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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器及其制造方法-CN202211132840.4在审
发明人：陈朝阳;黄志仁 -专利权人：志阳忆存股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器及其制造方法。存储器包括基板、存储器件阵列以及存储器件互连架构。存储器件阵列设置于基板上，且包括多个存储器件。每一存储器件包括相互电性连接的晶体管单元及存储单元。存储器件互连架构设置于基板上，并建立多个存储器件之间的电性连接。通过将多条源极线内埋在直接覆盖于基板上的介电层内，以缩减存储器件尺寸。多条源极线设置于基板上，并直接接触对应的晶体管单元的源极区。
存储器及其制造方法

[发明专利]使用纳米管开关的非易失性阴影锁存器-CN200680024940.8有效
发明人： C·L·伯廷;F·郭;T·鲁克斯;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德;M·斯特拉斯伯格;R·斯瓦拉贾;X·M·H·黄 -专利权人：南泰若股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元包括：易失性存储器件，响应于电刺激而存储对应逻辑状态；以及阴影存储器器件，耦合于易失性存储器件。阴影存储器器件响应于电刺激而接收和存储对应逻辑状态。阴影存储器器件包括存储阴影器件的对应状态的非易失性纳米管开关。
使用纳米开关非易失性阴影锁存器

[发明专利]全无机钙碳矿量子点CsPbBr3-CN201711198920.9有效
发明人：路建美;贺竞辉 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-11-26 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法，具有DRAM电存储性能，扩展了钙钛矿量子点在存储器件中的应用，对半导体器件有着良好的应用，制备成的三明治结构的电存储器件，成功实现了DRAM电存储行为，同时制备过程简单，器件稳定性好，具有重复性好、弯曲次数多的特点。本发明提供了柔性电存储器件一种新的设计思路，利用本发明技术方案制备的柔性电存储器件，成功实现了DRAM电存储行为。
无机钙碳矿量子 cspbbr base sub

[发明专利]存储器器件和形成存储器器件的方法-CN202110720940.8在审
发明人：林孟汉;张志宇;贾汉中;杨世海;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本文公开了存储器器件和形成存储器器件的方法。存储器器件包括：电阻存储器阵列，包括第一电阻存储器单元；阶梯接触结构，与电阻存储器阵列相邻；以及金属间介电层，位于阶梯接触结构上方。存储器器件还包括：第一二极管和第二二极管，位于金属间介电层上方。存储器器件还包括：第一导电通孔，将第一二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第一电阻器；以及第二导电通孔，将第二二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第二电阻器。
存储器器件形成方法

[发明专利]具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法-CN200410102344.X无效
发明人：金基喆;高光旭;裵金钟;金相秀;林宝丽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件的编程方法，其包括非易失性存储器件的预编程和已预编程的非易失性存储器件的主编程。非易失性存储器件可包括顺序叠置在半导体衬底上的隧道介电层、电荷存储层、阻挡介电层和栅电极。电荷存储层可以是电浮置的导电层或具有陷阱点的介电层。通过在执行预编程之后执行主编程以增加非易失性存储器件的阈值电压，编程电流可以被有效地减少。
具有电荷存储非易失性存储器编程方法

[发明专利]存储器件、存储系统和使用BIST电路执行测试的方法-CN202211538445.6在审
发明人：朴哉垣;姜信行 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：提供一种存储器件、存储系统和使用BIST电路执行测试的方法。一种存储系统包括：多个存储器件，在所述多个存储器件中具有各自的存储单元阵列；总线，所述总线电耦接到所述多个存储器件并且由所述多个存储器件共享；以及存储器控制器。电耦接到所述总线的所述存储器控制器包括内置自测试(BIST)电路，所述BIST电路共同连接到所述多个存储器件。所述BIST电路被配置为经由所述总线向所述多个存储器件传送包括测试模式的命令集，并且经由所述总线向所述多个存储器件传送用于驱动所述测试模式的命令触发信号。
存储器件存储系统使用 bist 电路执行测试方法

[发明专利]存储器及其制造方法-CN202211094072.8在审
发明人：陈朝阳;黄志仁 -专利权人：志阳忆存股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器及其制造方法。存储器包括基板以及设置于基板上的存储器件阵列以及存储器件互连架构。存储器件阵列中的每一存储器件包括相互电性连接的晶体管单元及存储单元。存储器件互连架构建立多个存储器件之间的电性连接，且包括介电层及多个漏极导电结构。至少一漏极导电柱包括相互连接且内埋于所述介电层内的第一接触部以及第二接触部，且第一接触部的其中一侧表面相对于所述第二接触部的侧表面在所述第一方向上内凹，而形成一阶梯结构。
存储器及其制造方法

[发明专利]铁电半导体器件和用于制造存储器单元的方法-CN201980062904.8在审
发明人：伯恩哈德·瓦格纳;西蒙·费特纳;法比安·洛芬克 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会;克里斯蒂安-阿尔伯特基尔大学
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电半导体器件，包括：存储器单元，该存储器单元具有铁电存储器层和设置在该铁电存储器层上的第一导电层；以及半导体器件，连接到存储器单元。存储器单元的铁电存储器层可以包括具有III族氮化物和非III族元素的混合晶体。
半导体器件用于制造存储器单元方法

[发明专利]存储器模块及操作存储器模块的方法-CN200610077697.8无效
发明人： L·德安布洛吉 -专利权人：英飞凌科技弗拉斯有限责任两合公司
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种存储器模块包含电耦合的非易失存储器件(2)和易失存储器件(1)。非易失存储器件(2)可用来永久地存储数据。易失存储器件(1)可用来装入存储在非易失存储器件(2)中的数据以便基于上述数据执行操作。
存储器模块操作方法

[发明专利]存储器件制造中的方法-CN200580048829.8无效
发明人： P·迪雷克勒夫;A·哈格斯特龙;H·G·古德森;P·－E·诺达尔;O·哈格尔 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：在基于驻极体或铁电材料的电可极化存储材料的存储器件的制造方法中，存储器件包括具有在印刷工艺中专门地或部分地提供的电路结构的一层或多层。至少一个保护夹层提供于存储器件中的至少两层之间，所述保护夹层对于该器件的其它层的沉积中采用的任何溶剂显示出低溶度以及低渗透性。在制造存储器件、尤其是无源矩阵可寻址存储器件中使用驻极体或铁电存储材料。
存储器件制造中的方法

[发明专利]一种芴基共轭聚合物及其电存储器件的制备方法-CN202010329454.9有效
发明人：汪成;张洪岩;王淑红;孙治尧;周奕伽 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种芴基共轭聚合物以及利用芴基共轭聚合物制备电存储器件。本发明中的芴基共轭聚合物降低了聚芴电存储器件的开启电压，具备优异的电存储性能，实现了高开关电流比，能够快速响应，存储密度大，可进行多次读写，性能优良。该芴基共轭聚合物合成方法简单，电存储器件制备工艺稳定，工艺操作简单、成本低、工作电压低，可实现具有三进制电存储性能的电存储器件的工业化生产。
一种共轭聚合物及其存储器件制备方法

[发明专利]非易失性存储器件以及操作非易失性存储器件的方法-CN201810769508.6有效
发明人：李相宪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件以及操作非易失性存储器件的方法。根据一个实施例的非易失性存储器件包括铁电存储元件和电阻式存储元件。铁电存储元件包括具有铁电栅电介质层的场效应晶体管。电阻式存储元件包括设置在第一存储器电极与第二存储器电极之间的阻变存储层。场效应晶体管的漏电极连接到第一存储器电极或第二存储器电极。
非易失性存储器以及操作方法

[发明专利]一种存储器件、存储器及其制作方法、电子设备和芯片-CN201911382949.1在审
发明人：殷华湘;张青竹;张兆浩 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器件、存储器及其制作方法、电子设备和芯片，涉及存储器技术领域，以延长存储器件数据保存时长，从而提高存储器件的存储能力。所述存储器件包括衬底以及形成在衬底上的负电容晶体管以及与负电容晶体管电连接的电容。所述存储器包括上述技术方案所提的存储器件。本发明提供的存储器件用于电子设备中。
一种存储器件存储器及其制作方法电子设备芯片

[发明专利]静态随机存储器的制造方法-CN201010593192.3有效
发明人：刘焕新;宋伟基 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种静态随机存储器的制造方法，所述静态随机存储器同时包含NMOS器件和PMOS器件，本发明通过在PMOS器件源/漏轻掺杂离子注入之后湿法清洗静态随机存储器中NMOS器件和PMOS器件的侧壁间隙壁，使得湿法清洗之后形成的NMOS器件源/漏轻掺杂区之间的距离减小，改善NMOS器件的电性，使之与静态随机存储器中PMOS器件电性相匹配，提高了所制造静态随机存储器的良品率。
静态随机存储器制造方法

[发明专利]一种咔唑基共轭聚合物及其电存储器件的制备方法-CN202010329462.3有效
发明人：王淑红;仲华;张洪岩;汪成;白菊;窦沣 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种咔唑基共轭聚合物及利用该咔唑基共轭聚合物为有机层制备的电存储器件，其具备优异的电存储性能。制备的电存储器件开启电压进一步降低，开关电流比高，存储密度大，能够快速响应，可进行多次循环读写，性能优良。该咔唑基共轭聚合物合成方法简单，电存储器件制备工艺稳定，操作简单，可实现工业化生产，本发明制备的电存储器件展现出三进制电存储性能，在信息存储领域中具有良好的应用前景。
一种咔唑基共轭聚合物及其存储器件制备方法

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