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[发明专利]多晶硅太阳能电池织构层的制备方法-CN200810070747.9有效
发明人：陈小韵;刘守;张向苏;任雪畅 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，涉及一种太阳能电池，尤其是涉及一种利用激光全息法并结合湿法刻蚀方法的多晶硅太阳能电池织构减反层制造工艺。提供一种快速制作大面积周期性微结构、成本低廉、减反效果良好的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法。多晶硅硅片的预处理；在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录，制作二维周期性微结构；以光刻胶为结构模版，采用酸性腐蚀液将结构制作到硅材料中。
多晶太阳能电池织构层制备方法

[实用新型]铸锭单晶加MWT电池结构-CN202122656447.2有效
发明人：罗西佳;王伟;吴仕梁;张凤鸣 -专利权人：南京日托光伏新能源有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种铸锭单晶加MWT电池结构，从上到下依次包括正面减反膜及SiON叠层膜、正面扩散层、正面黑硅小绒面、单晶硅基底、背电场，其中，单晶硅基底两面分别设置有正面电极和背电极，正面电极嵌入正面减反膜及SiON叠层膜和正面扩散层中，背电极嵌入背电场中；单晶硅基底中央开有贯穿孔，贯穿孔一端通过正面电极密封，贯穿孔内填充有堵孔浆料。
铸锭单晶加 mwt 电池结构

[发明专利]一种制备蛾眼减反结构的方法-CN202110162968.4在审
发明人：张琬皎;龙眈 -专利权人：杭州欧光芯科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备蛾眼减反结构的工艺方法。方法包括：在原始硅模具的表面制备纳米柱阵列；具有纳米柱阵列的PDMS软模板的制备；在基片上制备第一金属层；在第一金属层上制备图形转移层，将PDMS软模板图形复制转移到图形转移层的表面，并得到若干个纳米柱；纳米柱阵列结构表面修饰；半球形曲面掩膜的刻蚀和成蛾眼减反结构的刻蚀。本发明通过纳米压印将纳米圆柱结构转移到基片表面并转化加工得到弧形曲面掩膜，最终在基片刻蚀得到蛾眼减反结构，避免了电子束/光学光刻—刻蚀、自组装法等制备蛾眼减反结构慢、昂贵、工艺复杂，自组装法不可控、不能大面积批量制备的技术缺点，以较低的成本实现了蛾眼减反结构高效、可控、批量的制备。
一种制备蛾眼减反结构方法

[发明专利]一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法-CN201110004888.2无效
发明人：褚君浩;窦亚楠;张传军;李钊明 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法，该复合钝化减反膜由依次置于晶体硅太阳电池迎光面发射极上的氧化硅层、非晶氧化铝层和非晶氮化硅层构成。该方法是采用PECVD工艺或ALD工艺在晶体硅太阳电池迎光面发射极上制备a-Al2O3层；采用退火工艺在发射极层和a-Al2O3层之间形成SiO2层；采用PECVD工艺在a-Al2O3层上制备a-Si-XNX层。本发明的优点是：a-Si1-XNX减反射膜减反射效果佳，a-Al2O3/SiO2复合钝化膜，起化学钝化和场钝化的双重效果，钝化效果优良；a-Si1-XNX/a-Al2O3/SiO2复合钝化减反射膜热稳定性好与后续电池制备工艺兼容
一种用于晶体太阳电池复合钝化减反膜制备方法

[发明专利]一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池及其制作方法-CN202110633565.3有效
发明人：张天杰;刘大伟;倪玉凤;宋志成 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池，自上而下包括正极接触电极、前表面减反层、钝化膜、P+掺杂层、N型硅衬底、量子阱层、隧穿氧化层、N+多晶硅掺杂层、背表面减反层以及负极接触电极，所述量子阱层的禁带宽度小于晶硅材料。本发明通过在隧穿氧化层与硅衬底之间引入量子阱结构，使得电池背表面生长的量子阱结构成为聚集电子或空穴的势阱，聚集在量子阱内部的电子或空穴再通过隧穿作用穿透氧化层到达多晶硅层。
一种具有量子结构 topcon 电池及其制作方法

[实用新型]太阳能电池及太阳能电池组件-CN201821124764.1有效
发明人：张伟;翟金叶;沈艳娇;王子谦;郎芳;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池包括：衬底；所述衬底的正面设有前场，所述衬底的背面设有发射极；所述前场的上表面设有第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层与正面栅线对应区域的表面设有第一多晶硅层；所述第一隧穿氧化层与吸光区对应区域的表面设有第一减反膜，所述第一多晶硅层的表面设有正面栅线；所述发射极表面设有第二隧穿氧化层；所述第二隧穿氧化层的表面设有第二多晶硅层；所述第二多晶硅层的表面设有背面栅线，所述第二多晶硅层中除与背面栅线对应区域的表面设有第二减反膜
隧穿氧化层多晶硅层太阳能电池衬底太阳能电池组件本实用新型背面栅线正面栅线发射极表面光伏发电发射极上表面吸光区背面

[发明专利]一种钝化接触结构及其太阳能电池的制备方法-CN202010920630.6在审
发明人：杜哲仁;陆俊宇;陈嘉;季根华 -专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种钝化接触结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1.对晶体硅基体进行预处理；S2.在晶体硅基体表面生长一层隧穿氧化层；S3.在PECVD工艺腔内，在隧穿氧化层表面沉积掺杂非晶硅层；S4.将晶体硅基体进行退火，使掺杂非晶硅层晶化形成掺杂多晶硅层；S5.在掺杂多晶硅层表面制备氮化硅减反层，并在另一面制备氧化铝钝化层；S6.在氧化铝钝化层表面制备氮化硅减反层；S7.在晶体硅基体正反两面通过丝网印刷的方式制备金属导电电极本发明采用PECVD方法制备掺杂非晶硅层的工艺温度低，可减少由硅片弯曲带来的不良，且工艺具有单面性，绕镀轻微，可以减少后期清洗步骤；可实现原位掺杂，减少后续磷掺杂或硼掺杂工序。
一种钝化接触结构及其太阳能电池制备方法

[发明专利]一种新型三结薄膜太阳能电池及其生产方法-CN201210303813.9无效
发明人：董德庆;庄春泉;林进达;王建强;汪涛 -专利权人：四川汉能光伏有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型三结薄膜太阳能电池，包括由下而上依次排列的玻璃基板、背电极钼层、多结电池单元、窗口层和减反层，减反层上设置有栅电极；多结电池单元由以下电池层由下而上依次排列：P型硒铟铜层、N型硫化镉层、第一P型非晶硅层、本征非晶锗硅层、第一N型非晶硅层、第二P型非晶硅层、本征非晶硅层和第二N型非晶硅层。本发明还公开了一种新型三结薄膜太阳能电池的生产方法，分别通过磁控溅射法、真空硒化退火法或真空蒸镀法制作上述各电池层。
一种新型薄膜太阳能电池及其生产方法

[实用新型]耐弯折减反射镀膜保护膜-CN202122447059.3有效
发明人：李廷钢 -专利权人：安徽胜利精密制造科技有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了耐弯折减反射镀膜保护膜，包括基材、设置在基材厚度方向一侧且由内而外布置的硬化层、减反增透层和防污膜层，减反增透层包括若干个高折射率膜层和若干个低折射率膜层，若干个高折射率膜层和若干个低折射率膜层依次交替层叠，贴合在塑料基板的膜层为AL2O3或硅铝合金膜层，远离所述塑料基板的低折射率膜层为S I ON膜层。远离基材面仍为二氧化硅具备较高的耐磨性及较低的反射率，靠近基材面采用拉伸性好的AL2O3或硅铝合金膜层使其同时具备耐磨及耐形变的特性，极大的提升了减反射镀膜的实用性。
耐弯折减反射镀膜保护膜

[发明专利]石墨烯双面太阳能电池及其制备方法-CN201810214013.7在审
发明人：况亚伟;顾涵;马玉龙;张静;倪志春;魏青竹;潘启勇;杨希峰;刘玉申;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯双面太阳能电池，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极；所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅，所述n+型多晶硅表面设置光学减反层，所述光学减反层表面设置背栅线电极。本发明在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离，实现双面石墨烯太阳能电池，具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
二氧化硅层石墨烯双面太阳能电池通孔石墨烯薄膜层减反层制备单晶硅多晶硅表面光生载流子太阳能电池表面设置环状结构内建电场四周区域多晶硅前电极线电极背栅暴露生产

[实用新型]石墨烯双面太阳能电池-CN201820354231.6有效
发明人：况亚伟;顾涵;马玉龙;张静;倪志春;魏青竹;潘启勇;杨希峰;刘玉申;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯双面太阳能电池，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极；所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅，所述n+型多晶硅表面设置光学减反层，所述光学减反层表面设置背栅线电极。本实用新型在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离，实现双面石墨烯太阳能电池，具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
二氧化硅层石墨烯通孔双面太阳能电池石墨烯薄膜层本实用新型减反层单晶硅多晶硅表面光生载流子太阳能电池表面设置环状结构内建电场四周区域多晶硅前电极线电极背栅暴露生产

[实用新型]一种淡橙色超清底色防蓝光树脂镜片-CN202220748202.4有效
发明人：黄昱勇;汤峰;董光平 -专利权人：江苏万新光学有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种淡橙色超清底色防蓝光树脂镜片，包括：树脂镜片基片、加硬层、淡橙色超清底色减反膜层以及防水层；其中，所述基片、加硬层以及淡橙色超清底色减反膜层依次排列，所述加硬层位于树脂镜片基片表面，所述减反射层位于所述加硬层表面；且所述减反射层由高折射率材料钛铌复合氧化物以及低折射率材料掺硼的硅铝复合氧化物组成。本实用新型通过调整淡橙色超清底色减反膜层结构，获得了具有视觉特别清澈效果，即黄色指数极低的防蓝光树脂镜片并且极大地提高了树脂镜片耐高温性能和抗环境性能，特别在潮湿环境中不易出现潮斑，其淡橙色的膜色让人眼感觉舒适
一种橙色底色防蓝光树脂镜片

[发明专利]一种电池结构及其制备方法-CN202310745006.0在审
发明人：郭小飞;高芳丽;戴欣欣;柳冉冉 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及电池领域，具体涉及一种电池结构及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)在硅基片的正面沉积超薄氧化硅层和正减反层；(2)在超薄氧化硅层上生长低浓度的多晶硅层一，在多晶硅层一上生长高浓度的多晶硅层二；(3)在多晶硅层二上印刷电极一，在电极一上连接电极二，即得。本发明将与电极直接连接的部分进行高浓度硼掺杂，与遂穿层连接部分进行低浓度硼掺杂，在保证良好接触的同时，还能使得整体硼掺杂浓度降低，降低了蓝光吸收损耗与载流子表面再复合损耗，提高了光电转换效率；通过改善等离子化学气相沉积法工艺，得到的减反层的膜厚均匀，且反射率较小，增加了对光的吸收，从而可提高电池的光电转换效率。
一种电池结构及其制备方法

[发明专利]N型IBC电池结构及其制备方法-CN201610152526.0在审
发明人：董鹏;郭辉;屈小勇;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学;中电投西安太阳能电力有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层，该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面，钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面；在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。本发明采用SiN_x膜或叠层膜的减反层和钝化层简化了现有电池结构，提高了生产效率，减低了生产成本。
ibc 电池结构及其制备方法

[实用新型]电池背面结构及双面TOPCon太阳能电池-CN202123251123.7有效
发明人：袁晓佳;赵福祥;费存勇 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池背面结构及双面TOPCon太阳能电池，所述电池背面结构包括设置在硅片背面的隧穿氧化层、n+多晶硅掺杂层、叠层钝化减反膜及金属电极，叠层钝化减反膜靠近n+多晶硅掺杂层的一侧设置有第一Al2O3介质膜，叠层钝化减反膜远离n+多晶硅掺杂层的一侧设置有第二Al2O
电池背面结构双面 topcon 太阳能电池