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[发明专利]一种提高光转换效率的非晶硅太阳能光电板-CN202210499128.1在审
发明人：吴忠明 -专利权人：吴忠明
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种提高光转换效率的非晶硅太阳能光电板，包括表膜层、基面玻璃层、第一透明导电膜层、N+非晶硅层、本质非晶硅层、P+非晶硅层、第二透明导电膜层和背基底层，表膜层、基面玻璃层、第一透明导电膜层、N+非晶硅层、本质非晶硅层、P+非晶硅层、第二透明导电膜层和背基底层由上而下依次叠层连接设置，基面玻璃层的两端均嵌设固定有透明导电条，两个透明导电条之间连接有若干透明导热条，透明导热条沿基面玻璃层的宽度方向相互平行设置，基面玻璃层的上端设有若干采光块，N+非晶硅层的顶端设有弧形凸起，表膜层包括防尘透光薄膜和减反膜，防尘透光薄膜和减反膜由上而下依次设置。
一种提高转换效率非晶硅太阳能电板

[实用新型]一种P-TOPCON背结电池-CN202223177340.0有效
发明人：朱晶晶;袁晓佳;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种P‑TOPCON背结电池，包括硅基体，硅基体的背面依次设置有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化层及背金属电极；硅基体的正面设置有细栅线，硅基体的正面对应设置细栅线的区域上设置有硼掺杂前场，硅基体设置硼掺杂前场的正面还依次设置有正面钝化减反层和正金属电极，正金属电极的一端与硼掺杂前场形成接触，正金属电极的另一端延伸至正面钝化减反层外。本实用新型提供的P‑TOPCON背结电池，只在正金属电极处设置重掺杂前场，加强金属电极与硅基体的接触，与传统的整面分区域掺杂结构相比，减少金属复合，无横向载流子传输损失，同时大大简化工艺流程。
一种 topcon 电池

[发明专利]一种复合减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法-CN201610549720.2有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种复合减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，具体包括以下步骤S1制绒；S2热扩散制备p‑n结；S3去PSG；S4氢化非晶硅层制备；S5在非晶硅层上放置掩膜，掩膜图形将部分氢化非晶硅层遮盖，然后沉积氮化硅，形成多孔氮化硅层，所述氢化非晶硅层、多孔氮化硅层配合形成复合减反膜；S6Ag背电极、Al背电场和Ag正电极的印刷和烧结。本发明利用非晶硅层优异的钝化效果和多孔氮化硅层的低反射率，及非晶硅层/多孔氮化硅层优异的光学匹配，使得太阳能电池的太阳光子利用率大大提高，载流子复合速率大大下降，从而大大提升电池的转换效率。
一种复合减反膜晶体太阳能电池制备方法

[实用新型]一种P型局部背表面场钝化双面太阳电池-CN201921960929.3有效
发明人：王璞;张忠文;张鹏;王岚 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型局部背表面场钝化双面太阳电池，涉及太阳电池技术领域，本实用新型包括p型硅衬底，p型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、氧化铝钝化层和背面氮化硅减反层，p型硅衬底底部嵌设有若干条硼源掺杂层，硼源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、氧化铝钝化层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层，本实用新型提高了p型双面太阳电池的背面电池的开路电压，降低串联电阻提高填充因子，在不降低正面效率的情况下，提高电池双面率
一种局部表面钝化双面太阳电池

[发明专利]一种全钝化太阳能电池结构-CN201611232997.9有效
发明人：陈文浩;黄石明;孙海平;刘仁中 -专利权人：合肥海润光伏科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种全钝化太阳能电池结构，包括电池层和在所述电池层的侧部形成的肖特基接触金属层，所述电池层包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正面结构层，所述N型硅基体的背面设置有背面结构层，其中，所述正面结构层包括设置于所述N型硅基体的正面的P型硅扩散层，所述P型硅扩散层的正面设置有钝化减反膜，所述钝化减反膜的正面设置有正面电极；所述背面结构层包括设置于所述N型硅基体的背面的SiO2隧穿结，所述SiO2隧穿结的背面设置有N+硅层，所述N+硅层的背面设置有背面电极；所述正面结构的靠近边缘处的四周开设有边缘隔离槽；该全钝化太阳能电池结构，能够实现全部表面的钝化，极大地提升太阳能电池效率。
一种钝化太阳能电池结构

[实用新型]一种太阳能电池叠层钝化结构和叠层钝化接触太阳能电池-CN201920948471.3有效
发明人：刘慎思;张小明;林纲正 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池叠层钝化结构，其包括：硅片，钝化层；设于所述硅片正面；N+型多晶硅层；设于所述钝化层上方，包括第一N+型多晶硅层与第二N+型多晶硅层；所述第一N+型多晶硅层通过原位掺杂、高温处理工艺形成；所述第二N+型多晶硅层通过扩散掺杂、高温处理工艺形成；减反层；设于所述N+型多晶硅层上方；其中，所述第一N+型多晶硅层靠近所述钝化层；所述第二N+型多晶硅层靠近所述减反层。本实用新型还公开了一种叠层钝化结构以及包含上述叠层钝化结构的太阳能电池。实施本实用新型，能够去除悬挂键和降低表面态，提升太阳能电池的效率。
一种太阳能电池钝化结构接触

[发明专利]一种磷浓度梯度分布的TOPCON电池及其制作方法-CN202211207725.9在审
发明人：郭世成;张明明;郁寅珑;付少剑;王立富;郭小飞 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏组件生产领域，特别是涉及一种磷浓度梯度分布的TOPCON电池及其制作方法，通过在N型基体硅的迎光面进行硼掺杂，得到P+掺杂层；在所述N型基体硅的背光面依次设置多个复合导电层，得到硅片预制物；单个所述复合导电层由内向外依次包括二氧化硅层及非晶硅层；从内向外多个复合导电层对应的二氧化硅层的氧化时间逐渐缩短，各个复合导电层对应的非晶硅层的沉积时间逐渐增加；对所述硅片预制物的背光面进行磷掺杂，使所述非晶硅层转化为N+多晶硅层；在经过磷掺杂的硅片预制物的迎光面依次设置正面减反层及正面电极，在背面光依次设置背面减反层及背面电极。
一种浓度梯度分布 topcon 电池及其制作方法

[实用新型]一种N型PERC晶体硅太阳能电池-CN201420527210.1有效
发明人：夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池，以电阻率为0.5-12ohm•cm的N型硅片作为基体，为依次叠层的正面银铝电极、减反膜、硼扩散层、N型硅基体、氧化铝钝化膜和蒸镀铝层结构，所述减反膜由氧化铝和氮化硅叠层形成，所述氧化铝钝化膜上设有点阵或者线阵形图形，所述蒸镀铝层透过氧化铝钝化膜上的图形与N型硅基体局域接触。
一种 perc 晶体太阳能电池

[发明专利]晶硅电池多层减反膜及其制造方法-CN201611087644.4在审
发明人：庞倩桃 -专利权人：庞倩桃
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅电池多层减反膜，所述的减反膜沉积于晶硅电池N型面，所述的减反膜由下而上依次包括：氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜、第四氮化硅膜以及二氧化锆阻挡层，其中氧化硅膜的厚度为第二氮化硅膜的厚度为18‑25nm，折射率为2.15‑2.24，第三氮化硅膜的厚度为35‑55nm，折射率为2.05‑2.14，第四氮化硅膜的厚度为15‑30nm，折射率为1.95‑2.04，二氧化锆阻挡层的厚度为该晶硅电池多层减反膜具有短波响应快、反射率低以及光透性好等优点。
电池多层减反膜及其制造方法

[实用新型]具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及组件和系统-CN202221671861.9有效
发明人：丁东;刘荣林;杜哲仁;全成;马丽敏;陈嘉;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：该钝化接触太阳电池，包括晶硅衬底，晶硅衬底的背面依次叠设有背面隧穿氧化层、背面磷掺杂多晶硅层和钝化层，背面磷掺杂多晶硅层接触有背面金属电极；晶硅衬底的正面依次叠设有硼掺杂发射极、正面隧穿氧化层和钝化减反层，正面隧穿氧化层与钝化减反层之间交替布置有硼掺杂的重掺杂多晶硅层和末态轻掺杂多晶硅层，重掺杂多晶硅层接触有正面金属电极；末态轻掺杂多晶硅层与重掺杂多晶硅层的厚度之比为0.05～0.3：1。该钝化接触太阳电池既能保证其优越钝化特性，又不会出现明显的寄生光吸收损耗，使接触电阻最优化，避免了晶硅衬底损伤。
具有选择性发射极钝化接触太阳电池组件系统

[发明专利]用于晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜及其制备方法-CN201010272066.8无效
发明人：李翔;黄建华;刘锋;陈宁;吴春健 -专利权人：江苏林洋新能源有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜，用于提高太阳能电池封装后组件的效率。所述复合膜由二层膜构成，一层含氢氮化硅层(2)，第二层为二氧化钛层(3)。其中含氢氮化硅层(2)直接沉积在晶体硅电池的朝向阳光的表面上，起到对电池的钝化作用。所述的二氧化钛层(3)则沉积在含氢氮化硅层(2)的表面上，起到减少入射光的反射的作用。本发明的减反钝化膜的制备方法为先在晶体硅太阳能电池(1)的表面上用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积含氢氮化硅层(2)，然后在含氢氮化硅层(2)上用热喷涂工艺沉积二氧化钛层(3)，也可以用常压化学气相沉积(APCVD)方法沉积二氧化钛层(3)。此减反钝化复合膜的制作工艺简单，易于在工业化生产中实现。
用于晶体太阳能电池钝化复合及其制备方法

[发明专利]一种P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法-CN202110157848.5在审
发明人：张小明;盛健;林纲正;洪垒;杨新强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，包括：选取P型单晶硅片；在硅片背面通过选择性沉积先后制备图形化的隧穿钝化层和n型多晶硅掺杂层，形成具有叉指状排布的n型多晶硅掺杂层和P型基体硅层的电池片，该P型基体硅层即为硅片背面未被隧穿钝化层和P型多晶硅掺杂层覆盖的区域；在背面上先后沉积第一钝化膜层和第一减反膜层；在正面上制作绒面；在绒面上先后沉积第二钝化膜层和第二减反膜层；在背面上对应于P型基体硅层的位置制备正电极，在对应于n型多晶硅掺杂层的位置上制备负电极。
一种型单晶钝化接触 ibc 太阳能电池制备方法

[发明专利]正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法-CN202211671925.X在审
发明人：刘兆彬;黄辉巍 -专利权人：常州顺风太阳能科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法，其包括硅基体，在硅基体背面依次形成隧穿氧化层、poly Si层和减反层，在硅基体的正面依次形成有发射极层、二氧化硅空心微球层、氧化铝钝化层和减反层。对于正面二氧化硅微球层制备包括如下步骤：制备二氧化硅微球；镀二氧化硅微球层；去除模板剂。
正面太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构-CN201220428722.3有效
发明人：吴敏;韩健鹏;陈金灯;吕绍杰 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构，其目的在于解决现有太阳能晶硅电池的背面使用激光开窗时易于造成的硅片损伤以及由于直线开窗的宽度窄与铝粉颗粒大小难以匹配的问题。本实用新型包括P型硅基体，所述P型硅基体前表面上有磷扩散层，磷扩散层上覆盖有氮化硅减反膜，氮化硅减反膜上丝网印刷有正面银电极，所述P型硅基体背面上设有钝化层，所述钝化层上设有点状开窗结构，点状开窗结构穿透钝化层，钝化层上丝网印刷有背面铝电极，背面铝电极在点状开窗结构处与P型硅基体接触。本实用新型在使用激光开窗时不会损伤硅片，与导电铝浆中铝粉颗粒匹配度好，印刷烧结时铝粉颗粒与硅片接触良好，提高了太阳能晶硅电池的电性能。
一种太阳能电池背面开窗结构

[发明专利]一种板式设备制备钝化接触太阳能电池的方法及装置-CN202010916495.8在审
发明人：杜哲仁;陆俊宇;陈嘉;季根华 -专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种板式设备制备钝化接触结构太阳能电池的方法，包括如下步骤：S1.选取晶体硅基体；S2.在板式一体式连续镀膜设备中，晶体硅基体首先进入ALD工艺腔沉积隧穿氧化层，之后进入PECVD工艺腔连续沉积掺杂非晶硅层；S3.将晶体硅基体退火形成掺杂多晶硅层；S4.在掺杂多晶硅层表面制备氮化硅减反层，并在另一面制备氧化铝钝化层及氮化硅减反层；S5.在晶体硅基体正反两面通过丝网印刷的方式制备金属导电电极。本发明采用板式传输，可在一套设备中连续制备隧穿氧化层及掺杂非晶硅层，减少工序；且ALD及PECVD工艺温度低，可减少硅片弯曲带来的不良；PECVD工艺无绕镀，减少后期清洗步骤，并可实现原位掺杂以减少后续单独的磷掺杂工序
一种板式设备制备钝化接触太阳能电池方法装置