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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]燃料电池催化剂用碳载体及燃料电池用催化剂-CN202280016367.5在审
发明人：稲叶稔;初代善夫 -专利权人： 东洋炭素株式会社;学校法人同志社
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：实现一种耐久性、与负载催化剂金属时的催化活性优异的燃料电池催化剂用碳载体及燃料电池用催化剂。本发明的一实施方式的碳载体在利用CuKα射线而得的X射线衍射光谱中，至少在2θ＝22.5°～25°、26°及26.5°处观测到(002)面的衍射波峰，2θ＝26°的波峰P1与2θ＝26.5°的波峰P2的强度比I(P1)/I(P2)为1.4以上，BET比表面积为1000m2/g以上。
燃料电池催化剂载体

[发明专利]废水处理用厌氧氨氧化菌群保持用载体、厌氧氨氧化菌群附着体和使用该附着体的废水处理装置-CN201880080293.5有效
发明人：角野立夫;佐久间智士;东城哲朗;石川爱;中园智哉;竹下昌利 -专利权人：学校法人东洋大学;东洋炭素株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C02F3/10 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题在于：提供能够飞跃性地缩短用于获得氮去除速度1kg－N/m3/day的起步时间的厌氧氨氧化菌群保持用载体、厌氧氨氧化菌群附着体和废水处理装置。本发明解决技术问题的技术方案的厌氧氨氧化菌群保持用载体的特征在于，含有碳颗粒，希望碳颗粒为石墨颗粒，特别是各向同性石墨颗粒，另外，希望Zeta电位为－35mV以上0mV以下，希望上述碳颗粒的平均粒径为2μm以上1000μm以下。
废水处理用厌氧氨氧化保持载体厌氧氨附着使用装置

[发明专利]C/C复合材料及其制造方法、以及热处理用夹具及其制造方法-CN202180026630.4在审
发明人：冨田修平;町野洋;西阳子 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供一种在包含加热工序以及冷却工序的环境中实现长寿命且不易对周边设备或被处理物的品质造成不良影响的C/C复合材料。C/C复合材料在借助水银孔率法的开气孔测定中，气孔半径0.4μm以上且小于10μm的开气孔率为2.0％以下。
复合材料及其制造方法以及热处理夹具

[发明专利]负载铂催化剂、燃料电池用阴极、燃料电池、及负载铂催化剂的制造方法-CN202080040791.4在审
发明人：初代善夫;安在瑞穗 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：提供一种在不使用聚合物的情况下利用简便的制造方法而Pt(220)面的衍射波峰强度的比例高且耐氧化性也优异的负载铂催化剂。本发明的负载铂催化剂包含碳载体、以及负载于所述碳载体上的铂微粒子，所述铂微粒子中，相对于通过X射线衍射而获得的(111)面、(200)面及(220)面的衍射波峰强度的合计的、所述(220)面的衍射波峰强度的比为0.128以上。
负载催化剂燃料电池阴极制造方法

[发明专利]器件制作用晶圆的制造方法-CN201980069147.7在审
发明人：矢吹纪人;坂口卓也;神野明香;野上晓;北畠真 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在器件制作用晶圆(43)的制造方法中，对在SiC晶圆(40)上形成有单晶SiC的外延层(41)的SiC外延晶圆(42)，进行使存在于该SiC外延晶圆(42)的外延层中的基面位错密度降低的基面位错密度降低工序，而制造为了制作半导体器件而使用的器件制作用晶圆(43)。在基面位错密度降低工序中，通过在为了降低基面位错密度而需要的既定时间内，不于SiC外延晶圆(42)上形成盖层，而是在Si蒸气压力下加热SiC外延晶圆(42)，一边抑制表面粗化一边降低基面位错密度。
器件制作用晶圆制造方法

[发明专利]基座-CN201980065073.X在审
发明人：池尻贵宏 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供能够提高从晶片制作的半导体芯片的成品率的、不易产生缺口(缺损)，且寿命长的基座。具有载置晶片(10)的凹陷部(2)的基座，其中，凹陷部(2)中的至少一个具有：支承晶片(10)的多个支承部(3)；与晶片(10)的侧面(10a)接触的多个接触部(4)；和不与晶片(10)的侧面(10a)接触的多个非接触部(5)。接触部(4)和非接触部(5)交替地形成于凹陷部(2)的内周壁，支承部(3)中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部(2)的中心(O)和非接触部(5)的线上。
基座

[发明专利]SiC芯片的制造方法-CN201980054946.7在审
发明人：矢吹纪人;中岛祐治;坂口卓也;野上晓;北畠真 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
sic 芯片制造方法

[发明专利]SiC晶片和SiC晶片的制造方法-CN201980048251.8在审
发明人：长屋正武;神田贵裕;冈本武志;鸟见聪;野上晓;北畠真 -专利权人：株式会社电装;东洋炭素株式会社;丰田通商株式会社
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
sic 晶片制造方法

[发明专利]碳化硅基板的蚀刻方法及收容容器-CN201580062705.9有效
发明人：鸟见聪;篠原正人;寺元阳次;矢吹纪人;野上晓;金子忠昭;芦田晃嗣;久津间保德 -专利权人： 东洋炭素株式会社;学校法人关西学院
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
碳化硅蚀刻方法收容容器

[发明专利]碳化硅基板的表面处理方法-CN201580063339.9有效
发明人：金子忠昭;芦田晃嗣;久津间保德;鸟见聪;篠原正人;寺元阳次;矢吹纪人;野上晓 -专利权人：学校法人关西学院;东洋炭素株式会社
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
碳化硅表面处理方法

[发明专利]空气电池用正极、利用该正极的空气电池和该正极的制造方法-CN201580065649.4有效
发明人：冈野宽;黑崎朋史;鹤冈拓朗;细川敏弘;三崎伸也;幸哲也 -专利权人：独立行政法人国立高等专门学校机构;东洋炭素株式会社
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种通过使微小的Nb(氧化Nb)分散在膨胀石墨片中能够大幅提高电池特性的空气电池用正极、用该正极的空气电池和该正极的制造方法。本发明的空气电池用正极的特征在于包括膨胀石墨片，该膨胀石墨片具有膨胀石墨和分散在片内部的Nb，上述Nb与上述膨胀石墨的重量比为5ppm以上50000ppm以下。
空气电池正极利用制造方法

[发明专利]微生物固定化载体-CN201880080218.9在审
发明人：善木将嗣;东城哲朗;竹下昌利;中园智哉;石川爱 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C12N11/00 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题在于：提供一种微生物容易附着于微生物固定化载体并且能够降低微生物固定化载体的制造成本和使用微生物固定化载体的装置的运行成本的微生物固定化载体。本发明解决技术问题的技术方案的微生物固定化载体的特征在于，其为含有碳成分和树脂，Zeta电位为－25mV以上0mV以下，并且表面和/或内部附着有微生物，希望上述微生物为硝化菌群，希望上述碳成分的粒度为1μm以上1000μm以下。
微生物固定载体

[发明专利]空气电池用正极以及使用该正极的空气电池-CN201480056169.7有效
发明人：冈野宽;与田将士;鹤冈拓朗;细川敏弘;三崎伸也 -专利权人：独立行政法人国立高等专门学校机构;东洋炭素株式会社
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01M4/96 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供不会导致制造成本的高涨、能够抑制电池的电解液减少且能够抑制伴随电解液减少的不良情况的空气电池用正极以及使用该正极的空气电池。该空气电池用正极的特征在于由膨胀石墨片构成，上述膨胀石墨片中的膨胀石墨的比例优选为80质量％以上，上述膨胀石墨片的体积密度优选为0.2Mg/m3以上2.0Mg/m3以下，上述膨胀石墨片的厚度优选为0.1mm以上3.0mm以下。
空气电池正极以及使用

[发明专利]多孔碳的制造方法和包含通过该制造方法制造的多孔碳的电极以及催化剂载体-CN201980005628.1在审
发明人：安在瑞穂;森下隆广;初代善夫 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C01B32/318 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种抑制孔结构变化并且能够改变官能团的种类、官能团的量或官能团的比例的多孔碳的制造方法。该多孔碳的制造方法的特征在于，包括：第一步骤，烧制含有成为碳源和铸模源的物质的材料，制作碳烧制体；和第二步骤，将上述碳烧制体浸渍于铸模除去溶液中，从上述碳烧制体除去铸模，其中，通过变更上述材料的种类、成为上述碳源的物质与成为上述铸模源的物质的比例、上述铸模尺寸以及上述铸模除去溶液的种类这些条件中的至少2种以上的条件，规定存在于多孔碳内的官能团的种类、官能团的量或官能团的比例。
多孔制造方法包含通过电极以及催化剂载体

[发明专利]膨胀石墨片材和使用该膨胀石墨片材的电池-CN201580061831.2有效
发明人：细川敏弘;三崎伸也 -专利权人： 东洋炭素株式会社
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C01B32/225 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供即使用于空气电池用正极等时也能够抑制溶胀的膨胀石墨片材及使用该膨胀石墨片材的电池。该膨胀石墨片材的特征在于，含有膨胀石墨、表面的水接触角为90°以上且表面电阻率为70mΩ/sq以下，优选在膨胀石墨片材中分散含有聚烯烃树脂，优选上述聚烯烃树脂为聚丙烯。
膨胀石墨使用电池

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