极的底部分别向下形成与第一接触孔和硅通孔连通的第二接触孔和第三接触孔；自第二电极的底部向下形成与硅通孔连通的第三接触孔；硅通孔底部具有与其连通的第一微凸块。
一种表面电极离子器件集成结构三维架构

[实用新型]基于硅基磁性材料衬底的环形器-CN201620470860.6有效
发明人：汪蔚;祁飞;杨志;杨拥军;王伟强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅基磁性材料衬底的环形器，涉及环形器技术领域。包括上下两层堆叠在一起的硅基磁性材料衬底，每层硅基磁性材料衬底的上下表面制作有金属图形，每层硅基磁性材料衬底中设有贯穿性通孔，通孔金属化后，将硅基磁性材料衬底上下表面的金属图形连接在一起，两层硅基磁性材料衬底中的金属图形和金属化通孔共同构成谐振结构；在第一硅基磁性材料衬底的下表面和第二硅基磁性材料衬底的上表面相对位置设有空气槽，所述第一硅基磁性材料衬底上表面的金属图形上设有磁铁。
基于磁性材料衬底环形

[发明专利]洁齿刷头的加工方法-CN201610610581.X有效
发明人：汪天容 -专利权人：广西柳州中嘉知识产权服务有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： A46D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种护齿刷头的加工方法，包括加工一种护齿刷头，护齿刷头包括刷基、刷毛和连接部，刷毛包括刷基和刷球，其加工包括如下步骤：刷基上进行一次性冲压出所有安装通孔；将硅生胶放入刷毛凹模的凹坑内，留出刷球空心部分的硅生胶量；将刷毛凹模倒扣在冲好孔的刷基上，将硅生胶用压缩空气从刷基下部的孔内吹入；用刷基通孔大小的量的硅生胶从刷基底部对通孔进行填充，再次对刷基及刷毛进行低温硫化形成硅胶刷毛。
洁齿刷头加工方法

[发明专利]三孔接地小型化准SIW环行器-CN201810182514.1有效
发明人：燕宣余;高春燕;闫欢;韩晓川 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01P1/383 文献下载
摘要：本发明公开了一种三孔接地小型化准SIW环行器，属于微波元器件领域，包括硅基腔体（1）、旋磁基片（2）、永磁体（3）、接地通孔（5）、盖板（6）和环行器底板（7），其中，所述旋磁基片（2）嵌于硅基腔体（1）内，所述环行器底板（7）位于硅基腔体（1）底部，盖板（6）位于硅基腔体（1）正上方，所述永磁体（3）位于盖板（6）上方，所述接地通孔（5）在硅基腔体（1）上对称分布，所述硅基腔体（1）表面设置有电路，所述电路与硅基腔体（1）采用匹配孔（4）进行过渡；本发明的环行器，器件尺寸大大减小，实现了在17.8—26.6 GHz频段内的环行性能，本发明的环行器功率容量量级较微带结构提升了一个数量级。
接地小型化 siw 环行器

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