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[发明专利]一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法-CN201010517864.2无效
发明人：万青;曾梦麟;佘鹏;张雪平 -专利权人：湖南大学
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，该方法采用等离子体增强化学气相沉积技术先在已清洗制绒的P型（或N型）硅片上沉积磷掺杂（或硼掺杂）的氮化硅减反膜，然后再进行常规高温退火处理，使得氮化硅层中的磷（或硼）部分扩散至P型（或N型）硅片中，在硅片表面形成PN结。该方法与产业化晶体硅太阳能电池生产工艺兼容，不需要复杂的POCl3或BBr3扩散和后续磷硅或硼硅玻璃的去除步骤，制作工艺更加简单，适合低成本批量化生产。
一种连续制备晶体太阳能电池 pn 减反膜方法

[发明专利]基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池及其制备方法-CN201510483920.8有效
发明人：郭灵山;崇锋;吕欣 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池，其包括一P型硅衬底，P型硅衬底的受光面设置有掺杂硼的p+掺杂层，受光面上设置有第一减反钝化膜；P型硅衬底的背面设置有多个掺杂硼的p+掺杂区和多个掺杂磷n+掺杂区，每一p+掺杂区中设置有一p++重掺杂区，每一n+掺杂区中设置有一n++重掺杂区，背面上设置有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有相互绝缘的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别电性连接于
基于衬底接触太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种复合背面电极太阳能电池-CN201520794584.4有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合背面电极太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背电场、P型硅、N+层、SiNx减反膜和Ag正电极，Al背电场、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置，所述Al背电场尺寸小于太阳能电池边缘尺寸，太阳能电池背面沉积Ag薄膜或Al薄膜，Ag薄膜覆盖所述Ag背电极、Al背电场和P型硅四周边缘区域；Al薄膜覆盖所述Al背电场和P型硅四周边缘区域。
一种复合背面电极太阳能电池

[发明专利]一种TOPCon电池及制备方法-CN202310246027.8在审
发明人：赵家林 -专利权人：新疆中部合盛硅业有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种TOPCon电池，包括硅基层，所述硅基层的一侧依次包括层叠设置的钝化层和光吸收层；所述钝化层为能够对硅基层起到保护和绝缘作用的层；所述光吸收层为能够提高硅基对阳光利用率的层；所述光吸收层包括渐变层，所述渐变层为对光的折射率呈渐变的层。采用低折射率的氮氧化硅减反层作为表层膜结构，可以有效的降低反射率，提高短波响应，有效的提高短路电流。
一种 topcon 电池制备方法

[发明专利]一种增透减反层叠体及其应用和制备方法-CN202210560809.4在审
发明人：胡超川;朱磊;张继凡 -专利权人：安徽立光电子材料股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种增透减反层叠体及其应用和制备方法，增透减反层叠体包括：基底层；打底层，两个所述打底层与所述基底层中的两侧表面分别接触；增透减反层，所述增透减反层设置在每一个所述打底层中远离所述基底层一侧的表面上，所述增透减反层由高折射率层和低折射率层交替堆叠而成。通过将打底层设置在基底层和增透减反层之间，大大增加了增透减反层与基底层之间的附着力，避免了在工作过程中增透减反层与基底层脱离的风险。通过设置高折射率层和低折射率层交替而成的所述增透减反层，可以获得近100％的透射性能。
一种增透减反层叠及其应用制备方法

[实用新型]一种光导芯片镀膜结构-CN201721764299.3有效
发明人：欧杰辉 -专利权人：深圳市飞莱特科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本实用新型所涉及一种光导芯片镀膜结构，其包括基材层，设置于基材层上面复数层减反膜层。因所述基材层与减反膜层之间设置有粘接层，所述粘接层是采用环氧树脂胶粘剂，以模压方式制成AL2O3层状复合材料。该AL2O3层状复合材料能够将复数层减反膜层与基材层固定粘接一起形成整体，解决减反膜层与基材层连接不牢固，避免因光导端口表面因对镀膜材料吸附性不好而引起镀膜层脱落或缺口现象。与此同时，使得所述的复数层减反膜层能够有效发挥减反膜的作用，从而具有减反膜的效果。
减反膜层基材层复数层光导层状复合材料镀膜结构粘接层芯片环氧树脂胶粘剂本实用新型镀膜材料端口表面固定粘接模压方式缺口现象有效发挥镀膜层吸附性

[发明专利]一种采用固态扩散方式制备的晶硅电池及其制备工艺-CN202010984354.X有效
发明人：赵卫东;赵龙宝;王浩;沈溜海;李凉平;冯际令;李向华 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用固态扩散方式制备的晶硅电池及其制备工艺，包括晶硅片、减反层和正电极，所述晶硅片的正面设置有减反层，所述减反层的正面设置有正电极，所述晶硅片的背面设置有钝化层，所述钝化层的背面设置有背电极
一种采用固态扩散方式制备电池及其工艺

[发明专利]绿色高效N型单晶硅异质结电池技术-CN202111365941.1在审
发明人：宋太伟 -专利权人：上海日岳新能源有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明专利，绿色高效N型单晶硅异质结电池技术，是一种工艺简单可靠且量产生产线设备成本极低的N型单晶硅异质结光伏电池技术。该绿色高效的N型单晶硅异质结电池，主要由N型单晶硅、正面高浓度掺磷非晶硅层、正面氧化物钝化层、正面减反透明导电膜层、正面银栅线阴极、背面高浓度掺硼非晶硅层、背面氧化物钝化层、背面薄金属或合金层、背面氧化物层
绿色高效单晶硅异质结电池技术

[实用新型]一种低折射率的变色镜片-CN202020647455.3有效
发明人：李军;李强;夏康俊 -专利权人：江苏全真光学科技股份有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低折射率的变色镜片，其包括：基片，基片的折射率为1.49，基片由树脂内混合光感变色因子制成；设置在基片上的匀光膜层，匀光膜层依次设有：第一减反膜、变色膜、第二减反膜和第三减反膜，变色膜位于第一减反膜和第二减反膜之间，第三减反膜与基片粘合；设置在匀光膜层上的加硬膜；设置在加硬膜上的防护膜。本实用新型通过设置第一减反膜、变色膜、第二减反膜和第三减反膜，减反膜和变色膜配合形成匀光膜层，使得镜片的变色更加的均匀。
一种折射率变色镜片

[发明专利]一种PERC电池的制备方法及双面选择性发射极PERC电池-CN201910831804.9在审
发明人：费存勇;赵福祥;崔钟亨 -专利权人：韩华新能源(启东)有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面选择性发射极PERC电池的制备方法，包括以下步骤：在制绒后的P型硅片的正面进行掺杂后，完成背面钝化层、背面减反层以及正面钝化层、正面减反层的沉积；其特征在于，所述步骤还包括：在硅片背面钝化层上印刷掺硼硅浆料并烘干后，在印刷浆料的区域采用激光将硼驱入硅片的硅基体内，形成P+发射极，同时形成线型开窗，采用清洗液将多余的掺硼硅浆料清除后进行二次烘干，在硅片上印刷正背面电极浆料，并进行高温烧结形成电极。本发明的双面选择性发射极PERC电池的制备方法，在印刷硼浆后加了烘干步骤，进一步提高了激光的对准精度，提升了产品的质量，且在激光后，增加了清洗去除多余掺硼硅浆料的步骤，提升了局部欧姆接触的质量。
硅浆料掺硼选择性发射极激光减反层硅片烘干印刷制备电池正背面电极浆料背面钝化层正面钝化层二次烘干高温烧结硅片背面欧姆接触印刷浆料电极钝化层发射极清洗液硅基开窗硼浆制绒沉积去除背面对准清洗掺杂体内

[发明专利]一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法-CN201210312764.5无效
发明人：范志东;王静;张东升;赵学玲;吝占胜;李倩;田世雄 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，包括：提供一待处理硅片；在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理本发明所述技术方案在沉积减反膜时，使得硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，从而使得制备的减反膜的均匀性较好；且在形成下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理，避免上次沉积时反应残留的气体对当前要沉积的减反膜层的反应气体浓度造成影响，精确控制当前沉积减反膜层所需反应气体的浓度，从而精确控制当前要沉积的减反膜的厚度。
一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法

[发明专利]N型特高阻硅反外延材料制备方法-CN201310235447.2有效
发明人：黄烈云;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：为解决现有技术术N型高阻硅外延材料制备方法存在的高阻外延层电阻率不能满足要求和易导致4寸或6寸晶圆的碎裂等问题，本发明提出一种N型特高阻硅反外延材料制备方法，采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生长高浓度掺杂的外延层；采用硅快速外延技术在高掺杂外延层表面外延生长物理支撑层；采用机械减薄和化学抛光工艺将特高阻单晶层进行减薄抛光使其厚度和表面质量达到技术要求。本发明的有益技术效果是提供了一种满足小电容、快速响应特性的PIN光电二极管制备所需的4寸或6寸晶圆的N型特高阻反外延材料的制备方法，替代现有技术N型高阻单晶材料，提高器件的参数特性和成品率。
型特高阻硅反外延材料制备方法

[发明专利]一种自二氧化硅水溶胶制备减反膜的方法-CN201310282880.1有效
发明人：陈若愚;王燕;王红宁;刘小华 -专利权人：常州大学
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种自二氧化硅水溶胶制备减反膜的方法，涉及减反膜技术领域。该方法以商品化二氧化硅水溶胶为硅源，将其与磷酸，双氧水，十六烷基三甲基溴化铵以及乙醇按一定比例混合配制成氧化硅溶胶浸渍液，利用提拉法在洁净的玻璃表面镀制一层薄膜，80°C固化30分钟，再经500°C热处理1小时后，得到可见光范围平均透光率达98%以上，硬度为6H的减反膜。本发明与现有技术相比具有制备工艺简单易行，原料廉价易得，且所制薄膜同时具有优异减反及耐磨性能的优点。
一种二氧化硅溶胶制备减反膜方法

[发明专利]一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池-CN202210007310.0在审
发明人：宋志成;马少华;郭永刚;刘大伟;倪玉凤;胡继超;乔大勇 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;西北工业大学;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在p型硅片背面依次设置的第一遂穿层、p型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；所述双面TOPCon光伏电池还包括在所述p型硅片正面依次设置的n型掺杂发射极层、第二遂穿层、n型掺杂Ga2O3层、第二钝化减反层以及正面电极。本发明的技术方案中，在双面p型TOPCon光伏电池的正面结构中采用n型掺杂Ga2O3层代替现有的重掺杂多晶硅层，n型掺杂Ga2O3层具有较大的禁带宽度(～4.8eV)，在可见光范围内具有更高的透过率，可以提高可见光的入射效率，从而有效提高光伏电池的电流输出能力
一种基于基底双面 topcon 电池

[实用新型]一种减反膜防红光镜片-CN202021388943.3有效
发明人：臧惠明 -专利权人：江苏奥天光学有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G02B1/116 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种减反膜防红光镜片，其包括树脂镜片基体，树脂镜片基体具有光学凸面与光学凹面；溅射于光学凸面的复合减反膜层，复合减反膜层包括第一氧化硅膜层、第二氧化锡膜层、第三氧化铟膜层、第四氧化铟锡膜层、及第五氧化铝膜层，且复合减反膜层表面设有纳米级透光孔；镀制于复合减反膜层的防红光膜层；以及其中复合减反膜层的折射率在波长780‑1400nm处测量为1.2~1.8。本实用新型通过具有纳米级透光孔的复合减反膜层配合防红光膜层，实现杂散光的减少消除，同时避免有害红光的危害。
一种减反膜防红光镜片