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[发明专利]一种红光倒装芯片及其制作方法-CN201811406143.7有效
发明人：华斌;黄慧诗 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司;江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种红光倒装芯片，其中，所述红光倒装芯片包括：蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的下表面设置发光外延层，所述发光外延层的下表面和侧面设置反射层，所述反射层的下表面设置电极，所述蓝宝石衬底的上表面、蓝宝石衬底的侧面和所述反射层的侧面均涂覆红色荧光粉胶体，所述红色荧光粉胶体能够将所述发光外延层发出的光线颜色转化成红色发出。本发明还公开了一种红光倒装芯片的制作方法。本发明提供的红光倒装芯片具有成本低且良率高的优势，为RGB倒装芯片全彩显示提供了可能。
一种红光倒装芯片及其制作方法

[发明专利]用于LED倒装芯片的分布式布拉格反射镜图形的制作方法和结构-CN201810096514.X有效
发明人：华斌;张秀敏;闫晓密;黄慧诗 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司;江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种用于LED倒装芯片的分布式布拉格反射镜图形的制作方法，包括以下步骤：步骤S1，提供蓝宝石衬底，首先在蓝宝石衬底上完成GaN外延层生长，GaN外延层包括自下而上的N型GaN层，量子阱发光层，P型GaN层；在P型GaN层上制备透明导电层；通过刻蚀将N型GaN层暴露；步骤S2，在芯片正面和除了衬底之外的侧面沉积DBR层；所述DBR层的第一层为牺牲层；步骤S3，在DBR层上方涂布光刻胶，通过光刻工艺，暴露DBR预刻蚀区域；步骤S4，先通过干法刻蚀工艺，将牺牲层上方的DBR层上部材料刻蚀；步骤S5，再通过湿法刻蚀工艺，将残留的牺牲层去除；步骤S6，去除光刻胶。本发明可达到精确控制DBR层的刻蚀深度的目的。
用于 led 倒装芯片分布式布拉格反射图形制作方法结构

[发明专利]一种可调制的类太阳光谱发光二极管结构及制作方法-CN202310866189.1在审
发明人：王锋;张秀敏;陈晓冰;刘林;黄慧诗;谢政璋 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调制的类太阳光谱发光二极管结构及制作方法。本发明包括衬底；第一芯片单元，设置于所述衬底上；第二芯片单元，通过键合设置于所述第一芯片单元上；其中，所述第一芯片单元和所述第二芯片单元分别为蓝光芯片、青绿光芯片和红光芯片中的一种且两者不相同。本发明采用有机/无机键合的方式，将具有不同发光波长的芯片集成到同一颗芯片上，可以实现单一芯片的蓝光、青绿光和红光的混合发射，从而产生类太阳光谱的光源，还利用了不同亮度的蓝光芯片，将它们与青绿光和红光芯片分别集成到不同的芯粒上，使得可以在同一个封装体内，通过切换不同的集成芯粒，实现不同时段类太阳光谱的调节，例如早晨、中午和傍晚的太阳光。
一种调制太阳光谱发光二极管结构制作方法

[发明专利]一种发光二极管结构及其制作方法-CN202310940213.1在审
发明人：王锋;张秀敏;陈晓冰;刘林;黄慧诗;谢政璋 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构及其制作方法。本发明包括衬底；缓冲层、第一半导体层、正极电流阻挡层、负极电流阻挡层、第一电流扩散层、蚀刻阻挡层、第二电流扩散层A、第二电流扩散层B、第二电流扩散层C、正极焊盘、负极焊盘和绝缘钝化层；其中，第二电流扩散层A、第二电流扩散层B和第二电流扩散层C均分布有贯穿各自表面设置的坑洞区；第二电流扩散层A、第二电流扩散层B和第二电流扩散层C任一层或多层的坑洞区内或上下表面设置有金属纳米颗粒。本发明能够提高LED器件的电流扩散能力，增加载流子的注入效率，并进而提高取光效率。
一种发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种多峰发光二极管结构及其封装器件-CN202310858918.9在审
发明人：王锋;张秀敏;陈晓冰;黄慧诗;谢政璋 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种多峰发光二极管结构及其封装器件。本发明包括衬底；第一芯片单元，包括沿所述衬底表面水平方向交替设置的第一外延结构和第二外延结构；第二芯片单元，通过键合的方式设置于所述第一芯片单元上，所述第二芯片单元包括第三外延结构；其中，所述第一外延结构、所述第二外延结构和所述第三外延结构分别为蓝光外延、青绿光外延和红光外延中的一种且各不相同。本发明能够改善类太阳光照明不同时段光谱的调制，实现显示屏不同电流下光强的调制。
一种发光二极管结构及其封装器件

[实用新型]一种微小型发光二极管结构-CN202222484109.X有效
发明人：王锋;黄慧诗;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微小型发光二极管结构。本实用新型包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与透明导电层及外延结构接触，接触电极上方设有用于与焊盘电极接触的通孔区，所述台阶与芯片衬底正面之间形成有沿芯片衬底正面周向设置的隔离槽，所述隔离槽上分布有凹槽点。本实用新型所述的一种微小型发光二极管结构，通过在隔离槽上设置凹槽点，增强侧向取光效率，改善发光均匀性。
一种微小发光二极管结构

[发明专利]一种高性能细菌纤维素/植物纤维复合色纸及其制备方法-CN202211082284.4在审
发明人：杨焕磊;刘文博;刘静纯;蔡嘉怡;黄慧诗;邓悦妍;方忠杰 -专利权人：广东轻工职业技术学院
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： D21H27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能细菌纤维素/植物纤维复合色纸及其制备方法。本发明首先利用直接染色法对细菌纤维素进行染色，在保持其机械强度的同时赋予其特异性的颜色；然后与植物纤维纸浆共磨浆或打浆，并配用适当的造纸助剂，制得一种高强度、高空气阻隔性细菌纤维素/植物纤维复合色纸。该制备方法简单可控，所制备的染色细菌纤维素着色均匀、色牢度好、附加值高；所制备的细菌纤维素/植物纤维复合色纸机械强度高、柔韧性强、空气阻隔性好、色纸着色均匀、色牢度高、两面差小，在彩色包装领域具有极大的应用潜能。
一种性能细菌纤维素植物纤维复合及其制备方法

[发明专利]一种生物质基重金属离子强吸附剂及其制备方法-CN202211082293.3在审
发明人：杨焕磊;黄慧诗;邓悦妍;蔡嘉怡;刘静纯;刘文博;方忠杰 -专利权人：广东轻工职业技术学院
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物质基重金属离子强吸附剂及其制备方法。本发明选择质地疏松多孔的生物质废弃物作为基材；首先采用金属离子催化的蒸汽爆破处理，利用物理/化学协同作用，有效脱除纤维原料的半纤维素，提高原料的孔隙率和比表面积；然后利用原位还原的方法对生物质材料进行电磁性改性，制得一种对重金属离子具有强吸附能力的生物质基吸附材料。该制备方法简单可控，不产生废水，易于实现工业化生产，制备的生物质吸附材料吸附储量大、结合强度高、稳定性好且具有生物相容性、绿色环保、无毒、可再生等优点。
一种生物重金属离子吸附剂及其制备方法

[发明专利]一种小型发光二极管结构及其制作方法-CN202211142693.9在审
发明人： 黄慧诗;王锋;杜高云;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种小型发光二极管结构及其制作方法。本发明包括衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与透明导电层及外延结构接触，所述绝缘层与接触电极形成间隙区，所述间隙区覆盖有致密绝缘层，所述致密绝缘层覆盖有绝缘反射层，接触电极上方的致密绝缘层和绝缘反射层之间形成用于与焊盘电极接触的通孔区。本发明能够避免在金属制程时引入金属颗粒，降低外延台阶金属吸附导致的漏电或微漏电风险。
一种小型发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种微小型发光二极管结构及制作方法-CN202211142675.0在审
发明人：王锋;黄慧诗;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种微小型发光二极管结构及制作方法。本发明包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构正面以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有第一接触区和第二接触区，正极焊盘设有扩展部，扩展部通过第一接触区与透明导电层接触，负极焊盘通过第二接触区与外延结构接触，所述正极焊盘和负极焊盘各自的顶端位于同一水平面高度，所述正极焊盘和负极焊盘各自的顶端设有凹陷区。本发明所述的一种微小型发光二极管结构及制作方法，使得正极焊盘和负极焊盘的大部分区域在同一水平面，可有效降低应力对台阶处绝缘层的影响，同时降低立碑风险。
一种微小发光二极管结构制作方法

[发明专利]一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法-CN202211142518.X在审
发明人：王锋;黄慧诗;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法。本发明包括芯片与电阻元件，所述芯片包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有第一透明导电层，正极焊盘与第一透明导电层接触，负极焊盘与外延结构接触；所述电阻元件包括设于芯片上的第二透明导电层以及与第二透明导电层接触的电阻焊盘。本发明所述的一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法，通过在芯片设置电阻元件，能够有效解决LED关闭时的微亮问题，增强LED芯片抵抗过电流或过电压的冲击，并可实现不同亮度的调节以及局域控光，提升发光均匀性。
一种集成电阻发光二极管结构制作方法

[实用新型]用于光耦合器件的发光二极管结构-CN202220741060.9有效
发明人：闫晓密;王锋;黄慧诗;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于光耦合器件的发光二极管结构，在衬底的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；光输入发光二极管包括：光输入缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极、绝缘保护层、第一焊盘、第二焊盘；光探测二极管包括：光探测缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极、绝缘保护层、第一焊盘、第二焊盘；在朝向光探测二极管一侧的光输入发光外延叠层的侧面上设有光输入条状凸起。光输入缓冲层与光探测缓冲层呈间隔设置在衬底的正面。本实用新型结构简单、可有效地增强光耦合器件的耦合效率。
用于耦合器件发光二极管结构

[实用新型]用于低电容光耦合器件的二极管集成结构-CN202220727456.8有效
发明人：王锋;黄慧诗;闫晓密;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于低电容光耦合器件的二极管集成结构，在衬底的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；光输入发光二极管包括：光输入缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一电极、绝缘保护层、第一焊盘与第二焊盘；光探测发光二极管包括：光输入缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一电极、绝缘保护层、第一焊盘与第二焊盘；在竖直方向上，光输入第一电极避开光输入用第二焊盘，光输入用第二电极避开光输入用第一焊盘；光探测第一电极避开光探测第二焊盘，光探测第二电极避开光探测第一焊盘。本实用新型可以降低器件电容，提升光耦合器件的响应频率；可以增强光耦合器件的耦合效率，且耦合效率可调。
用于容光耦合器件二极管集成结构

[发明专利]用于光耦合器件的二极管集成结构-CN202210327759.5在审
发明人：王锋;黄慧诗;闫晓密;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及用于光耦合器件的二极管集成结构，在衬底的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；发光二极管包括缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一接触电极、第一扩展电极、绝缘保护层、第一焊盘通与第二焊盘；光探测二极管；包括缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一接触电极、第一扩展电极、绝缘保护层、第一焊盘通与第二焊盘。本发明提供一种简易的可直接用于光耦合的二极管结构器件，可以降低器件电容，提升光耦合器件的响应频率；可以增强光耦合器件的耦合效率，且耦合效率可调。
用于耦合器件二极管集成结构

[发明专利]用于光耦合器件的发光二极管封装器件-CN202210327786.2在审
发明人： 黄慧诗;王锋;闫晓密;陈晓冰;张秀敏 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光耦合器件的发光二极管封装器件，在封装基板的正面设有光输入第一、第二电极焊盘、光探测第一、第二电极焊盘；光输入第一、第二电极焊盘通过导线与输入电源连接；光探测第一、第二电极焊盘通过导线与电流探测器连接；在封装基板的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；光输入发光二极管通过其上的光输入第一、第二焊盘分别与光输入第一、第二电极焊盘电连接；光探测二极管通过其上的光探测第一、第二焊盘分别与光探测第一、第二电极焊盘电连接；光输入发光二极管和光探测二极管通过衬底连接，在衬底的正面设有分布式布拉格反射镜。本发明不仅能提升光耦合器件的响应频率而且能增强光耦合器件的耦合效率。
用于耦合器件发光二极管封装

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