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[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置-CN201780046395.0在审
发明人：坂东雅史;茂木英昭;八木岩;平田晋太郎;山口哲司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像元件，其包括：由电子输运材料、有机色素材料和空穴输运材料混合形成的有机光电转换层13。所述电子输运材料具有比所述有机色素材料的电子迁移率更高的电子迁移率。所述空穴输运材料具有比所述有机色素材料的空穴迁移率更高的空穴迁移率。所述电子输运材料和所述有机色素材料的电子亲和力的值之间的关系、所述空穴输运材料和所述有机色素材料的电离势的值之间的关系、以及所述电子输运材料的电子亲和力的值与所述空穴输运材料的电离势的值之间的关系都具有预定的关系
有机色素材料电子输运材料空穴输运材料摄像元件电子迁移率电子亲和力空穴迁移率电离势有机光电转换层固态摄像装置层叠型

[发明专利]发光器件-CN02104565.8有效
发明人：濑尾哲史;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-02-08 - 公布日： 2002-09-18 - 主分类号： H05B33/00 文献下载
摘要：提供了一种寿命长功耗小的发光器件和电子设备。由空穴输运材料组成的空穴输运区、由电子输运材料组成的电子输运区、以及空穴输运材料和电子输运材料二者以固定比率在其中混合的混合区,被形成在有机化合物膜中。具有浓度梯度的区域被形成在混合区与载流子输运区之间,直至达到固定的比率。此外,借助于将发光材料掺杂到混合区中,在存在于常规叠层结构的各个层之间的所有界面被清除的情况下,能够分别表明空穴输运功能、电子输运功能、以及发光功能。从而能够提供功耗小而寿命长的有机发光元件。并能够用此有机发光元件制造发光器件和电子设备。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN200610101907.2有效
发明人：濑尾哲史;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：通过应用包括空穴注入材料811和空穴输运材料812的空穴输运混合层，包括空穴输运材料812和电子输运材料813的双极特性混合层，或包括电子输运材料813和电子注入材料814的电子输运混合层，以及进一步，
发光器件

[发明专利]发光器件-CN200610059597.2有效
发明人：濑尾哲史;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：通过应用包括空穴注入材料811和空穴输运材料812的空穴输运混合层，包括空穴输运材料812和电子输运材料813的双极特性混合层，或包括电子输运材料813和电子注入材料814的电子输运混合层，以及进一步，
发光器件

[发明专利]发光器件-CN200410063290.0有效
发明人：濑尾哲史;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H05B33/20 文献下载
摘要：通过应用包括空穴注入材料811和空穴输运材料812的空穴输运混合层，包括空穴输运材料812和电子输运材料813的双极特性混合层，或包括电子输运材料813和电子注入材料814的电子输运混合层，以及进一步，
发光器件

[发明专利]基于硼或铝的螺环化合物及其在电子领域的应用-CN01821258.1有效
发明人：菲利普·施特塞尔;胡贝特·施普赖策;海因里希·贝克尔;杰奎琳·德罗特 -专利权人：科文有机半导体有限公司
申请日： 2001-12-20 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： C07F5/06 文献下载
摘要：本发明涉及取代的硼或铝螺环化合物及其在电子工业的应用。本发明化合物作为电子输运材料、空穴阻断材料和/或作为主体材料用在有机电致发光和/或磷光装置中，作为电子输运材料用在影印机中，作为电子受体或电子输运材料用在太阳能电池中，作为电荷输运材料用在有机IC(电路
基于环化及其电子领域应用

[发明专利]一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法-CN202210886062.1有效
发明人：周学华;白国梁;王春花;何文祥;耿同谋;汪谢;武琳 -专利权人：安庆师范大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法，通过设计一种新型的热电子晶体管，通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化赋予热电子晶体管超高的载流子能量调节能力，通过实时监控分子电子器件中载流子的输运情况测得/base:Sub>‑VEB曲线，从IC‑hot‑VEB曲线读出分子半导体材料的HOMO能级和LUMO能级，通过二者之间的差值进而计算得出分子半导体的本征电学输运带隙的数值。即使不同分子半导体材料之间的带隙极小，也可以由热电子晶体管准确地分辨开来，提高了测量分子半导体材料电学输运带隙的精确度。
一种检测分子半导体材料电学输运方法

[发明专利]一种大尺寸柔性平板显示器的面板及其制备方法-CN201210581163.4无效
发明人：任乃飞;孙兵;吴迪富;任旭东;陈明阳;葛小兵;刘丹 -专利权人：江苏宇迪光学股份有限公司;江苏大学
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明由一层平坦的金属基片、一层阳极电极、一层空穴输运层、一层发光层、一层电子输运层和一层阴极电极共六层依次叠加而成。提供一个平坦的金属基片，所述阳极电极和阴极电极为石墨烯，利用石墨烯优异的电性能，形成面板的阳极电极和阴极电极，取代了ITO材料，并在阳极电极上依次形成空穴输运层、发光层以及电子输运层，最终在电子输运层上形成由石墨烯薄膜制备成的阴极电极
一种尺寸柔性平板显示器面板及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化锌作为电子输运层的铟镓氮薄膜太阳能电池-CN201610825328.6在审
发明人：刘诗涛;王立 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种基于氧化锌作为电子输运层的铟镓氮薄膜太阳能电池，其结构包括：衬底，形成在衬底上依次形成的电子传输层、光吸收层、空穴传输层，以及两端的正负电极。其特征在于：所述的电子传输层为ZnO层，光吸收层为InxGa1‑xN层，空穴传输层为InyGa1‑yN层。本发明能更加有利于吸收层产生的光生载流子输运到两端的电极上，从理论计算表明，能够将传统结构的电池3‑4%的转换效率，极大地增加到15%。而ZnO作为电子传输层大大减少了电子输运的势垒，并且ZnO材料的价格比GaN材料要低。
一种基于氧化锌作为电子输运铟镓氮薄膜太阳能电池

[发明专利]锂离子电池多级纳米孔道电极材料的制备方法-CN201010135635.4无效
发明人：张乃庆;柳志民;孙克宁;李伟;廖成龙;雷征宇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：锂离子电池多级纳米孔道电极材料的制备方法，它涉及一种孔道电极的制备方法。本发明解决了现有亚微米或微米结构的锂离子电池材料，反应活性区小，锂离子和电子的输运能力差的问题。、制备溶胶b；三、将溶胶a与溶胶b混合，得溶胶c；四、将聚苯乙烯胶体晶体模板放入溶胶c中，采用浸渍提拉法得到一层溶胶膜，然后培养、干燥、煅烧；或者将溶胶c培养、干燥、煅烧，即得离子电池多级纳米孔道电极材料本发明制备电极材料中孔径尺寸均一，有序度高，分布规整有序，增大了反应活性区的同时，也为锂离子和电子的输运提供了通道，从而提高了锂离子和电子的输运能力。
锂离子电池多级纳米孔道电极材料制备方法

[发明专利]电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法-CN200710115811.6无效
发明人：颜世申;陈延学;刘国磊;梅良模;田玉峰;乔瑞敏 -专利权人：山东大学
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。
输运性质调控氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种测量纳米尺度材料/结构中的电子输运性能的电极系统-CN201710273249.3有效
发明人：杨鹏;吴治涌;万艳芬;尹航;马谡 -专利权人：云南大学
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量纳米尺度材料/结构中的电子输运性能电极系统。从下到上依次包括：绝缘衬底材料SiO2/Si以及在SiO2上制备的具有精细结构的叉指电极阵列。当材料尺寸减小到纳米量级时，其电学性能发生了巨大的变化，传统的欧姆定律不再适用。为了更加详细地研究纳米尺度下通过材料的电荷运动规律，亟待发明出一种新型的测量纳米尺度材料及结构中电子输运性能的微纳电极系统。本发明主要利用复式嵌套的方式，在传统叉指电极上精确制备出可控的三角形金属电极，通过改变三角形电极的水平距离调控测试电极尖端之间的垂直距离，使测试距离精确控制在纳米尺度，再将纳米尺度的被测样品置于测试电极之间，测量其电子输运性能
一种测量纳米尺度材料结构中的电子输运性能电极系统

[发明专利]硼和铝化合物在电子组件中的应用-CN01821257.3有效
发明人：菲利普·施特塞尔;胡贝特·施普赖策;海因里希·贝克尔;杰奎琳·德罗特 -专利权人：科文有机半导体有限公司
申请日： 2001-12-20 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及硼和铝化合物在电子学中的应用，特别是作为电子输运材料、作为发射层主体材料和作为空穴阻断材料在磷光OLED中的应用，并且涉及在磷光OLED中由之制造的各层。
化合物电子组件中的应用

[发明专利]一种纳米复合热电材料的制备方法-CN201810478844.5在审
发明人：徐冬;张桂芳;朱华 -专利权人：徐冬
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米复合热电材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明制备了一种具有优秀的电子晶体‑声子玻璃的笼状结构的热电材料，通过在笼状七铝酸十二钙的笼状结构的空穴中填充稀土元素，优化载流子输运性能，构筑一种具有异质界面的低维纳米复合热电材料，并通过热变形引入的多尺度微结构，可以在较宽频率范围内散射声子，显著降低晶格热导率，并通过类施主效应和回复作用调节载流子浓度，同时优化了电输运性能和热输运性能，提高了热电优值，降低材料的晶格热导率，同时保持或提高其电输运性能，使得功率因子得以提高，从而可以有效地提高材料的热电性能，得到具有更高热电性能的纳米复合热电材料。
纳米复合热电材料制备电输运性能晶格热导率笼状结构热电材料声子载流子空穴七铝酸十二钙高热电性能载流子输运电子晶体功率因子热电性能施主效应稀土元素多尺度宽频率热变形微结构有效地散射低维笼状热电输运异质填充优化回复玻璃构筑引入

[发明专利]一种改进多片式外延材料厚度分布均匀性的氢化物气相沉积装置与方法-CN201310394554.X有效
发明人：刘南柳;张国义;吴洁君;李文辉;刘鹏;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进多片式外延材料厚度分布均匀性的氢化物气相沉积装置与方法，改善大面积多片式GaN薄膜材料生长均匀性的方法。该方法是通过改进系统的源气体输运管道系统，根据多片衬底基片的排列设计由金属前驱物气体输运管道、惰性稀释气体输运管道、氮化物前驱物输运管道组成的多套同心圆前驱物气体输运系统，使反应前驱物气体在衬底表面的总分布概率基本一致，从而调节多片衬底外延层薄膜的厚度均匀性，提高源材料的利用率。本发明工艺简单易于控制，一炉同时生长多片，可低成本大批量制备用于同质外延的GaN自支撑衬底，满足高光电性能的光/微电子器件的要求。
一种改进多片式外延材料厚度分布均匀氢化物沉积装置方法

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