“硅减反层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2951910个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN202111282898.2在审
发明人：钟观发;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括：硅基、位于所述硅基正面的非栅线区的正面钝化层、位于所述正面钝化层正面的正面减反层、位于所述硅基正面的栅线区的正面掺杂层、位于所述正面掺杂层正面的正面电极、位于所述硅基背面的隧穿层、位于所述隧穿层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的非栅线区的背面减反层、位于所述掺杂多晶硅层背面的栅线区的背面电极。相较于现有技术，本发明在硅基的正面先设置一层致密的化学钝化层，可有效减少表面悬空键和载流子复合现象；再设置一层电场钝化层，通过携带的负电荷实现场钝化，双重钝化效果更佳。
太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种MIS晶体硅太阳能电池-CN201520878065.6有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MIS晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极，Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置，所述隧穿层沉积在N+层上，所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：Al正电极取代传统昂贵的Ag正电极，Al正电极-隧穿层-N+层形成MIS结构，利用MIS隧穿效应，使得N+层硅收集的电子可以完全穿透绝缘的隧穿层和Al正电极接触，从而将电子导出；Al正电极因为有隧穿层的隔离，和N+层无直接接触，不会再次形成p-n结，不会影响电池的转换效率；本实用新型可以大大降低制造成本，提升转换效率。
一种 mis 晶体太阳能电池

[发明专利]一种用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜-CN201210200650.1有效
发明人：杨晓生;陈峰武 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜，为了解决目前太阳能电池领域减反膜减反效果差，减反光谱带窄的难题，所述用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜包括在硅基衬底太阳能电池PN结的迎光面发射极表面上依次沉积的多层光学减反钝化膜，多层膜的折射率由理论计算确定，膜层的厚度由光学薄膜设计软件TFCalc优化确定，所述多层光学减反钝化膜外设有EVA和玻璃；所述多层光学减反钝化膜中，各膜层折射率从基底材料向顶层材料递减，各膜层厚度由底层材料向顶层材料递增本发明设计的膜体系无论是材料的折射率，还是膜层的厚度都满足光学薄膜设计的最佳匹配要求，因此大大拓宽了传统减反膜的低反射带区间，提高了太阳能电池的光电转换效率。
一种用于太阳能电池光谱多层钝化

[实用新型]电池片结构及太阳能电池片和光伏组件-CN202121421159.2有效
发明人：戴燕华;沈柔泰;赵福祥;沈利娟 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池片结构及太阳能电池片和光伏组件，其中电池片结构由上至下依次包括正面主栅线、正面TCO导电层、正面钝化减反层、掺杂层、晶硅衬底、背面钝化层、背面TCO导电层以及背面主栅线，所述正面TCO导电层与正面钝化减反层之间相互嵌合，所述背面TCO导电层与背面钝化层之间相互嵌合。正面主栅线只与正面TCO导电层接触、不与正面钝化减反层、掺杂层或晶硅衬底接触，背面主栅线只与背面TCO导电层接触，不与背面钝化层或晶硅衬底接触。本实用新型的电池片结构通过透明导电薄膜材料(TCO导电层)来收集传输载流子，替代常规的副栅线，可以大大减少正面和背面栅线的遮光面积，增加光的利用率，减少载流子传输的串阻，提高太阳能电池的转换效率。
电池结构太阳能电池组件

[发明专利]Ga2-CN202310336735.0在审
发明人：胡继超;张子涵;贺小敏;孟佳琦;张奇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3/Si TOPCon光伏电池，包括n型硅片，n型硅片背面由近到远依次设置有隧穿层、n型多晶硅层、背电极；n型硅片正面由近到远依次设置有本征β‑Ga2O3层、钝化层、减反层；本征β‑Ga2O3层上还设置有一对顶电极，两个顶电极依次贯穿钝化层和减反层且伸出减反层外部。本发明解决了现有技术中存在的因正面的多晶硅层对入射可见光的吸收导致的光学损耗所引起的电池光电转换效率低的问题。
ga base sub

[发明专利]一种阻燃多晶硅太阳能电池板-CN201711190008.9在审
发明人：徐学兵 -专利权人：江苏明钰新能源有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提出一种阻燃多晶硅太阳能电池板，其特征在于，由上至下依次包括：防火玻璃层、减反膜、PVB粘结层、多晶硅太阳能电池片、PVB粘结层、背板、接线盒、框体；所述防火玻璃层采用铯钾防火玻璃；所述减反膜为三层减反膜；所述背板采用TPT太阳能背板；接线盒的内部设有光敏二极管；所述框体采用铝合金框体，其外贴敷一层防火金属布。
一种阻燃多晶太阳能电池板

[发明专利]一种设有新型金属电极的光伏电池及制备工艺、组件和系统-CN202110486499.1在审
发明人：沈承焕;陈程;陈嘉;季根华;杜哲仁;陆俊宇;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该设有新型金属电极的光伏电池，包括硅衬底、依次设于所述硅衬底表面的掺杂层和钝化减反膜，所述钝化减反膜的背面开设有局域裸露所述掺杂层的开膜区，所述开膜区设有背电极；所述背电极包括依次覆设于所述开膜区表面的局域种子金属层及廉金属层；所述局域种子金属层为Ti、TiN和TiW中的一种或多种组合；廉金属层在钝化减反膜上的投影面积总和与钝化减反膜的面积之比为1:2‑1:30。该光伏电池将成本低的金属材料，如廉金属层，完全替代价格高昂的Ag金属材料作为金属电极，进而在保障电池效率的前提下，能极大地降低电极成本。
一种设有新型金属电极电池制备工艺组件系统

[发明专利]一种钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201910779112.4在审
发明人：李宏伟;翁高登;马玉超;何胜;周盛永;徐伟智 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本申请公开了钝化接触太阳能电池，包括硅衬底；位于硅衬底的第一表面的隧穿层；位于隧穿层背离硅衬底的表面的本征多晶硅层；位于本征多晶硅层背离隧穿层的表面的掺杂多晶硅层；位于掺杂多晶硅层背离本征多晶硅层的表面的第一钝化层；位于第一钝化层背离掺杂多晶硅层的表面的第一电极；位于硅衬底的第二表面的扩散层；位于扩散层背离硅衬底的表面的第二钝化层；位于第二钝化层背离扩散层的表面的减反层；位于减反层背离第二钝化层的表面的第二电极。在隧穿层和掺杂多晶硅层之间设有本征多晶硅层，可以提高掺杂多晶硅层沉积速率，还可以减少杂质离子向硅衬底扩散，减少硅衬底复合，从而提高光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。
硅衬底掺杂多晶硅层背离钝化层本征多晶硅层隧穿层扩散层减反层光电转换效率太阳能电池第二表面第二电极第一表面第一电极杂质离子沉积钝化制备申请复合扩散

[发明专利]一种局域钝化接触结构电池及其制备方法-CN202110749345.7在审
发明人：潘皓 -专利权人：同翎新能源（扬州）有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域钝化接触结构电池及其制备方法,其技术方案要点是,包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正电极，所述N型硅基体正面覆盖有AlOx钝化层或SiNx减反层，所述正电极穿过AlOx钝化层或SiNx减反层与发射极接触，所述N型硅基体背面设置有负电极，在其所述N型硅基体的背面制备隧穿氧化层，其中，在N型硅基体与负电极接触区域不被刻蚀形成重掺杂的n++poly层，在非电极接触区域n++poly层被刻蚀减薄成轻掺杂的n+poly层。本发明通过在非金属区域轻掺杂，减少n+poly层寄生吸收效应，提高短路电流；在金属区域重掺杂，降低金属接触复合及接触电阻，提升开路电压及填充因子，进一步提高电池效率。
一种局域钝化接触结构电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法-CN202111396218.X在审
发明人：蒋秀林;陈斌;段光亮 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该太阳能电池的制备方法包括：在N型硅衬底的背面依次形成隧穿氧化硅层、N型掺杂多晶硅层和背面钝化减反膜；在背面钝化减反膜上开槽，在开槽区域形成镍金属层；在镍金属层上印刷背面细栅电极，在背面钝化减反膜上印刷背面主栅电极该制备方法可以在保证金属栅线与硅之间结合力的同时，避免浆料在使用过程中对较薄的多晶硅层的破坏，确保了钝化接触结构的钝化效果，降低了太阳能电池的制造成本，减少了寄生光吸收，提高了光的利用效率，提高了太阳能电池的效率
一种太阳能电池以及制备方法

[实用新型]一种背结晶硅电池-CN202120851856.5有效
发明人：张树德;刘玉申;况亚伟;赵保星;符欣;连维飞;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面电极以及空穴选择性接触层；其中，所述空穴选择性接触层层叠并覆盖于所述P型硅片的正面上，所述正面钝化减反层层叠于所述空穴选择性接触层上，所述正面电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述空穴选择性接触层接触。
一种结晶电池

[实用新型]一种高效背钝化的晶硅太阳能电池、组件及系统-CN202121977644.8有效
发明人：陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型适用太阳能电池技术领域，提供了一种高效背钝化的晶硅太阳能电池、太阳能电池组件及光伏系统，该高效背钝化的晶硅太阳能电池包括P型硅片，所述P型硅片的背光面由上至下依次设置有SiOx钝化层、SnOx减反钝化层、AlOx：H钝化层、SixNy：H减反钝化层、SiOx减反钝化层。本实用新型提供的高效背钝化的晶硅太阳能电池可以降低P型硅片背光面的复合速率，提高电池的短路电流密度和开路电压，从而提升电池的转换效率；且可以加强P型硅片对太阳能光长波的反射效果，有利于电池对太阳能光长波的利用
一种高效钝化太阳能电池组件系统

[发明专利]一种彩色光伏组件盖板玻璃及其制备方法-CN202110217658.8有效
发明人：夏申江;李刚;王伟健;刘小雨;黄海青;张宽翔;徐根保;程海波;许祥伟;张鑫根 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;凯盛光伏材料有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开一种彩色光伏组件盖板玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次层叠有致密减反膜、多孔减反膜与介质层；所述致密减反膜为致密硅氧化物或者为致密混合氧化物，致密混合氧化物为任意比例的SiO2与TiO2或者任意比例的SiO2与ZrO2；致密减反膜在550nm波长时的折射率为1.45～1.8；所述多孔减反膜为多孔硅氧化物，多孔减反膜在550nm波长时的折射率为1.45～1.55；所述介质层在550nm波长时的折射率为1.85～2.5；该盖板玻璃能够确保所制备的彩色光伏组件具有外观色彩能够自由选择和变换的优点
一种彩色组件盖板玻璃及其制备方法

[实用新型]一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池-CN201921960928.9有效
发明人：王璞;吴俊旻;谢毅;张鹏;王岚 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，涉及太阳电池技术领域，本实用新型包括n型硅衬底，n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层，n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层，磷源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层，本实用新型提高了n型双面太阳电池的背面电池的开路电压，降低串联电阻提高填充因子，在不降低正面效率的情况下，提高电池双面率
一种局部高低表面双面太阳电池

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池组件-CN201520714306.3有效
发明人：张春华;衡阳;郑旭然 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体硅太阳能电池组件，包括玻璃层、前层EVA胶膜、晶体硅电池片、后层EVA胶膜、光伏黑背板，所述晶体硅电池片的一表面与玻璃层通过前层EVA胶膜胶合，所述晶体硅电池片的另一表面与光伏黑背板通过后层EVA胶膜胶合，晶体硅电池片上的减反膜采用多层膜结构；所述晶体硅电池片上的减反膜的总厚度为58—65nm，总折射率为2.25—2.4。
一种晶体太阳能电池组件