“电介质层图案”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4590504个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括贴片天线和线圈天线的电子装置-CN202180063249.5在审
发明人：李宇燮;朴世镐;朴淳;成精午;李海权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01Q5/25 文献下载
摘要：根据本公开的各种实施例，一种电子装置可以包括：第一层，所述第一层包括具有贴片形状的第一天线和围绕所述第一天线并具有线圈形状的第二天线；第二层，所述第二层包括第一图案和第二图案，所述第一图案设置在与所述第一天线对应的位置处并充当所述第一天线的接地，所述第二图案电连接到所述第二天线；电介质，所述电介质设置在所述第一层与所述第二层之间；以及磁性材料，所述磁性材料设置在所述电介质下方与所述第二天线对应的位置处。
包括天线线圈电子装置

[发明专利]线上保护免受工艺引发的电介质损坏-CN201811112073.4在审
发明人： W·E·爱德沃兹;B·G·安东尼 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及线上保护免受工艺引发的电介质损坏。提供一种在制造期间保护电介质的方法。将导电层图案化以在电介质层的第一部分上形成第一导电形状并在该电介质层的第二部分上形成第二导电形状。将互连层耦合到所述第一导电形状。蚀刻该导电迹线以将该第一导电形状与该衬底连接件电隔离。
导电电介质导电迹线电介质层连接件衬底蚀刻导电层图案电隔离电连接互连层耦合到制造

[发明专利]传输损耗小的电子电路-CN200610108477.7无效
发明人：青木一晴 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：一种电子电路单元，经由由导体图案构成的传输线路(103)传输电能，将匹配电路(101)与功率放大器(102)的输出端连接。匹配电路(101)具备：第1导体图案(14)，设置在具有多个电介质层(11～13)的层叠基板(10)的第1电介质层(11)上，具有弯曲部(P1～P4)；第2导体图案(15)，与第1导体图案(14)相对而设置在相邻的第2电介质层(12)上；连接导体(16～20)，设置在第1及第2导体图案(14、15)的至少弯曲部(P1～P4)上。从而能够等价地增厚构成传输线路的导体图案的导体厚度，降低电阻值，并且即使是具有弯曲部分的导体图案也能抑制由弯曲部分中的电场集中所引起的传输损耗。
传输损耗电子电路

[发明专利]使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程-CN202011507505.9在审
发明人：王玉展;P·巴萨瓦纳哈利·库玛斯瓦米;辜宏佳;A·莱奥蒂;P·拉蒙达 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程。在半导体衬底之上沉积由第一电介质材料制成的第一电介质层。然后在第一电介质层的上表面上沉积缓冲层。将沟槽打开为延伸穿过缓冲层和第一电介质层。以共形的方式，将由第二电介质材料制成的第二电介质层沉积在缓冲层上，并且填充沟槽。执行对第二电介质层的化学机械抛光，以去除第二电介质层的上覆部分，其中缓冲层被用作抛光停止件。在去除缓冲层之后，第一电介质层和填充沟槽的第二电介质材料形成预金属化电介质层，该预金属化电介质层具有实质上平坦的上表面。
使用缓冲作为用于耦合电介质氧化物化学机械抛光停止集成电路制造过程

[发明专利]半导体器件-CN202310390280.0在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料
半导体器件

[发明专利]半导体装置和包括其的半导体封装件-CN201910835996.0在审
发明人：崔朱逸;姜泌圭;金会哲;罗勋奏;朴宰亨;孙成旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层
半导体装置包括封装

[实用新型]可钢化双银镀膜玻璃-CN202123024541.2有效
发明人：刘源;刘自乾;潘杰 -专利权人：湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可钢化双银镀膜玻璃，包括基板和镀膜层，镀膜层包括依次形成于基板一侧的第一复合层、第二复合层和电介质层；第一复合层包括依次层叠设置的第一电介质层、第二电介质层、第一银基功能层、第一阻挡保护层和第一电介质结合层，第一电介质组合层与基板连接；第二复合层包括依次层叠设置的第三电介质层、第四电介质层、第二银基功能层、第二阻挡保护层和第二电介质结合层，第三电介质层与第一电介质结合层连接；电介质层与第二电介质结合层连接；第一电介质层的厚度为25nm至35nm，第三电介质层的厚度为50nm至65nm。
可钢化双银镀膜玻璃

[发明专利]发光器件封装和照明系统-CN201110036122.2有效
发明人：金鲜京 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：发光器件封装包括：下底座，该下底座包括空腔；发光器件芯片，发光器件芯片被提供在空腔中；电极，该电极被电气地连接到发光芯片；反射层，该反射层被形成在空腔的表面上；电介质图案，该电介质图案在反射层上；以及密封材料
发光器件封装照明系统

[发明专利]一种形成多层结构的方法-CN200680051024.3有效
发明人： M·弗雷登贝格;P·默勒;P·威文－尼尔松 -专利权人：莱里斯奥鲁斯技术公司
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：在基底上设置种子层，并在该种子层上设置主电极。该主电极具有与基底形成多个电化学室的图案层。施加电压对所述种子层进行蚀刻或者在所述种子层上设置电镀材料。在形成的结构(8)之间设置电介质材料(9)。将所述电介质材料层平面化，以使下面的结构被暴露出，并在第一结构层上形成另外的结构层。替代性地，将所述电介质层设置为两层的厚度，并通过对该电介质层进行选择性地蚀刻并延伸至下面的结构，以使下面结构的正面被选择性地暴露出。也可以在一个步骤中形成多层结构。
一种形成多层结构方法

[其他]薄膜电容器-CN202090000734.9有效
发明人：真岛亮;阪本拓也 -专利权人：株式会社村田制作所;株式会社指月电机制作所
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型的薄膜电容器(1)具备：由树脂构成的第1电介质薄膜(10)，具有第1主面(11)及第2主面(12)；第1电极层(30)，设置在第1电介质薄膜(10)的第1主面(11)；第2电极层(40)，设置在第1电介质薄膜(10)的第2主面(12)；和由树脂构成的第2电介质薄膜(20)，隔着第1电极层(30)或第2电极层(40)层叠于第1电介质薄膜(10)，具有第3主面(21)及第4主面(22)，薄膜电容器(1)的特征在于，第1电极层(30)具有被狭缝(33、36)划分出的第1区域(35)经由熔丝部(34)相互连接的第1电极图案，第2电极层(40)具有面积比第1区域(35)大的第2区域(42)。
薄膜电容器

[发明专利]具抗反射涂层的内连线制造方法及其结构-CN03133239.0有效
发明人：钟维民 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种具抗反射涂层的内连线制造方法及其结构，该结构中的基板中形成具有一铜金属或铜基底的合金，在平坦化该结构后，一薄的阻障层形成于基板之上。接着将一电介质抗反射层形成于该阻障层之上。接着，另一内介电层形成于该电介质抗反射层上，在后续的光阻层形成且以微影制程图案化时，该电介质抗反射层将可降低光线的反射。利用本发明的结构可有效的降低制程的步骤。
反射涂层连线制造方法及其结构

[发明专利]用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构-CN200610118772.0无效
发明人：陈军;吴汉明;高大为;朱蓓;伯凡帝·保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成应变硅集成电路器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于半导体衬底的电介质层；形成上覆于电介质层的栅极层；形成上覆于栅极层的硬掩模；利用硬掩模作为保护层图案化栅极层，以形成栅极结构；形成上覆于栅极结构的电介质层；由电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于栅极结构的硬掩模；利用电介质层和硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻栅极结构的源区和漏区，而硬掩模防止栅极结构的任何部分暴露；保留硬掩模；将硅锗材料沉积到源区和漏区中，同时利用硬掩模使栅极层的任何部分保持不被暴露
用于应变 mos 晶体管使用硬掩模刻蚀方法结构

[发明专利]等离子显示板-CN200810002453.2无效
发明人：林谨洙 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2008-01-03 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明为等离子显示板相关发明，配置覆盖扫描电极和维持电极的第1电介质层，在第1电介质层的上部配置具有比第1电介质层的厚度更大的厚度，介电常数更小的第2电介质层，可以减少电介质层的整体厚度。而且，本发明一实例的等离子显示板减少电介质层的整体厚度的同时抑制放电不稳定，而且可以提高放电效率。本发明一实例的等离子显示板包括前面基板和；互相并排配置在前面基板上的扫描电极和维持电极和；覆盖扫描电极和维持电极的第1电介质层；及设在第1电介质层上部的第2电介质层；第1电介质层的介电常数大于第2电介质层的介电常数，第1电介质层的厚度比第2电介质层的厚度薄。
等离子显示

[发明专利]具有自对准气隙的半导体器件及其制造方法-CN201310553483.3有效
发明人：卢一喆;李钟旼 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底之上形成多个半导体结构；在半导体结构之上形成层间电介质层；刻蚀层间电介质层，并且在半导体结构之间限定开口部分以暴露衬底的表面；在开口部分的侧壁上形成牺牲间隔件；在开口部分中形成导电层图案；以及使导电层图案和牺牲间隔件相互反应，并且在开口部分的侧壁上限定气隙。
具有对准半导体器件及其制造方法

[发明专利]诱导透射滤光器-CN201810494057.X有效
发明人： G.J.奥肯富斯 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光学滤光器可以包括第一组层。第一组层可以包括一组电介质材料中的第一电介质材料和一组电介质材料中的第二电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第二组层。第二组层可以包括一组电介质材料中的第三电介质材料和一组电介质材料中的第四电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第三组层。第三组层可以包括一组电介质材料中的第五电介质材料、一组电介质材料中的第六电介质材料和金属材料的交替层。第三组层可以设置在第一组层和第二组层之间。
诱导透射滤光