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[发明专利]基于高维图像的图像标注方法和装置-CN201910280680.X在审
发明人：提纯利;叶璟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种基于高维图像的图像标注方法和装置。本申请实施例提供的方案中，获取高维图像以及高维图像的分析结果，将高维图像降维为低维图像之后对低维图像进行分析得到低维图像分析结果，再根据高维图像的分析结果和低维图像的分析结果对高维图像和经由高维图像降维得到的低维图像进行自动化清洗和标注本申请实施例利用高维图像的数据维度和信息量的优势，能够获取更为准确、置信度更高的分析结果，并根据高维图像分析结果提升低维图像的智能分析准确率，结合高维图像和低维图像的分析结果，提高自动标注图像的准确率。
基于图像标注方法装置

[发明专利]高温超导结构体-CN202080012672.8在审
发明人： P·布罗伊宁格-维迈;B·C·霍洛韦;V·Z·克莱森;S·A·沃夫;G·A·萨瓦兹基;C·海尔 -专利权人：深度科学有限责任公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L39/00 文献下载
摘要：超导体器件包括低维材料，该低维材料的临界温度高于对应于该低维材料的块体形式的临界温度。该低维材料可包括该低维材料的形状和结构的变体。该超导体器件可包括诸如纳米带、纳米管或螺旋结构的低维材料的各种构造排列。该超导体器件可包括连接到低维材料的诸如氢的官能团。该超导体器件可包括位于低维材料附近的金属簇。该超导体器件可包括单层、双层或多层的低维材料。
高温超导结构

[发明专利]包封和转移低维结构-CN200780037936.X有效
发明人：斯蒂芬·戴;托马斯·海因茨-海尔牧特·奥特贝莫;乔纳森·赫夫南 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包封低维结构的方法，所述方法包括在第一衬底上形成第一组(3a)低维结构(1)和第二组(3b)低维结构(1)。将第一组(3a)低维结构(1)和第二组(3b)低维结构(1)包封在基体(5)中，并且第一组(3a)低维结构(1)与第二组(3b)低维结构(1)被以分离方式包封。在包封后，第一组(3a)低维结构(1)可以与第二组(3b)低维结构(1)分离。然后每组可以例如通过转移到第二衬底(7)进行处理。当低维结构形成时，一组中的低维结构的数量和一组的纵横比被限定，并因此可以比使用图案形成技术限定组的传统方法更精确地进行控制。
转移结构

[发明专利]一种增强低维半导体光电性能的方法-CN202310456234.6在审
发明人：胡亮;刘福浩;程李源;杨秉璋;全清林 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于二维光电材料技术领域，涉及一种增强低维半导体光电性能的方法，包括以下步骤；二维磁性材料和低维半导体材料晶体的制取；薄层二维磁性材料和低维半导体材料的分离；薄层二维磁性材料和低维半导体材料光电异质结的构筑本发明利用二维磁性材料的自旋注入，通过低维半导体与磁性材料的影响，提高了低维半导体材料的光电性能，为提高低维半导体光电性能提供了一种新型简易的方法。
一种增强半导体光电性能方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010887089.3在审
发明人：郑兆钦;赵子昂;吕俊颉;江宏礼;陈自强;李连忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括：在隔离层上方形成第一低维层；在第一低维层上方形成第一绝缘体；在第一绝缘体上方形成第二低维层；在第二低维层上方形成第二绝缘体；并且将第一低维层、第一绝缘体、第二低维层、以及第二绝缘体图案化成凸出的鳍第一低维层、第一绝缘体、第二低维层、以及第二绝缘体的剩余部分分别形成第一低维带、第一绝缘体带、第二低维带、以及第二绝缘体带。然后基于凸出的鳍形成晶体管。本申请另一方面提供了一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种高维数据可视化聚类分析方法、电子设备及可读介质-CN202210479447.6在审
发明人：洪国强;肖龙源;李稀敏;叶志坚 -专利权人：厦门快商通科技股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本申请提供了一种高维数据可视化聚类分析方法、电子设备及可读介质，其中高维数据可视化聚类分析方法，包括以下步骤：获取测试数据集；提取测试数据集的高维向量，计算高维向量的联合分布概率；根据选择的降维数获得初始的低维向量，计算低维向量的联合分布概率；根据高维向量的联合分布概率和低维向量的联合分布概率，计算高维向量和低维向量交叉熵；根据交叉熵迭代更新低维向量，直至迭代达次数到预定的次数，或交叉熵收敛，终止迭代。根据更新得到的低维向量建立可视化视图。本申请实施例通过迭代更新获取最优的低维向量，能够提升类别数据间可视化显示时的区分度，以及提升相同类别数据可视化显示时的聚拢程度。
一种数据可视化聚类分析方法电子设备可读介质

[发明专利]基于核空间的流形学习非线性逼近的算法-CN201910062746.8在审
发明人：马争鸣;苏薛;刘佳;刘洁 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本发明涉及机器学习领域中的数据降维问题，提出了一种基于核空间的流形学习非线性逼近的算法。本方法首先根据给定的高维数据以及选定的流形学习算法，在此流形学习算法下计算高维数据的低维坐标并保存下来；其次根据给定的高维数据张成一个核函数空间，在此空间上定义一个降维函数，使得由此降维函数得到的低维坐标和流形学习算法得到的低维坐标之间的误差最小，从而学习出降维函数的参数；最后对于新给定的高维数据可直接由构造的降维函数来预测其低维坐标。本发明的主要思想是给定高维数据和由流形学习得到的低维坐标，用核函数空间上定义的核函数去逼近训练数据集从高维空间到低维空间的映射关系，进而得到一个新的降维函数。
高维数据低维降维流形学习算法流形学习核函数非线性逼近算法机器学习领域训练数据集低维空间高维空间数据降维映射关系逼近保存预测学习

[发明专利]探索高维数据的内在低维结构的可视化分析方法及其系统-CN201710619472.9有效
发明人：夏佳志;李强;叶奋进;王建新 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G06F16/248 文献下载
摘要：本发明公开了一种高维数据的内在低维结构的可视化分析方法，包括S1.选定需要分析的数据并调整分析参数；构建t‑SNE视图；构建高维数据的二维投影视图；构建本真维度柱状图视图；构建点滚石图视图；构建低维结构滚石图视图本发明还提供了实现所述高维数据的内在低维结构的可视化分析方法的系统。本发明通过对高维数据进行投影，并建立相应的视图，能够对潜在的低维结构构造一组全局和局部的特征描述，从而能够帮助用户对潜在的低维结构构造一组全局和局部的特征描述和帮助用户探索潜在的低维结构。
探索数据内在结构可视化分析方法及其系统

[发明专利]端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管-CN202110775019.3在审
发明人：杨雷静;李昊;忻向军;张琦;饶岚;孙莉萍;王宁;王拥军;田清华;田凤 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管，该端接触的方法包括：将低维材料覆盖至目标衬底；将电子束负胶覆盖在低维材料上；对电子束负胶进行图形化和刻蚀，暴露出欲去除部分的低维材料；利用设定气体等离子体刻蚀掉暴露出的低维材料；通过设定镀膜方式对刻蚀掉的低维材料后的电子束负胶覆盖的剩余部分的低维材料镀膜，形成低维材料与金属端接触结构。通过上述方案，能够在常温下，实现低维材料和金属的端接触；端接触结构可有效减小器件的尺寸；应用于多层低维材料，可有效避免因静电屏蔽导致的下层材料无法与下层材料接触的现象。
端接方法光电晶体管制备

[发明专利]基于波束空间的低通信量高精度定位方法及系统-CN201810548106.3在审
发明人：沈渊;赵涵颖;张宁;张林 -专利权人：清华大学;中国船舶重工集团公司第七二四研究所
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H04W64/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种基于波束空间的低通信量高精度定位方法及系统，能实现高精度低时延的用户定位。方法包括：S1、本地基站接收待定位用户的发射信号，得到高维阵列信号，根据所述高维阵列信号构造波束空间，通过将所述高维阵列信号转换进波束空间，生成低维波束空间信号，并将所述低维波束空间信号传至中心基站；S2、所述中心基站接收所述本地基站传输的低维波束空间信号，将所述低维波束空间信号恢复为高维阵列信号，并利用直接定位算法和高维阵列信号对所述待定位用户进行定位。
波束空间阵列信号高维低维高精度定位低通信量中心基站发射信号基站传输基站接收信号恢复用户定位直接定位低时延算法转换

[发明专利]一种基于光学微腔的低维材料折射率测定样品及测定方法-CN201910246106.2在审
发明人：王少伟;颜炎洪;崔壮壮;陈旭;吴智勇;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光学微腔的低维材料折射率测定样品及测定方法，通过镀膜方法来制备获得法布里‑珀罗腔(F‑P)的光学微腔结构，只需将二维材料、纳米片、纳米带、薄膜等低维材料嵌埋到光学微腔中，应用显微光谱仪对比测量有、无低维材料区域的透射谱或反射谱，通过腔模峰位的移动获得低维材料对光程差的改变信息，就可以精确计算出低维材料的折射率。本发明解决了微米尺度低维材料折射率的测量难题并实现精确测量，具有很好的普适性，能够应用于各种二维材料、纳米片、纳米带、薄膜等低维材料折射率的精确测定。
低维材料光学微腔折射率折射率测定二维材料纳米带纳米片薄膜测量光谱仪对比测量难题改变信息微米尺度法布里反射谱普适性透射谱珀罗腔程差镀膜峰位嵌埋腔模显微制备应用移动

[发明专利]基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法-CN202211582913.X在审
发明人：包文中;盛楚明;孙正宗;董祥麒;朱宇轩 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法。本发明方法包括提供具有低维半导体材料的工件，对低维半导体材料进行等离子体掺杂，原位沉积钝化层形成封装结构，其中形成封装结构的步骤包括：向真空工艺腔室中通入气体，使气体电离形成等离子体，对低维半导体材料进行掺杂本发明对低维半导体材料进行等离子体掺杂后原位沉积钝化层，降低杂质对等离子体掺杂后活化的低维半导体材料表面的影响，降低低维半导体材料与钝化层之间界面态缺陷密度，通过等离子体掺杂改变低维半导体材料载流子浓度和类型，进而调控低维半导体材料电学性能。
基于等离子体掺杂调控半导体材料电学性能方法

[发明专利]原位输运性质测量装置-CN201510172191.4有效
发明人：薛其坤;陈曦;王亚愚;胡小鹏;赵大鹏;郑澄;张定 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种原位输运性质测量装置，包括一低维材料制备系统，用于制备膜状结构；以及一输运性质测量系统，用于测量所述膜状结构的输运性质；所述原位输运性质测量装置进一步包括一低维材料处理系统，用于在所述膜状结构的表面设置电极；所述低维材料制备系统、低维材料处理系统和输运性质测量系统之间通过磁力杆传送所述膜状结构，且所述低维材料制备系统、低维材料处理系统、输运性质测量系统中均为真空环境。
原位输运性质测量装置

[实用新型]原位输运性质测量装置-CN201520219621.9有效
发明人：薛其坤;陈曦;王亚愚;胡小鹏;赵大鹏;郑澄;张定 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种原位输运性质测量装置，包括：一低维材料制备系统，用于制备膜状结构；以及一输运性质测量系统，用于测量所述膜状结构的输运性质；所述原位输运性质测量装置进一步包括一低维材料处理系统，用于在所述膜状结构的表面设置电极；所述低维材料制备系统、低维材料处理系统和输运性质测量系统之间通过磁力杆传送所述膜状结构，且所述低维材料制备系统、低维材料处理系统、输运性质测量系统中均为真空环境。
原位输运性质测量装置

[发明专利]低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法-CN202310358414.0在审
发明人：徐杨;宁浩;汪晓晨;谢永亮;蔺江铭;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本发明涉及一种低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法，本发明的低维材料CMOS片上集成芯片为上下两层的堆叠式芯片。上层是低维材料器件功能层，依靠新型低维材料器件实现感光、忆阻等功能拓展；下层是CMOS电路层，为CMOS电路芯片，依靠CMOS工艺流片生产的CMOS芯片实现新型低维材料器件信号的读出、处理功能。本发明能够实现新型的低维材料器件与成熟的CMOS工艺异质集成。该集成方式制备工艺简单、成本低廉、集成度高，融合了低维材料的特有优势，能够极大地推动低维材料器件的应用和CMOS体系的拓展。低维材料CMOS片上集成芯片解决了传统CMOS芯片材料体系单一，功能难以拓展的局限，实现功能创新。
材料 cmos 集成芯片及其方法

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