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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固体电解电容器及其制造方法-CN200610057731.5有效
发明人：饭田贵久;矢野睦;木本卫;小林泰三;野野上宽 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：本发明提供一种固体电解电容器，其具有：由阀作用金属或以阀作用金属为主要成分的合金构成的阳极；上述阳极被阳极氧化而形成的电介质层；和在上述电介质层上形成的阴极，上述电介质层具有位于阳极侧的第一电介质层和在该第一电介质层上形成的第二电介质层，该第二电介质层中的氧浓度从第一电介质层侧向阴极侧减少。
固体电解电容器及其制造方法

[发明专利]半导体构造、NAND单位单元、形成半导体构造的方法及形成NAND单位单元的方法-CN200880124715.0有效
发明人： D·V.·尼马尔·拉马斯瓦米;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-11-25 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：可形成n型掺杂材料与p型掺杂材料的交替层。可将所述交替层图案化成通过开口而彼此间隔开的多个垂直立柱。可用隧道电介质、电荷存储材料及阻挡电介质给所述开口加衬。可在所述经加衬开口内形成绝缘材料与导电控制栅极材料的交替层。一些实施例包含形成NAND单位单元的方法。可形成交替的n型材料与p型材料的立柱。可用隧道电介质层、电荷存储材料层及阻挡电介质层给所述立柱加衬。可在所述经加衬立柱之间形成绝缘材料与导电控制栅极材料的交替层。一些实施例包含半导体构造，且一些实施例包含NAND单位单元。
半导体构造 nand 单位单元形成方法

[发明专利]一种基于Cantor光子晶体和石墨烯复合结构的光子滤波器-CN202110981488.0在审
发明人：刘芳梅 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括若干第一电介质层和若干第二电介质层，记第一电介质层为A、第二电介质层为B，所述Cantor光子晶体的序列序号为N＝2，第一电介质层、第二电介质层的排列规则为：ABABBBABA；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；各邻层之间均嵌入有一个石墨烯单层G。
一种基于 cantor 光子晶体石墨复合结构滤波器

[实用新型]一种基于Cantor光子晶体和石墨烯复合结构的光子滤波器-CN202122039061.7有效
发明人：刘芳梅 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括若干第一电介质层和若干第二电介质层，记第一电介质层为A、第二电介质层为B，所述Cantor光子晶体的序列序号为N＝2，第一电介质层、第二电介质层的排列规则为：ABABBBABA；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；各邻层之间均嵌入有一个石墨烯单层G。
一种基于 cantor 光子晶体石墨复合结构滤波器

[发明专利]单层BGA基板工艺-CN201280006939.8有效
发明人：刘宪明;高华宏 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：使用最小化用于形成该基板所使用掩膜层的数量的若干技术形成该基板。例如，对金属基板图案化以在该表面上形成三维图案。在该三维图案上沉积电介质材料。使用在此描述的若干图案化和抛光实施例，将该金属/电介质基板图案化和抛光以形成键合至该半导体器件的基本上齐平的表面。在一个实施例中，对该金属/电介质基板的顶部表面图案化以曝露下面的金属基板，并且对该金属基板的底部表面抛光以与电介质材料基本上齐平。
单层 bga 工艺

[发明专利]一种基于石墨烯阵列的分布反馈啁啾光栅-CN202110516813.6在审
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：包括一个缺陷层两个对称分布在缺陷层两侧的啁啾光栅，所述啁啾光栅包括一个第一电介质层和若干个第二电介质层，各第二电介质层位于第一电介质层与缺陷层之间；由第一电介质层至缺陷层，各第二电介质层的厚度逐渐增大，且相邻第二电介质层的厚度差为一等量常数；相邻第二电介质层之间、第一电介质层和与之临近的第二电介质层之间、缺陷层和与之临近的第二电介质层之间均具有一石墨烯层。
一种基于石墨阵列分布反馈啁啾光栅

[实用新型]一种基于石墨烯阵列的分布反馈啁啾光栅-CN202121019975.0有效
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：包括一个缺陷层两个对称分布在缺陷层两侧的啁啾光栅，所述啁啾光栅包括一个第一电介质层和若干个第二电介质层，各第二电介质层位于第一电介质层与缺陷层之间；由第一电介质层至缺陷层，各第二电介质层的厚度逐渐增大，且相邻第二电介质层的厚度差为一等量常数；相邻第二电介质层之间、第一电介质层和与之临近的第二电介质层之间、缺陷层和与之临近的第二电介质层之间均具有一石墨烯层。
一种基于石墨阵列分布反馈啁啾光栅

[发明专利]半导体器件-CN202310246383.X在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：该电容器结构包括在第一方向上顺序堆叠的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括插设在底电极和顶电极之间并在第一方向上交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括铁电材料，第二电介质层包括反铁电材料。最下面的第二电介质层插设在最下面的第一电介质层和底电极之间，最上面的第二电介质层插设在最上面的第一电介质层和顶电极之间。
半导体器件

[发明专利]RF电介质波导滤波器-CN202180034416.3在审
发明人：经东 -专利权人： CTS公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：一种电介质波导滤波器，包括：电介质材料块，其包括覆盖有导电材料层的外表面。多个谐振器形成在块上。RF信号输入/输出形成在块上。RF信号以蜿蜒图案传输通过块。在一个实施例中，RF信号传输通道形成在块中，并以蜿蜒图案在多个谐振器中的选定谐振器之间延伸并围绕选定谐振器。在一个实施例中，多个谐振器中的选定谐振器由以下构成：形成在被通道围绕的电介质材料块的顶表面和底表面中的一个上的相应电介质材料岛，以及形成并延伸到相应电介质材料岛中的相应埋入孔。在另一实施例中，限定相应谐振器的相应电介质材料岛和埋入孔形成在块的相对的顶表面和底表面中。
rf 电介质波导滤波器

[发明专利]陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法-CN201110084040.5有效
发明人：樱井俊雄;小更恒;岚友宏;中野贵弘;宫内泰治 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层
陶瓷电子部件制造方法

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和记录装置以及制造方法-CN200510052153.1有效
发明人：松田坚义;伊福俊博;福井哲朗;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9 ……(1)。
电介质元件压电喷墨记录装置以及制造方法

[发明专利]混合集成电路管芯及其形成方法-CN202210823628.6在审
发明人：吴宏祥;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：氮化镓器件，位于衬底上，该氮化镓器件包括电极；电介质层，位于氮化镓器件上和周围；隔离层，位于电介质层上；半导体层，位于隔离层上，该半导体层包括硅器件；通孔，延伸穿过半导体层、隔离层和电介质层，通孔电耦合并实体耦合到氮化镓器件的电极；以及互连结构，位于半导体层上，互连结构包括电耦合到通孔和硅器件的金属化图案。
混合集成电路管芯及其形成方法

[发明专利]非易失性存储器和制造方法-CN202110177533.7在审
发明人：徐晨祐;闵仲强;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：在一些实施例中，在衬底上方形成存储单元叠层，其中，存储单元叠层具有底部电极层、位于底部电极层上方的电阻转换电介质层，以及位于电阻转换电介质层上方的顶部电极层。在顶部电极层上方形成第一绝缘层。在第一绝缘层上方形成第一金属硬掩模层。然后，执行一系列蚀刻以图案化第一金属硬掩模层、第一绝缘层、顶部电极层和电阻转换电介质层，以形成第一金属硬掩模、硬掩模绝缘体、顶部电极和电阻开关电介质。
非易失性存储器制造方法

[发明专利]日照遮蔽构件-CN201880031024.X在审
发明人：堀江裕树;加藤和广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明的日照遮蔽构件的特征在于，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。
电介质膜电介质层金属膜结晶性低辐射膜光学膜厚透明基材依次层叠遮蔽构件最上层日照

[发明专利]静电卡盘-CN202080031109.5在审
发明人：竹林央史;相川贤一郎;久野达也 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：静电卡盘具备陶瓷基材、陶瓷电介质层、静电电极和陶瓷绝缘层。陶瓷电介质层配置在陶瓷基材上，比陶瓷基材薄。静电电极埋设在陶瓷电介质层与陶瓷基材之间。陶瓷绝缘层配置在陶瓷电介质层上，比陶瓷电介质层薄。陶瓷绝缘层的体积电阻率及耐电压比所述陶瓷电介质层高，陶瓷电介质层的介电常数比陶瓷绝缘层高。
静电卡盘

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