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[发明专利]一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法-CN202011090280.1有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春;王书昶;郝明辉;张德宝 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
一种具备微结构三层氮化硅减反层及其制备方法

[发明专利]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池-CN201810713687.1在审
发明人：杨振英;卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;王旭辉 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
本征非晶硅背面背接触钝化层异质结光电转换效率绝缘隔离层基体正面减反层接触层沉积掺杂

[实用新型]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池-CN201821040332.2有效
发明人：卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;杨振英;王旭辉 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N⁺层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层本实用新型的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
本征非晶硅背面背接触钝化层异质结本实用新型光电转换效率绝缘隔离层基体正面减反层接触层沉积掺杂

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202210588685.0在审
发明人：宋辉 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置；该显示面板包括发光功能层、滤光功能层和减反功能层，发光功能层包括多个发光单元，滤光功能层设置在发光功能层的上方，滤光功能层包括多个滤光图案和设置在多个滤光图案之间的遮光图案，至少一滤光图案与对应的发光单元重叠，减反功能层包括至少一层减反层，设置在滤光功能层的上方，至少一层减反层至少覆盖遮光图案。本发明实施例通过在滤光功能层上设置减反功能层，使反射光出射方向发生偏转，实现抑制光的干涉现象，从而改善显示面板的POL‑less技术存在的色分离现象。
显示面板及其制作方法显示装置

[实用新型]一种具有耐弯折及减反射功能的保护膜-CN202222513350.0有效
发明人：李廷钢;马培婷 -专利权人：安徽胜利精密制造科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有耐弯折及减反射功能的保护膜，包括塑料基膜、及设置在所述塑料基膜厚度方向一侧且由内而外布置的柔性HC处理层、减反层，塑料基膜另一侧为胶黏层，离型膜贴在胶黏层上。本实用新型的柔性HC处理层可有效提升耐弯折性；溅射减反层具有较高的耐磨性、均匀性等，涂布减反射层具有耐弯折性优异特性，将溅射减反层和涂布减反层相结合，可同时将二者的优势结合，更有效提升产品的耐弯折性。
一种具有耐弯折反射功能保护膜

[发明专利]晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系-CN202011101538.3有效
发明人：惠浩浩;雷向阳;杨伟;邓雪然;王天宇;张帅;苏文虎;马红菊;张剑锋;张利平;张清华 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：晶体涂膜元件包括：晶体基底；覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO2的混合物；以及覆盖于所述匹配膜的减反膜，所述减反膜的材料包括SiO2；聚甲基硅氧烷与SiO2混合后固化形成匹配膜，聚甲基硅氧烷成膜时附着在晶体表面，其有机链状柔性结构有助于抑制晶体热膨胀造成的膜裂效应；SiO2颗粒的引入可提高匹配膜的力学性能和热稳定性；使得到的匹配膜的热膨胀系数介于晶体基底与减反膜之间，形成物化性质较佳的匹配膜，改善减反膜易龟裂的问题。
晶体元件及其制备方法

[实用新型]一体黑镀膜盖板-CN201921476797.7有效
发明人：刘君钧;林浩 -专利权人：苏州胜利精密制造科技股份有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一体黑镀膜盖板，包括透明基板(1)、及设置在所述透明基板(1)外表面的减反吸收层，所述减反吸收层包括至少一层低折射率膜层、至少一层高折射率膜层、及至少一层金属Ti吸收膜层，所述金属Ti吸收膜层设置在所述减反吸收层的底层或中间层，所述减反吸收层的表层为低折射率膜层，所述减反吸收层位于表层下方的第二层为高折射率膜层。
一体镀膜盖板

[发明专利]硅表面微/纳米减反射结构的制备方法及应用-CN201410548604.X有效
发明人：郭守武;王艳梅;吴海霞 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池应用技术领域的硅表面微/纳米减反射结构的制备方法及应用，通过具有微/纳米图形的PDMS印章将硅烷偶联剂压印在硅片表面，进而在硅片表面形成具有对应微/纳米图形的引发剂膜层，然后通过表面引发原子转移自由基聚合生长高分子使其形成具有微/纳米结构的高分子薄膜，最后经刻蚀并清除残余的高分子薄膜后，在硅表面得到微/纳米陷光结构。采用本发明制备的微结构膜层作为太阳能电池减反层可有效降低宽谱宽角范围内表面反射率，为提高硅基太阳能电池性能提供新技术。
表面纳米反射结构制备方法应用

[发明专利]一种超宽频太赫兹波减反构件及超宽频太赫兹波吸收器-CN201510794305.9有效
发明人：蔡斌;张君;徐公杰;朱亦鸣;田甜;展鹏;叶天明 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种超宽频太赫兹波减反机构及超宽频太赫兹波吸收器，依据折射率渐变增透原理，将多层折射率顺序变化的复合材料层依次重叠组成减反机构，然后将其旋涂于低阻硅上。这一器件可以工作在太赫兹全频段(0.1～30THz)，大大的拓宽了之前的利用电磁超材料结构的周期排列的太赫兹吸收器的工作频宽；同时，由于减反机构可以在折射率为1.2～3.5的范围内任意调节，能够极大降低太赫兹波辐射的反射
一种宽频赫兹波减反构件吸收

[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法-CN202010002902.4在审
发明人：郭瑶;杨洁;张昕宇;郑霈霆;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，通过对P型硅片进行正面制绒；在经过制绒的P型硅片正面设置氧化硅层；在所述氧化硅层表面设置重掺多晶硅层；去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层，得到太阳能电池前置物；在所述太阳能电池前置物的正面进行轻掺磷扩散，得到轻掺磷扩散层；对所述太阳能电池前置物进行背面刻蚀，并设置背面钝化层及正面减反层；在设置完所述背面钝化层及所述正面减反层的所述太阳能电池前置物表面设置电极
一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法

[发明专利]室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法-CN202110272478.X在审
发明人：吴锂;孙剑;陆明;胡斐;戴希远 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-03-13 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体为一种室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及制备方法。本发明的红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、正面黑硅层、硅衬底、背面黑硅层、金属层、N型硅（或P型硅）薄膜、背面电极。本发明利用黑硅在紫外‑近红外波段的减反特性提高探测器近红外光的吸收；利用金属分别与硅衬底（或背面黑硅层）以及N型硅（或P型硅）薄膜形成的肖特基结吸收近红外光并产生光生载流子，并且利用硅衬底（或背面黑硅层）与N型硅（或P型硅）薄膜接触形成的PN结的结区，实现光伏效应的探测，在零偏压下探测近红外光。
室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法

[实用新型]一种车载触摸显示屏的高阻膜-CN202221795727.X有效
发明人：王国昌;张晓岚;谢丑相;籍龙占 -专利权人：杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车载触摸显示屏的高阻膜，涉及触控高阻膜技术领域，包括顺次排布的高阻层、缓冲层和减反层，所述高阻层、所述缓冲层和所述减反层均采用真空磁控溅射工艺沉积，所述高阻层的材料为ATO材料，所述缓冲层的材料为氮氧化硅，所述减反层的材料为低折射率材料。本实用新型具有较高的透过率和阻抗稳定性以及减反性能。
一种车载触摸显示屏高阻膜

[发明专利]一种彩膜基板及其制造方法、液晶面板-CN201711181323.5有效
发明人：陈黎暄;林旭林;杨流洋;贾沛 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：该彩膜基板包括：基板、设置在基板上的黑矩阵、以及设置在基板和黑矩阵之间的减反层；其中，减反层的折射率为1.6～2.0，减反层的厚度大于100纳米；或者，减反层的折射率为1.5～2.4，减反层的厚度小于60
一种彩膜基板及其制造方法液晶面板

[发明专利]一种背钝化太阳能电池及其制备方法-CN202010317202.4在审
发明人：马玉超;廖晖;何保杨;单伟;何胜;徐伟智 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了背钝化太阳能电池制备方法，包括获得太阳能电池的前驱体，前驱体包括由上至下依次层叠的隧穿层、发射极层、P型硅片；将前驱体置于链式或板式机台的炉腔，控制炉腔温度在170℃至190℃之间，并向炉腔内通入臭氧，在前驱体的下表面形成氧化硅层；在氧化硅层的下表面形成钝化层；在隧穿层的上表面形成第一减反层；在钝化层的下表面形成第二减反层，并对第二减反层进行开孔处理，得到处理后减反层；在第一减反层的上表面形成正面电极，并在处理后减反层的下表面形成背面电极。在制备氧化硅层时是用链式或板式热臭氧氧化法形成，有利于P型硅片的运输，且温度在170‑190℃之间，致密度提升，能耗降低。本申请还提供一种电池。
一种钝化太阳能电池及其制备方法

[发明专利]工艺简单的高转换效率的类TOPCon单晶硅电池结构-CN202110607781.0在审
发明人：宋太伟 -专利权人：上海日岳新能源有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明专利，工艺简单的高光电转换效率的类TOPCon单晶硅电池结构，是一种比TOPCon晶体硅电池工艺更简单更可靠且产线设备成本低很多的N型单晶硅光伏电池技术。该结构工艺更简单的N型单晶硅太阳能电池，主要由N型单晶硅、正面硼扩散层、正面超薄金属非金属钝化层、正面透明导电减反层和丝网印刷阳极栅层，背面超薄金属非金属钝化层、及背面重掺磷薄膜层、背面透明导电层和丝网印刷阴极栅极层等组成其中所有镀膜层以低成本的更环保的磁控溅射等物理镀膜工艺为主。本发明的结构工艺更简单的N型单晶硅太阳能电池，量产效率≥24%—24.5%。
工艺简单转换效率 topcon 单晶硅电池结构