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[发明专利]太阳能电池及制备方法、光伏组件-CN202210882799.6在审
发明人：曹玉甲;方亮;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：太阳能电池的制备方法，包括：在硅基底一侧形成第一钝化层；第一钝化层的材料选自：氧化铝，和/或，氧化硅；在第一钝化层远离硅基底的一侧形成第一减反层，第一减反层的材料选自：氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的至少一种；其中，第一减反层经历过大于或等于300℃的温度。本发明中该第一钝化层的材料能够承受高温，第一减反层经历过大于或等于300℃的温度，形成的第一减反层的致密性和均匀性均良好，进一步提升减反效果，第一减反层具有优良的抗腐蚀能力，第一减反层能够对第一钝化层起到良好的保护作用，进一步增强第一钝化层的钝化效果。
太阳能电池制备方法组件

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池-CN201220413723.0有效
发明人：汤丹;王立建 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，所述太阳能电池包括：电池本体；设置在所述电池本体受光面上的减反层；设置所述减反层上的钝化层。本实用新型所提供的技术方案单独设置减反层与钝化层，通过调节所述减反层的厚度来降低所述太阳能电池表面对光的反射，同时实现其外观颜色的多样性。并可通过单独设置的钝化层来保证所述晶体硅太阳能电池的钝化效果，在保证太阳能电池减反以及钝化效果的同时，可实现太阳能电池外观颜色的多样性显示。
一种晶体太阳能电池

[发明专利]能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜-CN201310008588.0有效
发明人：李中兰;杨阳;威灵顿·皮埃尔J -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜，有两种结构，第一种：该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx，折射率为2.0-2.1，厚度为70-80nm；该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层，厚度为3第二种：该钝化减反膜的底层为钝化层SiNx，折射率为2.2-2.3，厚度为9-11nm；b、该钝化减反膜的中间层为导电层非晶硅层，厚度为3-10nm；该钝化减反膜的顶层为减反层SiNx层，折射率为2.0应用本发明所述钝化减反膜的太阳电池，可从电池端有效地预防PID效应，且本发明基于目前的传统传统电池工艺，只改变减反膜的成分和厚度组合，能与目前的电池工艺兼容，易于实现。本发明所述能抗PID效应的钝化减反膜，适用于传统P型电池，也适用于高效背钝化电池，EWT、MWT电池，N型IBC电池等。
pid 效应太阳电池钝化减反膜

[实用新型]一种太阳能电池结构-CN202321332583.9有效
发明人：王尧;刘绍阳;陈艺绮;李宏伟;王子港;杨广涛;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池结构，该太阳能电池结构包括：硅基体；以及依次设置于所述硅基体正面的：隧穿层，透明导电层，和钝化减反层；所述太阳能电池结构还包括穿过所述钝化减反层与所述透明导电层相接触的正面电极本实用新型太阳能电池结构在硅基体正面的隧穿层和钝化减反层之间设置有透明导电层，能够阻止金属向硅基体扩散，避免发生金属和半导体复合，同时增加了材料的透光性，能够增加光学吸收，进而显著提高电池性能。
一种太阳能电池结构

[实用新型]一种单面钝化接触的太阳能电池-CN202121362842.3有效
发明人：陈姝;陈达明;张学玲;皮埃尔·J·威灵顿;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单面钝化接触的太阳能电池，所述的太阳能电池包括衬底，所述衬底的背面依次层叠设置有背面隧穿氧化层、背面掺杂多晶硅层和背面减反层，所述的背面减反层表面形成背面金属栅线，所述的背面金属栅线与背面掺杂多晶硅层钝化接触；所述的衬底正面依次层叠设置有正面氧化层和正面减反层，所述的正面氧化层和正面衬底之间设置有正面磷掺杂层，所述的正面减反层表面形成正面金属栅线，所述的正面金属栅线与正面磷掺杂层接触。
一种单面钝化接触太阳能电池

[实用新型]一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池-CN201620853240.0有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池，包括从下往上依序为背电极、背电场、P型硅、减反膜和正电极，背电场、P型硅、减反膜为层叠式设置，所述P型硅与减反膜之间层叠有若干层N型纳米硅薄膜，所述N型纳米硅薄膜边长小于P型硅边长，若干层N型纳米硅薄膜和P型硅表面没被N型纳米硅薄膜覆盖的部分由减反膜全部覆盖。与现有技术相比，本实用新型的一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池具有N型纳米硅薄膜的表面浓度低且可控，p‑n具有表面浓度低，结深小，p‑n结的质量和电池的转换效率高的优点。
一种表面浓度组装结晶体太阳能电池

[实用新型]一种硅基OLED微显示芯片的减反射封装结构-CN201921847282.3有效
发明人：吴忠厚;晋芳铭;王登峰;邓琼 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种硅基OLED微显示芯片的减反射封装结构，硅基CMOS驱动电路上设有OLED层，所述OLED层上设有封装层，所述封装层上设有减反层，所述减反层上方为盖板玻璃。本实用新型在目前已有的硅基OLED微显示器件制成上，仅调整或增加封装膜层的材料和厚度，无需新增额外的工序与制成，可以有效的减小硅基OLED微显示器件的反射率，具有工艺简单，性能提升明显等特点。
一种 oled 显示芯片反射封装结构

[实用新型]一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池-CN201521008215.4有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、下转换减反膜和Ag正电极，Al背场、P型硅、N+层和下转换减反膜为层叠式设置，Ag正电极穿过下转换减反膜与N+层相接触；下转换减反膜包括上层的下转换SiNx层、下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层；下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层位于下转换SiNx层与N+层之间，下转换SiNx层中均匀分布下转换材料。
一种转换减反膜晶体太阳能电池

[实用新型]一种背结晶硅电池-CN202120851708.3有效
发明人：张树德;刘玉申;况亚伟;赵保星;符欣;连维飞;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片，正面钝化减反层、铝电极、透明导电层以及正面电极；其中，所述正面钝化减反层层叠在所述P型硅片的正面，所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触，所述铝电极在所述正面钝化减反层上呈均匀点状分布，所述透明导电层覆盖于所述铝电极上方，所述正面电极形成于所述透明导电层上方并通过所述透明导电层与所述铝电极进行电荷传输。本实用新型的背结晶硅电池的铝电极为均匀分布的点状结构，遮光面积小，从而可以提高硅片的光吸收，而且能够减小载流子在硅基底中的横向传输电阻，而且铝电极收集的电荷经透明导电层进行横向传输，流向正面电极。
一种结晶电池

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池减反膜-CN201320849794.X有效
发明人：张春华;李栋;高文丽;孟祥熙;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池减反膜，依次包括设于硅片衬底上的非晶硅膜层、设于非晶硅膜层上的第一富硅氮化硅膜层、设于第一富硅氮化硅膜层上的第二富硅氮化硅膜层；所述晶体硅太阳能电池减反膜的总厚度为78本实用新型设计得到了一种新的减反膜结构，实验证明，该减反射膜可以明显降低电池片表面对光的反射，增加硅片光的吸收，同时具有很好的钝化效果，提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
一种晶体太阳能电池减反膜

[实用新型]太阳能电池-CN202222848580.2有效
发明人：霍亭亭 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池，其包括硅衬底、掺杂非晶硅层和载流子传输层，硅衬底的正面和背面均设有隧穿层；掺杂非晶硅层连接于背面的隧穿层上，掺杂非晶硅层的极性与硅衬底的极性相反，掺杂非晶硅层上层叠有钝化层，钝化层上连接有背面电极，背面电极穿过钝化层与掺杂非晶硅层相连接；载流子传输层连接于正面的隧穿层上，载流子传输层的极性与硅衬底的极性相同，载流子传输层上层叠有减反层，有减反层上连接有正面电极，正面电极穿过减反层与载流子传输层相连接
太阳能电池

[发明专利]一种用于晶硅太阳电池的复合钝化减反膜及其制备方法-CN200810223718.1无效
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所;欧贝黎新能源科技股份有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：一种用于晶硅太阳电池的复合钝化减反膜，其特征在于所述复合钝化减反膜由一层非晶硅层(2)和一层二氧化钛层(3)构成，所述非晶硅层(2)直接淀积在太阳电池(1)的迎光面上起到表面钝化作用，所述二氧化钛层(3)淀积在所述非晶硅层(2)上，起到减少电池光反射的作用。制备本发明钝化减反膜的方法，首先在太阳电池(1)上采用化学气相淀积(PECVD)工艺淀积制备非晶硅层(2)，然后在所述非晶硅层(2)上采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺淀积二氧化钛层，或者在所述非晶硅层(2)上采用热喷涂工艺淀积二氧化钛层(3)。
一种用于太阳电池复合钝化减反膜及其制备方法

[发明专利]铸锭单晶IBC电池结构及其制备方法-CN202211061470.X在审
发明人：吕加先;职森森;逯好峰;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公布了铸锭单晶IBC电池结构及其制备方法，所述电池结构从上到下依次包括正面减反膜及正面钝化膜、正面氧化膜、正面黑硅小绒面、铸锭单晶硅基底、扩散层、背面钝化膜、背面减反膜；其中，在背面钝化膜以及背面减反膜上设置有正面电极和背电极，正电极嵌入背面减反膜及钝化膜和扩散层中，负电极P型单晶硅中。在所述扩散层上，N型扩散层和P型层指叉交替。本发明采用铸锭单晶硅片可有效降低电池成本、再结合黑硅小绒面和SiON叠层膜的结构（可有效遮挡晶界、增加前表面光吸收），叠加IBC电池结构，前表面无栅线遮光，进一步增加光吸收、提升电流及电池效率，解决外观问题的同时提高了组件功率
铸锭 ibc 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法-CN202011068978.3有效
发明人：陈坤;王文武;谢毅;李卫;苏荣;张静全;李书森 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，用于可加强P型硅对长波的反射效果，提高太阳电池的短路电流密度，具体涉及一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法，包括P型硅，P型硅的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层、TiOx减反钝化层、AlOx：H钝化层、SixNy：H减反钝化层、SiOx减反钝化层；解决了现有PERC太阳电池硅片上的氧化铝钝化层对太阳能光长波反射效果一般，既不利于电池对太阳能光长波的利用，也不利于提高太阳电池的短路电流密度的问题
一种高效钝化太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201910967301.4在审
发明人：张鹏;陈坤;王岚;尹志伟 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法，所述电池包括由上至下依次相连的Ag栅指电级、SiNx钝化减反射层、N+层(磷掺杂层)、P型硅、背面钝化层、Al栅指电级，所述Ag栅指电级依次贯穿钝化膜层、N+层通过N++层(重掺杂硅层)与P型硅相连，所述Al栅指电级贯穿背面钝化层通过P+层(局部接触铝掺杂层)与P型硅相连，所述背面钝化层为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO
钝化栅指背面钝化层减反射层叠层结构晶硅太阳能电池高温度稳定性高转换效率重掺杂硅层太阳能电池钝化膜层高稳定性界面钝化局部接触磷掺杂层依次设置依次相连钝化层铝掺杂贯穿制备电池