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[发明专利]显示装置及电子器具-CN200910003196.9有效
发明人：本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：一种具有为了进行适于运动图像显示的脉冲式显示所需发光时间的显示装置，包括：包括第一端子及第二端子的电阻元件；包括栅极端子以及源极端子及漏极端子的晶体管，其中栅极端子电连接到信号线，源极端子及漏极端子中的一方电连接到电源线；包括第一端子及第二端子的电容元件，其中第一端子及第二端子中的一方电连接到所述电阻元件的第一端子及第二端子中的一方以及所述晶体管的源极端子及漏极端子中的另一方；以及包括第一端子及第二端子的发光元件，其中第一端子及第二端子中的一方电连接到所述电阻元件的第一端子及第二端子中的另一方
显示装置电子器具

[发明专利]改善的RF CMOS晶体管设计-CN200980150543.9有效
发明人： R·赫贝霍尔茨 -专利权人：剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：基本位于晶体管的有源区域上方的局部窄互连线均连接到源极端子或漏极端子。与局部互连线正交地布置源极和漏极端子，每个端子比局部互连线显著更宽。在范例中，局部互连线形成于第一金属层中，源极和漏极端子形成于一个或多个后续金属层中。
改善 rf cmos 晶体管设计

[发明专利]实施铁电选择晶体管的非易失性模拟电阻式存储器基元-CN202180083291.3在审
发明人：龚南博;安藤崇志 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：电阻式存储器器件包括第一端子和第二端子。电阻式存储器器件具有可调节电导。选择晶体管是包括栅极端子、源极端子和漏极端子的铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件的栅极端子连接到字线。FeFET器件的源极端子连接到源极线。FeFET器件的漏极端子连接到电阻式存储器器件的第一端子。电阻式存储器器件的第二端子连接到位线。
实施选择晶体管非易失性模拟电阻存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110619997.9在审
发明人：乔治奥斯·韦理安尼堤斯;吕俊颉;杨世海;马礼修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括栅极层、低掺杂半导体层、晶体铁电层以及源极端子和漏极端子。晶体铁电层设置在栅极层和低掺杂半导体层之间。源极端子和漏极端子设置在低掺杂半导体层上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]熔丝结构-CN202210905583.7在审
发明人：张敦仁;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：熔丝结构包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和该第二晶体管的每一个具有源极端子、漏极端子和栅极端子；第一源极/漏极接点，设置在第一晶体管的源极端子上；第二源极/漏极接点，设置在第二晶体管的漏极端子上；绝缘体，横向设置在第一源极/漏极接点和第二源极/漏极接点之间；源极/漏极接点导孔，设置在第一源极/漏极接点上；以及编程线，连接到源极/漏极接点导孔，其中绝缘体的宽度被设置成使得跨接在源极/漏极接点导孔和第二晶体管的漏极端子上所施加的编程电压能够击穿上述绝缘体
结构

[发明专利]半导体驱动电路及使用其的电力转换装置-CN201180072862.X有效
发明人：畑中步;加藤薰;石川胜美;丸直树 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：桥臂中，上桥臂的开关元件的漏极端子与第一电源的正极连接，下桥臂的开关元件的源极端子与第一电源的负极连接，上桥臂的开关元件的源极端子与下桥臂的开关元件的漏极端子连接，按每个开关元件设置的栅极驱动电路包含：第一电阻和第一电容器并联连接且第一端子与开关元件的栅极端子连接的并联电路；和FET电路，FET电路，其源极端子与并联电路的第二端子连接，其栅极端子与第二电容器的一端连接，在其漏极端子与栅极端子之间连接第二电阻，在其漏极端子与第二电容器的另一端子之间连接第二电源，第二电源为由零电位、正值和负值构成的三电平电源，为包含正值与负值之间为零电位的期间的交变电源，构成为在对一方的栅极驱动电路施加正值期间对另一方的栅极驱动电路施加负值，且与FET电路的栅极端子连接的第二电容器的另一端与上述开关元件的源极端子连接。
半导体驱动电路使用电力转换装置

[发明专利]AB类放大器-CN201510188804.3有效
发明人： S·苏塔德加;F·阿拉姆 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H03F3/191 文献下载
摘要：一种AB类放大器，包括：第一电感器(L1)，具有与电压源端子(Vdd)连通的第一端子。第一晶体管(T1)具有与第一电感器(L1)的第二端子连通的漏极端子。第二晶体管(T2)具有与第一晶体管(T2)的源极端子连通的源极端子。第二电感器(L2)具有与第二晶体管(T2)的漏极端子连通的第一端子和与参考电势(Vss)连通的第二端子。第一晶体管(T1)的漏极端子和第二晶体管(T2)的漏极端子电容地耦合(Ccm)在一起。
晶体管连通漏极端子电感器源极端子电压源端子参考电势电容耦合

[发明专利]AB类放大器-CN201180019828.6有效
发明人： S·苏塔德加;F·阿拉姆 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：一种AB类放大器，包括：第一电感器(L1)，具有与电压源端子(Vdd)连通的第一端子。第一晶体管(T1)具有与第一电感器(L1)的第二端子连通的漏极端子。第二晶体管(T2)具有与第一晶体管(T2)的源极端子连通的源极端子。第二电感器(L2)具有与第二晶体管(T2)的漏极端子连通的第一端子和与参考电势(Vss)连通的第二端子。第一晶体管(T1)的漏极端子和第二晶体管(T2)的漏极端子电容地耦合(Ccm)在一起。
ab 放大器

[发明专利]半导体器件、显示装置及电子设备-CN200510128795.5无效
发明人：木村肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：第1晶体管的栅极端子作为第1输入端子，第2晶体管的栅极端子作为第2输入端子；第1晶体管的栅极端子连接到第2晶体管的源极端子。而且，第2晶体管的栅极端子连接到第1晶体管的源极端子。
半导体器件显示装置电子设备

[发明专利]一种SiC MOSFET子模组单元压接型封装-CN202111204285.7在审
发明人：王来利;王海骅;马定坤;赵成 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET子模组单元压接型封装，包括SiCMOSFET子单元阵列、栅极碟簧及连接部件、PCB基板、栅极端子、辅助源极端子和源极底板；所述SiCMOSFET子单元阵列由M个SiCMOSFET子单元组成；每个SiC MOSFET子单元均通过若干栅极碟簧及连接部件与PCB基板的上表面连接，所述PCB基板的下表面连接至源极底板，所述栅极端子设置在PCB基板的一侧，所述辅助源极端子设置在源极底板的一侧，且栅极端子和辅助源极端子位于同一方位。
一种 sic mosfet 模组单元压接型封装

[发明专利]恒定GM电流源-CN202180083652.4在审
发明人：吴信达 -专利权人：北欧半导体公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：第一(P1)晶体管和第二(N1)晶体管具有分别连接到第一(AVDD)供电轨和第二(GND)供电轨的其源极端子，并且它们的漏极端子连接在一起并连接到第一晶体管(P1)的栅极端子。第三(P2)晶体管和第四(N2)晶体管具有分别连接到第一(AVDD)供电轨和第二(GND)供电轨的其源极端子，并且它们的漏极端子连接在一起并连接到第四晶体管(N2)的栅极端子。第一(P1)晶体管和第三(P2)晶体管的栅极端子连接在一起并接收栅极电压(vgp)，并且第二晶体管(N1)和第四晶体管(N2)的栅极端子连接在一起。连接在第三晶体管(P2)的源极端子和第一供电轨(AVDD)之间的参考电阻元件(R1’)具有预定的电阻值。自动校准晶体管(R2,P6)的源极端子连接到第一供电轨(AVDD)并且其漏极端子连接到第一晶体管(P1)的源极端子。自动校准晶体管(R2,P6)的栅极端子被供应栅极电压(vgp)。
恒定 gm 电流

[发明专利]基板及其制造方法、显示装置-CN201180035563.9有效
发明人：原义仁;中田幸伸 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：薄膜晶体管基板(20a)包括：绝缘基板(10a)；设置于绝缘基板(10a)上的多个源极端子(15)；和以覆盖源极端子(15)各自的一部分的方式设置且包含氧化物半导体的第一端子罩(24)。而且，在相邻的源极端子(15)间的区域(R)，第一端子罩(24)被去除。
及其制造方法显示装置

[发明专利]开关元件的驱动电路和开关电路-CN201980054109.4在审
发明人：野坂纪元;冈田亘;仲田宏宪;岩井聪 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：驱动电路(12)的输出端(123)经由并联连接的电容器(11)及电阻(13)与开关元件(1)的栅极端子连接。开关元件(1)的源极端子经由电容器(14)与驱动电路(12)连接。串联连接的电阻(16)和二极管(15)中的二极管(15)的阴极端子侧连接在电容器(11)及电阻(13)与栅极端子之间，二极管(15)的阳极端子侧经由电阻(16)连接在源极端子与电容器(14)之间。
开关元件驱动电路开关电路

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN200910004887.0无效
发明人：武藤晃;小池信也;新井克夫;藤城敦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-02-04 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：与半导体芯片的背表面漏极电极相耦合的漏极端子在密闭树脂部分的背表面处暴露。下述部分以及端子的一部分在密闭树脂部分的顶表面处暴露：与半导体芯片的源极焊盘电极相耦合的源极端子的第一部分以及与半导体芯片的栅极焊盘电极相耦合的栅极端子。源极端子以及栅极端子的第二部分的剩余部分暴露在密闭树脂部分的背表面处。当制备这种半导体器件时，在漏极端子和半导体芯片之间放置键合材料和膜构件。同时，在源极端子3和栅极端子以及半导体芯片之间放置膏状键合材料和膜构件。该膏状键合材料被固化并且变成键合材料。使用膜构件的结果是，键合材料厚度的变化被抑制。
半导体器件制备方法

[发明专利]经由耦合振荡器的隔离式电力传输-CN202111282096.1在审
发明人： O·拉扎罗 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H02J50/12 文献下载
摘要：该振荡器包括具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子的第一场效应晶体管(FET)(120)，该第一漏极端子耦合到第一线圈(112)，该第一线圈(112)适于电感耦合到电力传感器(102)中的第三线圈该振荡器包括具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子第二FET(122)，该第二栅极端子耦合到第一电容器(116)，该第二源极端子耦合到第一源极端子，并且该第二漏极端子耦合到第二线圈(114)，该第二线圈该振荡器包括耦合到第一栅极端子并耦合到第二线圈(114)的第二电容器(118)。
经由耦合振荡器隔离电力传输