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[发明专利]用于访问阻变元件阵列中的阻变元件的装置和方法-CN201811198925.6有效
发明人：罗佳 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本发明公开了用于访问阻变元件阵列中的阻变元件以确定阻变元件的阻态的装置和方法。根据本发明的一些方面，所述装置和方法通过各种操作访问阻变元件阵列中的阻变元件。根据本发明的一些方面，所述装置和方法提供针对特定操作定制的电流量。根据本发明的一些方面，所述装置和方法通过调整针对特定操作定制的电流量来补偿阻变元件阵列的电路状态。
用于访问元件阵列中的装置方法

[发明专利]具有基于碳纳米管的存储器的支持光学的服务器-CN202180033999.8在审
发明人：理查德·达雷尔·瑞吉利 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2021-03-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：实施例旨在设计基于使用基于碳纳米管的非易失性存储器并消除硬盘驱动器和/或固态驱动器的支持光学服务器。所公开的支持光学的服务器包含多个刀片服务器，这些刀片服务器通过高速光学互连而不是基于铜的互连彼此连接。在一些实施例中，高速光学互连包括通过将包括在输入/输出互连模块内的电气夹层连接器与位于刀片服务器主板上的相应夹层插槽相匹配而生成的光学接口，以便光学接口提供光学路径，该光学路径用于转发使用多个波长的光(在多个刀片服务器和一个或多个外部设备之间)生成的光学信号。在一些实施例中，所公开的设计有利地提供了相比于一个常规光学刀锋服务器的100倍的速度优势，并相比于相同大小的标准DDR4同步动态随机存取存储器(SDRAM)存储器节省了3倍的能量。
具有基于纳米存储器支持光学服务器

[发明专利]用于阻变元件阵列的DDR兼容的存储器电路架构-CN201610606930.0有效
发明人： C·L·伯丁;G·罗森戴尔 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本公开是一种用于阻变元件阵列的高速存储器电路架构。阻变元件阵列分为行和列，每列由一根字线服务，每行由两根位线服务。阻变元件的每行包括一对基准元件和感测放大器。在该阵列中使用的阻变元件中，该基准元件为具有对应于SET条件的电阻和对应于RESET条件的电阻之间的电阻值的电阻组件。高速READ操作通过下列步骤执行：将行的一位线通过字线选择的阻变元件放电，并且同时将行的另一位线通过基准元件放电，并使用行的感测放大器比较两条线上放电的速率。存储状态数据以高速同步的数据脉冲传送到输出数据总线。高速数据从外部同步的数据总线接收，并通过在存储器阵列配置中的阻变元件内的编程操作存储。
用于元件阵列 ddr 兼容存储器电路架构

[发明专利]用于读取和编程1-R阻变元件阵列的方法-CN201610210929.6有效
发明人： C·L·伯廷;L·克利夫兰 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的方法，具体地为一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的一个或多个阻变元件的方法。该方法包括利用测量和存储元件测量阵列中一个或多个所选择的单元的电气响应，然后比较存储的电气响应与阵列中的参考元件的电气响应，以确定一个或多个所选择的单元的电阻状态。该方法包括编程方法，其中可选择的电流限制元件用于分别允许或禁止编程电流流过所选择的和未选择的元件。该方法进一步包括编程方法，其使用阵列线的特定偏置以提供仅通过所选择的单元的足够的编程电流。
用于读取编程元件阵列方法

[发明专利]用于对电阻变化元件阵列进行动态访问和编程的方法-CN201580053525.4有效
发明人： D·维维安尼 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：公开了用于对电阻变化元件阵列内的一个或多个电阻变化元件进行动态编程和动态读取的方法。这些方法包括：首先同时对电阻变化元件阵列内的所有阵列线进行预先充电，并且然后将某些阵列线接地，同时允许其他阵列线浮动从而引导放电电流仅通过所选单元。以这种方式，可以对由1‑R单元——即不具有原位选择电路的单元——组成的电阻变化元件阵列内的电阻变化元件进行可靠且快速的访问和编程。
用于电阻变化元件阵列进行动态访问编程方法

[发明专利]用于在网络、织物和膜中对纳米元件进行排列的方法-CN201180026712.5无效
发明人： D·A·罗伯茨;林浩钰;T·R·本特森;T·鲁克斯;K·鲁滨逊;H·M·曼宁;R·森;M·蒙泰罗 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：揭示了一种在纳米管织物层中对纳米管元件进行排列的方法。对纳米管织物层施加定向力使得织物层成为纳米管元件的有序网络。也就是说，纳米管元件网络沿其侧壁拉在一起，并且朝向是基本一致的方向。在一些实施方式中，通过使得圆柱形元件在织物层上滚动来施加该定向力。在其他实施方式中，通过使得摩擦材料经过纳米管织物层的表面来施加该定向力。在其他实施方式中，通过使得抛光材料在纳米管织物层上移动预定的时间来施加该定向力。还揭示了示例性的滚动、摩擦以及抛光设备。
用于网络织物纳米元件进行排列方法

[发明专利]用于控制纳米管织物层和膜中的密度、孔隙率和/或间隙大小的方法-CN201180018569.5有效
发明人： R·森;T·科凯博;谷丰 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C08F2/08 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于控制纳米管织物层中密度、孔隙率和/或间隙尺寸的方法。在一个方面，这可以通过控制纳米管织物中的成排度来实现。在一个方面，该方法包括调整分散在纳米管施涂溶液中的独立纳米管元件的浓度。高浓度的独立纳米管元件会倾向于促进使用该纳米管施涂溶液形成的纳米管织物层中的成排，而较低浓度会倾向于抑制成排。在另一个方面，该方法包括调整分散在纳米管施涂溶液中的离子颗粒的浓度。低浓度的离子颗粒会倾向于促进使用该纳米管施涂溶液形成的纳米管织物层中的成排，而较高浓度会倾向于抑制成排。在其他方面，对两个浓度参数都进行了调整。
用于控制纳米织物中的密度孔隙率间隙大小方法

[发明专利]使用具有可重新编程电阻的纳米管制品的存储器阵列-CN201110096051.5有效
发明人： C·L·伯廷;F·郭;T·鲁克斯;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德;M·斯特拉斯伯格;R·斯瓦拉贾;X·M·H·黄 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
使用具有重新编程电阻纳米制品存储器阵列

[发明专利]双端纳米管器件和系统及其制作方法-CN201110051659.6有效
发明人： F·郭;M·梅恩霍德;S·L·孔瑟科;T·鲁克斯;X·M·H·黄;R·斯瓦拉贾;M·斯特拉斯伯格;C·L·伯廷 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述制品具有至少一个纳米管，并且与第一和第二端子的每个的至少一部分重叠。该器件还包括与第一和第二端子中至少一个电连通的刺激电路。该电流能够向第一和第二端子中至少一个施加第一和第二电刺激以将第一和第二端子之间的器件相对电阻在相对较高电阻与相对较低电阻之间变化。第一和第二端子之间的相对较高电阻对应于该器件的第一状态，第一和第二端子之间的相对较低电阻对应于该器件的第二状态。
纳米器件系统及其制作方法

[发明专利]具有多个控件的基于纳米管的开关元件及由其制成的电路-CN200910126405.9无效
发明人： C·L·伯丁;T·吕克斯;B·M·塞加尔 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2004-08-12 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。
具有控件基于纳米开关元件制成电路

[发明专利]非易失性纳米管二极管和非易失性纳米管区块与使用其的系统及其制造方法-CN200780037370.0有效
发明人： C·L·伯廷;T·鲁克斯;X·M·H·黄;R·斯瓦拉贾;E·G·根丘;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：在本发明的一方面，非易失性纳米管二极管器件包括：第一端子及第二端子；半导体元件，包括阴极及阳极，且能响应于施加至该第一导电端子的电刺激，在该阴极与阳极之间形成导电路径；以及纳米管开关元件，包括与该半导体元件电连通的纳米管结构制品，该纳米管结构制品设在该半导体元件与该第二端子之间，且能在该半导体元件与该第二端子之间形成导电路径，其中施加在该第一及第二端子上的电刺激造成多个逻辑状态。
非易失性纳米二极管区块使用系统及其制造方法

[发明专利]使用非易失性纳米管块的存储元件和交叉点开关及其阵列-CN200780035300.1有效
发明人： C·L·伯廷;X·M·H·黄;T·鲁克斯;R·斯瓦拉贾 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B28B1/00 文献下载
摘要：在一方面下，包覆纳米管开关包括：(a)包括未对齐的多个纳米管的纳米管元件，该纳米管元件具有顶面、底面及侧面；(b)与该纳米管元件接触的第一及第二导电端子，其中该第一端子置于且实质上覆盖该纳米管元件的整个顶面，且其中该第二端子至少接触该纳米管元件的底面的一部分；及(c)控制电路可向该第一及第二端子施加电刺激。响应于该控制电路向该第一及第二端子施加相应的多个电刺激，该纳米管元件可在多个电子状态之间切换。对每一不同的电子状态而言，该纳米管元件提供该第一及第二端子之间的具有不同电阻的电气路径。
使用非易失性纳米存储元件交叉点开关及其阵列

[发明专利]具有可缩放双端子纳米管开关的非易失性阻性存储器、闩锁电路和工作电路-CN200780035884.2有效
发明人： C·L·伯廷;T·鲁克斯;J·W·沃德;F·郭;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：提供了一种非易失性阻性存储器。该存储器包括至少一个非易失性存储单元和选择电路。每个存储单元都具有一双端子纳米管开关器件，其具有设置于导电端子之间且与导电端子电连接的纳米管结构制品。选择电路可用于选择该双端子纳米管开关器件进行读写操作。写入控制电路响应于控制信号向所选定存储单元供应写入信号以感生纳米管结构制品的电阻中的变化，该电阻对应于存储单元的信息状态。与选定存储单元连接的电阻读出电路读出纳米管结构制品的电阻并向写入控制电路提供控制信号。读取电路读取存储单元的相应信息状态。还提供了与多个非易失性寄存器堆一起使用的非易失性闩锁电路和非易失性寄存器堆配置电路。
具有缩放端子纳米开关非易失性阻性存储器电路工作

[发明专利]含有垂直排列的纳米织物制品的器件及其制备方法-CN200810186322.4无效
发明人： V·C·贾帕卡斯;J·W·沃德;T·吕克斯;B·M·塞加尔 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2004-02-12 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：介绍了采用垂直排列纳米织物制品的机电开关和存储单元及其制备方法。机电器件具有包含主水平表面和在其中形成的沟道的结构。导电迹线位于沟道中；纳米管制品垂直悬置在沟道中，与沟道的垂直壁相隔。制品可发生机电偏向，水平朝向导电迹线。在某些实施方式中，纳米管制品的垂直悬置程度由薄膜工艺决定。在某些实施方式中，纳米管制品夹住时，纳米管制品的某些纳米管之间的多孔空间中有导电材料。在某些实施方式中，纳米管制品由多孔纳米织物形成。在某些实施方式中，纳米管制品可发生机电偏向，与导电迹线接触，所述接触为易失性态或非易失性态，取决于器件结构。在某些实施方式中，垂直取向器件可形成不同形式的三迹线器件。在某些实施方式中，沟道可用于多个独立的器件，或者用于共用一个电极的器件。
含有垂直排列纳米织物制品器件及其制备方法

[发明专利]使用纳米管开关的非易失性阴影锁存器-CN200680024940.8有效
发明人： C·L·伯廷;F·郭;T·鲁克斯;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德;M·斯特拉斯伯格;R·斯瓦拉贾;X·M·H·黄 -专利权人： 南泰若股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元包括：易失性存储器件，响应于电刺激而存储对应逻辑状态；以及阴影存储器器件，耦合于易失性存储器件。阴影存储器器件响应于电刺激而接收和存储对应逻辑状态。阴影存储器器件包括存储阴影器件的对应状态的非易失性纳米管开关。
使用纳米开关非易失性阴影锁存器

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