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[发明专利]TSV导电结构、半导体结构及制备方法-CN202011289012.2有效
发明人：陈世平;唐昭焕;陈世杰;吴罚;朱克宝;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种TSV导电结构、半导体结构及制备方法，TSV导电结构包括衬底、TSV导电柱及TSV导电块，TSV导电柱与TSV导电块为一体成型，TSV导电柱的一端显露于衬底，TSV导电柱的另一端与TSV导电块相接，且TSV导电块的横截面积大于TSV导电柱的横截面积，以及衬底显露TSV导电块，从而可在进行TSV导电结构的导电引出时，通过TSV导电块增大接触面积，以有效降低由对准偏差所带来的接触不良的风险概率，以及可有效降低互连失效的风险概率，TSV导电结构的深度均一性容忍度较高，应用范围较广，且制备工艺较简单，易于实施，制造成本较低。
tsv 导电结构半导体制备方法

[发明专利]一种检测TSV中Cu扩散的器件结构及其制造方法-CN201911278705.9有效
发明人：唐昭焕;曾毅;杨帆;朱克宝;吴罚;崔伟;王品红 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测TSV中Cu扩散的器件结构及其制造方法，其结构包括P型硅衬底、PNP晶体管和TSV结构，其中，所述PNP晶体管的N‑基区与所述TSV结构相邻设置；本发明利用PNP晶体管电流增益对Cu原子敏感的特性，在TSV附近(PNP晶体管基区边沿距离TSV深槽2μm～5μm)制作一个PNP晶体管，可以实现TSV中Cu是否向硅晶圆扩散的检测。本发明的检测TSV中Cu扩散的器件结构具有工艺兼容性强、检测灵敏性高的优点，在3D集成工艺平台开发和微系统长期可靠性评价方面具有广阔前景。
一种检测 tsv cu 扩散器件结构及其制造方法

[发明专利]半导体衬底、半导体器件及其制备方法-CN202211722937.0在审
发明人： 朱克宝;霍秋月;李仁雄;彭路露;宁宁 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底、半导体器件及其制备方法，该制备方法对所述绝缘层进行图形化处理，在绝缘层中形成贯穿绝缘层的多个导热孔，然后于衬底上沉积绝缘导热材料，该绝缘导热材料至少填满导热通道以形成绝缘导热通道，绝缘导热材料的热导率选用远大于绝缘层的热导率的材料，SOI器件产生的热量，可以通过绝缘导热通道快速散热，从而可以有效解决SOI器件的自加热效应，保证SOI器件沟道载流子速度和沟道电流强度。
半导体衬底半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法-CN202110327423.4有效
发明人：胡欢;朱克宝;陈世平;陈鹏堃 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K30/80 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，该方法形成金属滤光层，并形成多个在垂直方向上贯穿金属滤光层的滤光孔，然后形成隔离介质层于滤光孔的侧壁，并形成底部透明电极‑感光层‑顶部透明电极三明治结构于滤光孔中。本发明采用带有滤光孔的金属滤光层选择性透过相应波长的光，并采用感光层对通过滤光孔的光波进行感光以产生光电信号，最终通过读出电路读出。其中，感光层可包括有机感光材料，例如富勒烯衍生物，其感光范围的调节自由度较高，由于金属滤光层很薄，同时富勒烯感光层在很薄的厚度下就有不错的感光特性，因此本发明的CMOS图像传感器的像素密度与可见光的分辨率均可以做到极高，且无需采用有机物彩色滤光板，可进一步提高像素密度。
一种 cmos 图像传感器及其制作方法

[发明专利]一种高压MOSFET器件及其制作方法-CN202211525792.5在审
发明人：潘伯津;朱克宝;李仁雄;彭路露;宁宁 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种高压MOSFET器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成第一堆叠结构、第二堆叠结构于半导体层上，第一堆叠结构位于高压区并包括层叠的高压区栅氧化层与第一硬掩膜层，第二堆叠结构位于核心区并包括层叠的核心区栅氧化层、多晶硅伪栅极层及第二、第三硬掩膜层；形成侧壁保护层；形成研磨停止层及第一层间介质层并减薄直至显露高压区栅氧化层、多晶硅伪栅极层的顶面；替换多晶硅伪栅极以得到核心区金属栅并对其进行CMP；形成补偿氧化层及高压区金属栅。本发明在将多晶硅伪栅极替代为金属栅极后，高压区与核心区的膜层高度相差不大，不会影响核心区金属栅CMP的负载，且后续通过重新铺设补偿氧化层可以补齐高压区需求的EOT。
一种高压 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]功率MOSFET器件及其形成方法-CN202010706131.7有效
发明人：唐昭焕;吴罚;朱克宝;杨帆 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种功率MOSFET器件及其形成方法，所述器件包括：半导体衬底；有源器件层，位于所述半导体衬底的正面；准TSV结构，位于所述半导体衬底内；背面金属层，位于所述半导体衬底的背面，覆盖所述准TSV结构的顶部表面且与所述准TSV结构热耦合。本发明可以具有较高的热传导能力，从而实现有效散热，并且具有较高的集成功率密度以及较低的封装工艺复杂度。
功率 mosfet 器件及其形成方法

[发明专利]一种高深宽比对通型TSV结构及其制备方法和硅转接板-CN202010484257.4有效
发明人： 朱克宝;唐昭焕;吴罚 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种高深宽比对通型TSV结构及其制备方法和硅转接板，该制备方法包括：提供硅基底，硅基底包括相对的第一表面和第二表面；在第一表面定义第一填充槽区域，环绕第一填充槽区域刻蚀处理形成第一刻蚀槽;在第一刻蚀槽内填充绝缘材料形成第一绝缘层；对第二表面进行减薄处理；在第二表面上与第一填充槽区域的对应区域进行刻蚀处理形成第二填充槽，在第二填充槽内生长第二绝缘层，并在第二填充槽内填充导电材料；在第一填充槽区域进行刻蚀处理形成第一填充槽，第一填充槽与第二填充槽连通形成贯通减薄后的硅基底的通孔；在第一填充槽内填充导电材料。
一种高深 tsv 结构及其制备方法转接

[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法-CN202110379347.1有效
发明人：胡欢;朱克宝;陈世平;陈鹏堃 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供基质层；形成感光单元于基质层中，感光单元包括在水平方向上依次排列的透明电极层、感光层及金属电极层。本发明中，感光单元可以作为像素结构中的感光部件以替代光电二极管，由于感光层的感光表面纵向设置，因此可以极大提高像素密度，且由于不需要额外的滤光板，像素尺寸易于进一步做小。感光单元也可以作为像素结构之间的隔离结构，一光电二极管四周的感光层可以吸收该光电二极管射向临近光电二极管的光线，并转化为光电信号，因此，入射光线的能量利用率较高，像素的满阱容量也较高，且光学串扰可以得到有效抑制，并且由于入射光线的能量利用率较高，像素尺寸可以做得更小。
一种 cmos 图像传感器及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110859263.8在审
发明人： 朱克宝;唐昭焕;吴罚 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体衬底，其上形成至少一个功能器件；以及第二半导体衬底，与第一半导体衬底相对。该第二半导体衬底包括：多个主芯片区域，每个主芯片区域设置有至少一个连接通孔，该至少一个连接通孔中的每一个连接通孔贯穿该第二半导体衬底，以用于与该至少一个功能器件中的一个或多个功能器件电连接，以及切割道区域，位于该多个主芯片区域之间。该切割道区域设置有：附加图形，以及多个附加通孔，该多个附加通孔中的至少一个附加通孔位于该附加图形和该多个主芯片区域中与该附加图形相邻的至少一个主芯片区域之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半隐埋微凸点结构及其制备方法-CN201911238723.4在审
发明人：唐昭焕;朱克宝;吴罚;王品红 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提出了一种半隐埋微凸点结构及其制备方法，包括衬底；绝缘层，其远离所述衬底的一面上设置有嵌入槽；UBM层，其设置于所述嵌入槽表面；凸点金属，其部分嵌设于所述嵌入槽内并设置于所述UBM层表面，导电层，其设置于所述绝缘层中，所述导电层相对的两端分别连接所述UBM层和所述衬底。由于把微凸点中的UBM层和凸点金属镶嵌入绝缘层中，增强了微凸点的稳固性，可有效提高微凸点的机械可靠性。
一种半隐埋微凸点结构及其制备方法

[发明专利]一种减小热应力的硅通孔结构及其制造方法-CN201911274573.2在审
发明人：吴罚;唐昭焕;朱克宝 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小热应力的环形硅通孔结构及其制造方法，包括：在晶圆的硅基衬底层一侧制作金属垫片层、绝缘介质层；在硅基衬底层内制作贯穿硅基衬底层的导通孔并在导通孔内填充有机聚合物和电镀铜柱，形成通孔柱。所述通孔柱包含有机聚合物和被有机聚合物包围且两端暴露于有机聚合物外的铜柱；所述通孔柱贯穿式设于所述导通孔内并与其内侧壁接触，所述绝缘介质层和金属垫片层均设置于所述硅基衬底层的一侧，且所述铜柱一端与所述金属垫片层电性接触。本发明的一种硅通孔结构可以更有效地减小硅基底与铜柱之间的热应力，其制造方法具有工艺兼容性强、机械可靠性高的优点，广泛用于3D晶圆级封装领域。
一种减小应力硅通孔结构及其制造方法

[发明专利]一种减小热应力的TSV结构及其形成方法-CN201911275743.9在审
发明人：吴罚;唐昭焕;朱克宝 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小热应力的TSV结构及其形成方法，包括：在晶圆的硅基衬底层一侧制作金属垫片层、绝缘介质层；在硅基衬底层内制作贯穿硅基衬底层的导通孔并在导通孔内填充阻挡层和电镀铜柱，形成具有空洞的通孔柱。所述通孔柱包括侧壁阻挡层和铜柱，所述铜柱内设置有封闭的空洞且其中填充有惰性气体以形成通孔柱自由变形的扩展区；所述通孔柱设于所述导通孔内并与其内侧壁接触，所述铜柱一端与所述金属垫片层电性接触。本发明的一种空洞TSV结构可以更有效地减小硅基底与铜柱之间的热应力，其形成方法具有工艺兼容性强、机械可靠性高的优点，广泛用于3D晶圆级封装领域。
一种减小应力 tsv 结构及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置-CN201910332799.7在审
发明人： 朱克宝;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器，包括：图像传感器，其特征在于包括：第一像素，包括第一微透镜和在第一微透镜的下方的被配置成感测第一波长范围的辐射的第一辐射感测元件；第二像素，包括第二微透镜和在第二微透镜的下方的被配置成感测第二波长范围的辐射的第二辐射感测元件，其中，第二波长范围包含第一波长范围并且比第一波长范围宽，并且第二微透镜的受光面的表面积比第一微透镜的受光面的表面积小。
微透镜波长图像传感器辐射成像装置感测元件感测受光像素表面积比配置制造

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